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i7 3770k开顶盖测温是一个误导

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41#
aican 发表于 2012-5-4 19:46 | 只看该作者
讨论得太专业了,看不懂了。

   当然,标题要改下,严重误导人,在一个无法证实的情况下。为什么不能谦虚的把标题改成“对I7 3770K开盖测试的一点疑惑及个人见解”呢?
42#
zuinicai 发表于 2012-5-4 19:52 | 只看该作者
royalk 发表于 2012-5-4 19:28
你这个数据虽然有些夸张,但是意思我清楚。

在测试之前我就做过类似计算,并且我个人计算结果理论上和我 ...

钎焊热阻可以直接看做锡的67,毕竟在一个数量级之下不需要太纠结

第二点我觉得两次温度差距很小在实验之前是应该可以预计的,毕竟开盖之前是类硅核心+硅脂+顶盖,开盖之后是类硅核心+硅脂,硅脂普遍都差不多,不用奢求硅脂能带来惊喜。

我觉得实验验证的只是i家硅脂没有相比主流硅脂拖后腿,并不能说明是ivb发热严重

说实话我看了你的评测挺感兴趣的美中不足的使得我发帖的原因就在于最后的结论,你的核心发热大的结论,因为你并没有证明


至于硅脂的导热系数我觉得有点滑稽,号称10以上,我们导师提到过普遍的硅脂不到1,大于0.65就算合格硅脂,3W的硅脂就算优秀的工程硅脂


43#
royalk 发表于 2012-5-4 20:01 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 19:52
钎焊热阻可以直接看做锡的67,毕竟在一个数量级之下不需要太纠结

第二点我觉得两次温度差距很小在实验之 ...

钎焊除了锡还有助焊剂。

另外忘了和你说,以前有人开过Q6600的顶盖做了测温对比,发现也没太大区别。加上这次Intel改用硅脂而不用钎焊,我觉得应该是经过可行性论证的。
所以无论是钎焊还是硅脂,应该差距不大,所以才有了我结论的那段话。

IVB核心发热大我无法直接证明,因为微观发热的情况不能用宏观的导热系数来计算。但是IVB的die size和晶体管数以及热功耗相对SNB比较的情况,晶体管密度大幅度提高,同电压和频率下比SNB功耗没有减小,所以本身IVB发热比SNB大的推论应该没问题。

硅脂的导热系数到底有没有虚标,这个只有厂家清楚,但是现在5块钱的硅脂标注的导热系数都没有你说的3W/mK那么低,所以我觉得要不大家一起虚标吧。如果可以的话,你也可以找你的老师做个方案验证一下市售的硅脂参数到底有无虚标。
44#
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:05 | 只看该作者
石头 发表于 2012-5-4 19:34
好的硅脂是十几瓦的。。。。如果按照最差的3W算当然是这个结果。但如果按照十几瓦算呢?。。。。。其实就是 ...

其实要是咬数字眼的话那就没有意义了

开始我计算的时候也纠结过类似问题,当时算的是钎焊厚度是300um,结果得出钎焊的效能是硅脂的10倍,,,其实钎焊的厚度完全没有0.8mm



我的数据并没有说明要如何精确,只是反馈下r在上面某楼的硅脂和钎焊差别微不足道的论调


另,你真的相信硅脂能到10w,我学无机材料的表示鸭梨很大 。知道这个10w需要的不只是适量银而是适量金刚石了,至少我不相信这样容易获得
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zuinicai 发表于 2012-5-4 20:13 | 只看该作者
royalk 发表于 2012-5-4 20:01
钎焊除了锡还有助焊剂。

另外忘了和你说,以前有人开过Q6600的顶盖做了测温对比,发现也没太大区别。加 ...

Q6的核心面积以及当时的电压情况以及超频状态相较ivb变化很大,不同时期也不能这样直接比较


另外测定导热系数也是不现实的,毕竟研究混合物时温度和状态对结果影响颇大结果也是有争议的
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royalk 发表于 2012-5-4 20:17 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:13
Q6的核心面积以及当时的电压情况以及超频状态相较ivb变化很大,不同时期也不能这样直接比较


Q6600也是自身在同条件下对比,只是少去了钎焊层和IHS与直接的硅脂比较。当时那个人好像是超频到3.75G,热功率不会比现在的IVB小。

所以导热材料从理论上很难论证,只能通过开盖测试,回头有机会我找个导热金属贴再试试。如果按照你的说法,用了导热金属贴的温度应该有明显下降。

不过IVB的晶体管密度问题,我觉得确实会导致核心发热增加,这还是没考虑到TriGate的三个截面表面积的问题的情况下。
47#
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:27 | 只看该作者
royalk 发表于 2012-5-4 20:17
Q6600也是自身在同条件下对比,只是少去了钎焊层和IHS与直接的硅脂比较。当时那个人好像是超频到3.75G, ...

想要3770k加钎焊是可能性不大了,认识一个哈工大焊接系朋友告诉我在极端优势的条件下都很有难度

能做到的就是26K开盖测温,要是4.5GHz温度破百就能说明问题,不过我觉得钎焊还是容易伤核心的

另,3920XM这个U要是碰到雷一点的电压高一点的真的可以试试看和2920XM的对比,,可惜本吊丝无力了

ps其实很多硬件上的东西我个人是很佩服你的,没看我只是在我能说两句的地方吱个声么
48#
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:37 | 只看该作者
想象一下在尽可能的情况下利用钎焊把核心焊在D14的底座上

另一边是硅脂接触..

这就是26k和37k的区别
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royalk 发表于 2012-5-4 20:37 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:27
想要3770k加钎焊是可能性不大了,认识一个哈工大焊接系朋友告诉我在极端优势的条件下都很有难度

能做到 ...

intel本身承认了IVB超频后温度高,但并没有说是原因是什么,而且相对于Intel的火星科技来说,我们掌握的知识是有限的,无论做什么样的论证,都不可能100%全面,并且也不是从理论数据就能说明问题的。

一般来说Intel在大核心上才用钎焊,小核心多数用硅脂。所以历来的低端CPU稍微小一点的die都是硅脂。其实我认为找一个钎焊的C2D E8400和最接近它的E7xxx,对比一下温度也能说明问题,不过我现在没有775平台,不过从以往的数据来看并没有反映出E7比E8温度高很多的迹象,当然这也只是个不严谨的对比了。

读者有疑问是正常的,能共同解决问题当然是最好,我不会强迫大家100%接受我的观点,我也并不是100%正确,也不会压制大家的质疑。

另外翻到我N年前开的一颗赛扬D,似乎是很软的钎焊,并且钎焊材料非常厚,接近1毫米。强开后die无损坏,只可惜这颗CPU在开盖前已经是尸体了。

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50#
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:45 | 只看该作者
royalk 发表于 2012-5-4 20:37
intel本身承认了IVB超频后温度高,但并没有说是原因是什么,而且相对于Intel的火星科技来说,我们掌握的 ...

硅脂上菜羊等低功耗U还是无鸭梨的个人觉得

我觉得可能intel有意而为之,毕竟要是ivb个个都能超到5.5GHz那X79产品线不就乱了

另外22nm的工艺会不会对钎焊控制上很严苛
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石头 发表于 2012-5-4 20:48 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:05
其实要是咬数字眼的话那就没有意义了

开始我计算的时候也纠结过类似问题,当时算的是钎焊厚度 ...

如果你要求别人不跟你咬数字,那你就也别跟RK咬文嚼字。谢谢
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xieheuni1 发表于 2012-5-4 20:51 | 只看该作者
本帖最后由 xieheuni1 于 2012-5-4 20:53 编辑

自己还不明白就细琢磨,别咬文嚼字了
玩个电脑这么折腾也不嫌累。
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royalk 发表于 2012-5-4 20:53 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:45
硅脂上菜羊等低功耗U还是无鸭梨的个人觉得

我觉得可能intel有意而为之,毕竟要是ivb个个都能超到5.5GHz ...

prescott的赛扬D,TDP也有70多80W。不过这是很老的钎焊工艺,现在应该不会那么厚。

单从核心密度和功耗来说,IVB的发热量就不会比SNB小。我不觉得制程缩小了温度和功耗就一定会降低,那得看核心本身的设计,如果设计相似就得看电压和频率的情况。22nm钎焊是否很难我也不知道,反正IVB的die厚度比prescott和K8的都薄很多,至于65nm后面的是什么情况我也不知道。

至于液氮下IVB能超到6G以上,是因为IVB没有coldbug,温度可以轻易达到-150度以下,而SNB的coldbug一般在-40到-80度,而且面对低温,基本上是no scaling。风冷条件下,就算忽略温度问题,我认为IVB的超频能力也会跟SNB差不多。曾经见到一个3770K压缩机下1.48V 5.1G烧机的,满载温度10度以下。
54#
zxy356 发表于 2012-5-4 21:00 | 只看该作者
只是用理论来计算和推理就想推翻用实物验证的结果,标题太大了。支持41楼的回复!
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zuinicai 发表于 2012-5-4 21:06 | 只看该作者
石头 发表于 2012-5-4 20:48
如果你要求别人不跟你咬数字,那你就也别跟RK咬文嚼字。谢谢

合理一点就好,不客气
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frontwing 发表于 2012-5-4 21:13 | 只看该作者
本帖最后由 frontwing 于 2012-5-4 21:16 编辑
royalk 发表于 2012-5-4 19:28
你这个数据虽然有些夸张,但是意思我清楚。

在测试之前我就做过类似计算,并且我个人计算结果理论上和我 ...


采融那个标称值肯定有水分的吧。。。7783是5.5,7762的导热系数才达到6.0
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royalk 发表于 2012-5-4 21:17 | 只看该作者
frontwing 发表于 2012-5-4 21:13
采融那个标称值肯定有水分的吧。。。7783是5.5,7762的导热系数才达到6.0

应该有,不过实际是多少就不知道了
7783我不喜欢,太干了
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zuinicai 发表于 2012-5-4 21:18 | 只看该作者
royalk 发表于 2012-5-4 20:53
prescott的赛扬D,TDP也有70多80W。不过这是很老的钎焊工艺,现在应该不会那么厚。

单从核心密度和功耗 ...

2600k的钎焊材质一定是有独到之处的,一定不是单纯的锡的效能,而且厚度也可能接近于硅脂




核心更密集以及漏电问题还是不能直接证明发热更大,毕竟4.8GHz温度破百时候功耗并没有5GHz的2600k大,并且功耗更大的snb的温度完全可控制在80左右或一下

另,吐槽下硅脂并不是越湿越好,干燥的硅脂才适合CPU长期使用因为硅油会沉积影响效能这点注意下
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石头 发表于 2012-5-4 21:25 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 21:06
合理一点就好,不客气

关键就是不合理,所以你也不用客气,承认不合理没什么丢人的。
60#
royalk 发表于 2012-5-4 21:26 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 21:18
2600k的钎焊材质一定是有独到之处的,一定不是单纯的锡的效能,而且厚度也可能接近于硅脂

我感觉是32nm芯片的发热普遍比较小,用过Clarkdale和Westmere,都有这种感觉。45nm的Nehalem发热则较大,22nm也是。

硅脂油一开始应该是有的,后面蒸发掉了,所以就干了。干了之后里边会不会留下气孔阻碍散热呢,反正前面赛扬D那个钎焊中间是有不少气孔的。
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