neeyuese 发表于 2013-6-26 19:58
看了下这个帖子,我这里再爆个我知道的内幕吧。
其实金士顿的V300封装的东芝颗粒是19nm Type B的,固件也 ...
感谢您的回复.
TOSHIBA的TYPE-B的NAND颗粒 原来是用于EMMC的
而EMMC的个人理解就是用于移动设备如手机,平板的字库或者叫 ROM的那颗 容量从8,16~64不等的IC
因为手机PCB有限,这颗NAND通常和手机的CPU封装在一起 做成BGA阵脚并且体积相对很小,
还从来没想过这东西和SSD里的"大家伙"原来内部是一样的.
看来确实电子行业对NAND的容量渴求早已经超过对性能的需求, 最新的桌面CPU也就是22NM,GPU 28NM,
而手机里的那颗也就只是28NM,32NM (记得用的最多的高通S4,S4 pro还是最不怎么地的28NM工艺)
和他同样封装在一起的EMMC却已经是19NM级了.
提到金士顿这个打磨大厂, V系列不清楚,
似乎它高端系列的HYPER-X HYPER-X 3K 看评测品是蛮够意思的,
用的是32NM的5000PE 和25nm的INTEL ME3的3000PE的颗粒
HYPER X 3K的价格也非常和谐 , (相较于为数不多的使用ME3级颗粒的SSD来说)
就是市场做的不怎么好, 用的人太少了.
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