i7 3770k开顶盖测温是一个误导

shanshan709229 发表于 2012-5-4 22:52
478时期的顶盖除却尺寸在形状上跟AMD的U差不多  我见到的775看都是会在顶盖上留一个空儿  跟AMD的区别开 ...

AMD从K8到现在都是封胶留空的，没有变过

royalk 发表于 2012-5-4 23:03
AMD从K8到现在都是封胶留空的，没有变过

那看来不管是i家还是A家  都是封胶留空的  什么时候有闲置A家的U开一个看一下 现在还是先闪人去谷歌一下这是何道理..........

石头 发表于 2012-5-4 23:00
再说你说的数字问题。

明明实际数字根本不是你说的那种情况，而你先假设了那么多前提，因此最后结论也自 ...

我来eva是为了针对事的，相信你也是diy高玩

那请你分析下我的数据方向性吧，我的数据已经更倾向于不利于我的结论了，而计算结果仍能说明钎焊的优势

这篇文章看完了，回帖也大部分看了，我的知识水平是大学物理及格。
认为这篇文章有理。
就是标题给人的感觉太硬，用商量的语气，就好些。

大D来了 发表于 2012-5-4 23:21
这篇文章看完了，回帖也大部分看了，我的知识水平是大学物理及格。
认为这篇文章有理。
就是标题给人的感觉 ...

额，这个是我在隔壁发的贴，eva的也是那边朋友给转过来的，


题目的误会没有更正，当时回帖已经说明了误导一词实则加了引号的

zuinicai 发表于 2012-5-4 23:24
额，这个是我在隔壁发的贴，eva的也是那边朋友给转过来的，

你现在已经是幼儿园，应该可以用点评，在主楼点评下就好了嘛。

mcszjs 发表于 2012-5-4 23:59
你现在已经是幼儿园，应该可以用点评，在主楼点评下就好了嘛。

是的，thanks

楼主说的有理
1、从散热能力上来说，（1）裸核心+硅脂+散热器<（2）裸核心+钎焊+顶盖+硅脂+散热器<（3）裸核心+钎焊+散热器，而且2比较接近1，3的散热能力则比1、2强多了
2、这点散热能力的差异，相对于3770k的发热量来说，可能结果是没什么差异（毕竟楼主算的是1和3之间的散热能力差异，应该注意到2毕竟不是3，中间还隔了顶盖、硅脂这两层）
结论：楼主说的有理，r大的结论也没有错

如果想得到楼主理论上计算出来的散热能力，那么应当建议Intel直接把核心钎焊在散热器上，而不是钎焊在顶盖上

zuinicai 发表于 2012-5-4 23:24
额，这个是我在隔壁发的贴，eva的也是那边朋友给转过来的，

那你加上引号不就好了，墨迹了半天就是不改。
改一下会怀孕啊？

asas7896 发表于 2012-5-5 08:48
那你加上引号不就好了，墨迹了半天就是不改。
改一下会怀孕啊？  ...

既然作者也这样说，我本来也想改标题，但是这论坛貌似没有编辑选项  只有点评回复和补充，但我新发的这贴却能编辑

我想说，这个是个讨论帖，无论观点对错。

royalk 发表于 2012-5-4 14:02
还是那句话，既然你可以查证导热材料的厚度是百微米级别，请自行计算热阻然后看看在这个水平的发热量下温 ...

之前我也曾有过楼主那种想法....直到R大指教后,

而且反过来想,如果钎焊真能拯救世界的话.....
那些极限超频爱好者不是早该去盖然后把散热器直接钎焊到DIE上?
(单看SB和IVB的超温区别,一次硅脂换钎焊能降20度...那再少掉一次硅脂的转换不是能再降20度?)

硅脂也早该从跳出超频者的视线了.

个人有个想法
（某高中生想法，如果有错请各位大大见谅并多谢斧正）
假设所有热量的转移都是通过传导
设
die 传导系数为10u
硅脂为5u
纤焊为100u
盖子为100u
则有3种情况对比
第一种情况（R大测试）：
DIE→硅脂→热管               （导热10-5→5）
第二种情况（3770k原版）
DIE→硅脂→金属盖子→硅脂→热管    （导热10-5-5-5→5）
第三种情况（假象状况）
DIE→纤焊→金属盖子→硅脂→热管     （导热10-10-10-5→5）
总结下来木桶原理就是总归都要通过导热能力最小的硅脂。
并且面积相同
所以推出结论，这3种情况温度一样

diablozhao 发表于 2012-5-5 11:12
之前我也曾有过楼主那种想法....直到R大指教后,

而且反过来想,如果钎焊真能拯救世界的话.....

那也不是这么说的，其实看看金属导热贴和硅脂的测试即可
找一些内部是钎焊的CPU来测试下
虽然理论计算结果完全说得通，但实际情况并不是那样

血牛嘎嘎 发表于 2012-5-5 11:37
个人有个想法
（某高中生想法，如果有错请各位大大见谅并多谢斧正）
假设所有热量的转移都是通过传导

明白你的意思，但是热阻是会叠加的，也就是你透过的材料层数越多热阻就越大，加上结合不紧密的部分更加大

好帖！！

我有点感觉，那就是intel出动来灭火了
很多年后才知道p4和赛扬1.7,的时候铺天盖地的广告，隐藏了的intel的不可告人的目的
intel你坑爹了

royalk 发表于 2012-5-5 11:45
明白你的意思，但是热阻是会叠加的，也就是你透过的材料层数越多热阻就越大，加上结合不紧密的部分更加大 ...

按老总的意思就是温度
1＜2≈3咯

血牛嘎嘎 发表于 2012-5-5 15:30
按老总的意思就是温度
1＜2≈3咯

也不是那么简单，跟接触面积也有关系的
比如IHS顶盖就是导热暴强的铜，而且接触面积很大所以热阻几乎可以忽略

zuinicai 发表于 2012-5-4 17:21
事实证明大面积的间接，远好于小面积的直接

这话说全了是不是应该这样？

散热效果：
【die（小面积）+钎焊（直接）+顶盖】≈大面积  +   间接（硅脂+散热器）

>

die（小面积）+硅脂（看似直接实则间接）+散热器


虽说是大面积间接散热，可这大面积内部必须是直接。小面积直接其实是小面积间接。
如果这个小面积的直接和大面积内部直接是一样的话，那结果就应该反过来了。
除非intel的顶盖散热效果远超散热器底座。