i7 3770k开顶盖测温是一个误导

hokimfong · 发表于 2012-5-5 19:42

其实就是用词引起了大家的注意!物理一直都不合格的表示一点都看不懂!

不过,这是讨论啦,当大家互相学习咯,都有好处的!

fupinke · 发表于 2012-5-5 20:16

铜的热阻比锡小，加了一层（钎焊+顶盖）热阻大的我觉得并不能增加导热效果。核心接触面只有那么大导热瓶颈应该是核心发热大纯粹的想法。

fupinke · 发表于 2012-5-5 20:19

核心半导体导热系数才是瓶颈吧

s9121240 · 发表于 2012-5-5 21:20

不知到有沒有人發現或比較過cpu核心空照圖，雖然一個是216mm(Sandy)另一個160mm(Ivy)但一個是12EU的GPU另一個是16EU的GPU，如果把空照圖重碟會發現Sandy的cpu約185mm(扣除12EU的GPU)而Ivy的cpu約只有115mm(扣除16EU的GPU)(Ivy的內顯比例更大)同樣功耗下面積差了這麼多當然熱來不急傳導。
所以同樣功耗下實際散熱面積差了60%，而為什麼扣除GPU因為它沒使用bios不是把它關閉等於0功耗，而gpu矽晶的熱阻我想不會比矽膏好(低)多少。
另外cpu不是有很多感熱器(cpu package,cpu ia,cpu core1~4)以我的經驗(Sandy oc 5G 原廠風散)當我用LinX只對一個核心燒機那一個核心的溫度和cpu package立即超過Tjmax98開始降頻，而其它核心還只有7x度。
所以最大原因大幅縮減(部分還轉換成GPU)，所以不是只有32nm轉22nm的25%面積減少，而是60%。所以當對Ivy燒機時熱傳導面積太小導制高溫，我猜測ivy只對單核心4.8G燒機就會降頻了，Sandy大約可以單核5.2G燒機。
以上是我從ivy發表以來的看法，謝謝大家。

s9121240 · 发表于 2012-5-5 21:59

個人猜測以當前的矽晶製程，在DIE面積每100mm功耗超過140W，當前任何頂級風冷散熱器都壓制不住。
因為Q/A=-K(dT/dX)，Q=140W A=100mm K=未知(假設定值製程未改變) dX=定值，所以能變的只剩dT，要提高這個值風冷太低(水冷一樣不行)只能從乾冰或液態氮來提高dT

royalk · 发表于 2012-5-5 22:03

s9121240 发表于 2012-5-5 21:20
不知到有沒有人發現或比較過cpu核心空照圖，雖然一個是216mm(Sandy)另一個160mm(Ivy)但一個是12EU的GPU另一 ...

有道理。可以看我的烧机截图，不用核显的时候，GT core温度也是有读数的，大约要比IA core低20-30度，是否说明die本身的导热也不行？

s9121240 · 发表于 2012-5-5 22:09

沒錯我的想法就是這樣 GPU(內顯)die的導熱問題很大

s9121240 · 发表于 2012-5-5 22:11

下一代Heswell我想內顯比例更高，K系列悲劇就產生了

s9121240 · 发表于 2012-5-5 22:26

我想Intel早就知道這問題了(一直提高內顯比例)，或是戰略考量(與APU對抗)，CPU早就效能過剩了

浪子燕青 · 发表于 2012-5-6 09:19

要是这样算完蛋，做什么努力也没用，内部导热太差！

ziegoo · 发表于 2012-5-6 13:13

IVB本身发热高.发热集中.无论散热有多快.热阻有多小.发热源头始终在CPU本身....所以说INTEL要解决发热的问题.始终要回归到CUP的制造工艺.而不是要用什么导热材料.用什么顶级散热器!治标不治本的方法始终是站不住脚的!!

dyq · 发表于 2012-5-7 02:33

个人猜测如果钎焊使die的热量能快速传导到his上（比直接硅脂接触散热器传递的多）并分散开然后his通过更大的面积用硅脂与散热器接触是不是能比直接硅脂接触散热器能好
好吧。。中专生表示只能想到这么多了

tiny · 发表于 2012-5-7 17:19

本帖最后由 tiny 于 2012-5-7 17:44 编辑

“当忽略锡的导热系数的时候，2600K的核心面积就逆天了，它的“核心面积”，则可假象为整颗CPU那么大”，这段话是你帖子的基础论据，若核心的导热系数与硅脂相当，焊锡之后的面积不会增加散热接触面积，除非核心的导热系数远高于硅脂，则焊锡后，散热面积就增加了。若核心的导热系数不够高，那个什么焊锡增加散热面积都是扯蛋，开盖后直接散热肯定是最佳方式了。

对于 R大的结论：“过实测结果我们发现，Intel坑爹的硅脂并不是导致IVB温度高的直接原因，直接原因还是核心本身就发热大 ”，觉得不够严谨，核心发热大？有测试过核心的功率了吗，或者IVY核心的面功率密度比SNB的高多少？

有条件的可以试下开盖后，将核心与散热器之间用液态金属填充；若有改善，那可能就真是硅脂的原因了。

kinno · 发表于 2012-5-7 22:32

lz的意思就是有效散热接触面积导致的发热增加？
我赞同楼主的看法，但是没有实测来支撑
个人认为，intel有点想法，不想让ivb超太高，对高端冲击大

hiticeball · 发表于 2012-5-12 14:19

现在有数据了，个人认为这样测更合理
http://www.expreview.com/19496.html

zuinicai · 发表于 2012-5-12 22:30

大D来了发表于 2012-5-4 23:21
这篇文章看完了，回帖也大部分看了，我的知识水平是大学物理及格。
认为这篇文章有理。
就是标题给人的感觉 ...

PCwatch的测试说明了一切

硅脂的确是影响散热效能的本质原因，

超能网翻译了国外的这个测试，http://www.expreview.com/19496.html

zuinicai · 发表于 2012-5-12 22:39

tiny 发表于 2012-5-7 17:19
“当忽略锡的导热系数的时候，2600K的核心面积就逆天了，它的“核心面积”，则可假象为整颗CPU那么大”，这 ...

日本pcwatch论坛用液态金属做了测试，

在4.6GHz下满载降低了20度说明了问题

大D来了 · 发表于 2012-5-12 22:43

zuinicai 发表于 2012-5-12 22:30
PCwatch的测试说明了一切

我同意~

royalk · 发表于 2012-5-12 22:45

zuinicai 发表于 2012-5-12 22:39
日本pcwatch论坛用液态金属做了测试，

在4.6GHz下满载降低了20度说明了问题 ...

http://bbs.pceva.com.cn/thread-44947-1-1.html
回头我也会做这么个测试。

zuinicai · 发表于 2012-5-12 22:55

royalk 发表于 2012-5-4 13:50
楼主既然知道这些材料的导热系数，不妨自己用厚度换算一下热阻，然后看看这些热阻在100W发热功率下能造成多 ...

11区PCwatch的开盖测试20度的温差想必你看到了，

真心给你在全国范围内的一次大规模洗脑跪了

royalk你一开始建议我尝试用理论证明在百微米级别厚度能否有本质差距，

我这边本无须理会这个无厘头要求

不过看在你的没有功劳也有苦劳的测试上真心给跪了，真心花了时间为你为PCEVA的很多网友进行了计算

接着我通过理论证明了160W仅仅在160mm2的导热面积上影响严重，同时全面证明了你的测试及结论的不严谨性

你并没有接受这边的理论结果，

而是各种解释各种坚持实际情况与理论不同，可是你知道么，我的理论是尽量偏有利于你的结论进行的，而计算结果也说明了不靠谱

你的意思是实际情况不是我等没有实际开盖测试能力的屌丝能够明白的，然后坚持你的硅脂无影响论

事实证明，这边的结论正确，你的测试和结论很不严谨，

最重要的是当别人提出相左观点时候，你和石头一致反应是不去换位思考而只是为了维稳一个已经发表的，看似牢不可破其实漏洞百出的观点

纸是包不住火的道理想必你明白，当然你不是石头更多时候你更像一个玩家，而他的封杀策略和马甲策略才是最悲剧的