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i7 3770k开顶盖测温是一个误导

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zuinicai 发表于 2012-5-4 13:49 | 只看该作者
zerozhong 发表于 2012-5-4 13:40
事实是 作者的立题就有哗众取宠的意味,没有相应的实验证明其假设正确。 ...

LZ就是小人物而已,不过R的不严谨却更显而易见
22#
royalk 发表于 2012-5-4 13:50 | 只看该作者
楼主既然知道这些材料的导热系数,不妨自己用厚度换算一下热阻,然后看看这些热阻在100W发热功率下能造成多大影响。

另外要搞清楚的是,发热的是die内的晶体管,而不是顶盖,无论你加多大的导热面积,热量总归也还是要通过die和die的表面硅晶体,我现在把这些多余的东西都拆掉了,你自己想想热阻是加大了还是减少了。

首先我做这个事情完全没必要误导大家,并且我也已经尽我力所能及去让测试结果准确。如果你还怀疑的话,欢迎自己开一颗来测试。友情提醒:SNB用热风枪把顶盖吹到大约200度就可以拆下来了。
23#
sapphirex 发表于 2012-5-4 13:51 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 13:46
知识都是相通的,LZ也没有说自己的新于别人,不过要是连很浅显公认的知识都无法运用,以至于不严密的结论 ...

补课去吧:http://bbs.pceva.com.cn/thread-43793-1-1.html
24#
Slaughter 发表于 2012-5-4 13:57 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 13:46
知识都是相通的,LZ也没有说自己的新于别人,不过要是连很浅显公认的知识都无法运用,以至于不严密的结论 ...

阅读能力真低。。。跟你没讨论的意义了,胡搅蛮缠而已。
老外的帖子自己看去,他实际测试出-60以下才没有漏电。
25#
zuinicai 发表于 2012-5-4 14:00 | 只看该作者
royalk 发表于 2012-5-4 13:50
楼主既然知道这些材料的导热系数,不妨自己用厚度换算一下热阻,然后看看这些热阻在100W发热功率下能造成多 ...

其实snb锡族焊料的厚度和硅脂厚度类似的,而硅脂并不是热的良导体,如果可以的话厚度是可以按100um计算的,并不能忽略影响


snb的总热阻的确可以看做焊料热阻加上顶盖热阻,发热的地方也正如r所讲的是类硅核心,不过钎焊的意图很明显,就是通过类似的材料和导热效能扩大发热源的表面积



26#
royalk 发表于 2012-5-4 14:02 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 14:00
其实snb锡族焊料的厚度和硅脂厚度类似的,而硅脂并不是热的良导体,如果可以的话厚度是可以按100um计算的 ...

还是那句话,既然你可以查证导热材料的厚度是百微米级别,请自行计算热阻然后看看在这个水平的发热量下温度能差几度。
27#
travis 发表于 2012-5-4 14:16 | 只看该作者
这文章缺乏最起码的每种材料的导热系数数据,不然即便是不太精确的数据,也可以做一个从die到散热器底部总热阻的粗略估算,就知道哪些是小量,哪些不是了。
28#
qqicu 发表于 2012-5-4 14:17 | 只看该作者
学习知识来的,理性讨论很重要。
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aaaaaa889 发表于 2012-5-4 16:43 | 只看该作者
本帖最后由 aaaaaa889 于 2012-5-4 16:45 编辑

我总结一下,现在的问题是不是:锡焊能不能比硅脂更有效的把die的热量传导到HIS上去,然后HIS能不能有效的把热量分布到一定的大于die的面积上去。上面的总结不知道对不对。
另外,我觉得毕竟不是每个人都有这个能力或者财力去开CPU的,难道因为能力或者财力,我们连一些想法都不能发表了吗?难道因为穷因为动手能力不足,连话都不能说了?我觉得这种态度不利于论坛的发展,弄得好像很小气一样,听不得不同意见,语气完全可以再平和一点哦。俗话说,真理越辩越明,真金不怕火炼。当然,LZ标题是说的太绝对了。
30#
zxy356 发表于 2012-5-4 16:56 | 只看该作者
楼主的意思是还是硅脂在影响导热,I家应该用锡焊来加大核心到顶盖的导热面积。是吗?

但楼主你有没有想到,理论上你再大的导热面积,有散热器底部来得直接吗?难道散热底部的导热面积/效能比顶盖差?
31#
zuinicai 发表于 2012-5-4 17:21 | 只看该作者
zxy356 发表于 2012-5-4 16:56
楼主的意思是还是硅脂在影响导热,I家应该用锡焊来加大核心到顶盖的导热面积。是吗?

但楼主你有没有想到 ...

事实证明大面积的间接,远好于小面积的直接
32#
zuinicai 发表于 2012-5-4 17:22 | 只看该作者
royalk 发表于 2012-5-4 14:02
还是那句话,既然你可以查证导热材料的厚度是百微米级别,请自行计算热阻然后看看在这个水平的发热量下温 ...

计算完了,一会上图
33#
zuinicai 发表于 2012-5-4 17:25 | 只看该作者
travis 发表于 2012-5-4 14:16
这文章缺乏最起码的每种材料的导热系数数据,不然即便是不太精确的数据,也可以做一个从die到散热器底部总 ...

这话比较中肯...


我这边精确数据达不到,但是为了突出主次的半精确数据还是能做到的

不过数据是最容易引起争议的,希望大家不要过于较真

34#
netwalker 发表于 2012-5-4 17:44 | 只看该作者
一颗石头激起千层浪,百家争鸣,我们对事不对人!和谐最重要
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wxxs7 发表于 2012-5-4 18:40 | 只看该作者
我也是这么认为的。
这个道理还是很简单的。
36#
joekoo 发表于 2012-5-4 18:43 | 只看该作者
我在等图片...
37#
zuinicai 发表于 2012-5-4 19:06 | 只看该作者
royalk 发表于 2012-5-4 13:50
楼主既然知道这些材料的导热系数,不妨自己用厚度换算一下热阻,然后看看这些热阻在100W发热功率下能造成多 ...

开始时觉得r的回帖有些固执,后来一想,确有些道理

钎焊相连的硅晶体和顶盖的确不能看做一个整体,毕竟锡的导热系数没BT到和铜一样,并且由于钎焊是很厚的,以至于无法可以在导热效能上秒掉很薄的硅脂

故通过搜集数据,又通过一些浅显的理论计算看看究竟在很小的面积上,很薄的硅脂是否是影响导热的决定性因素


应R的要求发一张带有数据的草纸

这里面的数据和结论并不能代表普遍现象,结果也不能反应实际温度,数据因人而异,这个计算旨在说明硅脂和钎焊在影响导热效能上是确有差别的,并且差别还是很可观的,也请大家不要咬住计算结果不放,这个正如t某说的,不要求定量精度试验,只是一个半定性半定量的测试而说明主次影响即可(当然,就算Intel加了钎焊的3770k也很难在4.8GHz只有36度,原因在于再强的散热器也不能把CPU外表面恒定为20度)


,图片可以放大看,这个是草纸我另抄了一遍工整的




仅仅利用了传热学基本公式

这里面假设3770k超频到4.8GHz功耗160W,TDP的英文全称是“Thermal Design Power”,中文直译是 ,散热设计功耗

热流量 q=160w /(160mm2·10-6)=1.0x10 6  W/m2,这个是很恐怖的,因为160W的功耗仅仅从160mm2的面积上导出,故在很小的面积上夹了一块相比钎焊则是“绝热"的硅脂实则严重影响导热

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zuinicai 发表于 2012-5-4 19:08 | 只看该作者
本帖最后由 zuinicai 于 2012-5-4 19:15 编辑

图片不太清晰,字写得也不是很工整

见谅
39#
royalk 发表于 2012-5-4 19:28 | 只看该作者
zuinicai 发表于 2012-5-4 19:06
开始时觉得r的回帖有些固执,后来一想,确有些道理

钎焊相连的硅晶体和顶盖的确不能看做一个整体,毕竟 ...

你这个数据虽然有些夸张,但是意思我清楚。

在测试之前我就做过类似计算,并且我个人计算结果理论上和我的测试结果确实也是不相符的。

但是:
1. 钎焊材料的导热系数无法确定。

2. 采融的硅脂号称导热系数10.2W/mK,Intel原装的硅脂导热系数不清楚。开盖前后测试温度结果接近,是否也可以认为Intel原装硅脂加上顶盖的热阻相当于采融硅脂的热阻,而顶盖是铜的,加上这么大的面积,热阻比钎焊材料和硅脂完全可忽略。所以Intel的硅脂热阻也不会比采融的高到哪里去,至少对温度的影响可忽略。

3. die本身的热阻会不会造成散热瓶颈,这部分无法直接通过宏观材料计算。因此IVB核心本身发热是否比SNB大,这点无法论证。
40#
石头 发表于 2012-5-4 19:34 | 只看该作者
好的硅脂是十几瓦的。。。。如果按照最差的3W算当然是这个结果。但如果按照十几瓦算呢?。。。。。其实就是3:50再考虑到厚度的1:4的差别,但如果是13:50呢?还是一样的……

而且硅脂的导热系数跟温度也有关系,温度高了硅脂会流动。。。那就不是单纯的热传导了,有热对流在里面

所以,intel很明白……
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