前言
2011年11月，Intel发布了X79芯片组和LGA 2011接口的Sandy Bridge-E处理器，至今依然是民用级别顶级性能的代表。虽然在主流市场上，Intel早在一年半之前就已经发布了Ivy Bridge处理器，取代Sandy Bridge，但在高端市场上，Sandy Bridge-E延续了更长的时间。在22个月之后，2013年9月，Intel终于发布了Ivy Bridge-E处理器，取代Sandy Bridge-E，它更新到22nm制程，继续采用LGA 2011接口，现有的大多数X79主板通过升级BIOS就可以兼容新的Ivy Bridge-E处理器。
从Roadmap上，我们可以看到，相对于主流市场，高端市场的Sandy Bridge-E横跨了三代处理器。
从Sandy Bridge-E上市这近两年的时间来看，虽然它代表着效能的最高端，但却因为处理器和平台价格也高高在上，在国内市场普及率也自然不如主打主流市场的LGA 1155平台。但实际上，关注Sandy Bridge-E（以下简称SNB-E）的用户一点也不少，那么它的继任者Ivy Bridge-E（以下简称IVB-E）表现如何呢？下面我们一起来看。
Ivy Bridge-E处理器规格点评
和SNB-E一样，IVB-E处理器首发的型号只有三款，型号分别为Core i7-4960X、Core i7-4930K和Core i7-4820K，分别取代SNB-E首发的三款处理器。和上代产品一样，Core i7-4960X和Core i7-4930K是六核心处理器，Core i7-4820K是4核心处理器，它们都支持超线程。
来看看IVB-E处理器具体的规格表，和前代SNB-E处理器的对比。
三款新的IVB-E处理器制程更新到22nm，依然支持四通道DDR3内存，频率由DDR3-1600提升到1866，但仅在使用四条内存时可以跑在1866，使用8条时会降为1600，当然这仅限于不超频的情况。
IVB-E最顶级的型号为Core i7-4960X至尊版处理器，默认频率3.6GHz，比3960X提升了0.3GHz的工作频率，比3970X提升0.1GHz，最大TurboBoost比3960X提升了0.1GHz，跟3970X一样达到4GHz大关。核心数、缓存等周边规格则与3960X保持一样，6核心12线程，15MB的三级缓存，TDP也和3960X一样保持130W，售价与3960X上市时一样，接近1000美元。此外，i7-4960X是原生六核心设计，而i7-3960X实际上是8核心屏蔽而来。
Core i7-4930K作为另外一款6核心12线程处理器，售价比顶级的至尊版4960X砍去近一半，默认频率降低至3.4GHz，最大TurboBoost频率3.9GHz，三级缓存削减到12MB，其它部分和4960X几乎没有区别。因此在高端产品中，许多用户认为这款处于中间的六核心处理器性价比更高，所以3930K比3960X卖得更好，相信4930K也一样。
IVB-E最低规格的处理器是一颗四核心八线程的i7-4820K。相比前代SNB-E的i7-3820，它最大的提升是不再锁倍频了，和两颗六核心处理器一样最大倍频可调至63，这样相比i7-3820想超到4.5GHz要用125外频的情况，超频难度有所降低，并且依然可以使用125外频以实现更多的内存分频组合。但是，i7-4820K是由六核心屏蔽而来，而i7-3820是原生四核心，另外i7-4820K的定价也比i7-3820要涨了一些，达到310美元。
再看i7-4960X与前代i7的规格对比：
与3960X一样，4960X的命名“提后”了一代，虽然还是基于Ivy Bridge架构，但命名却到了4系列，和Haswell一样，千万别搞混了。另外，IVB-E核心面积为257平方毫米，相比SNB-E的435平方毫米大幅缩小，除了制程从32nm进步到22nm之外，还因为它是原生6核心设计，少了两个核心和对应的L3缓存，自然晶体管也少了一些。
Ivy Bridge-E处理器架构简析
首先我们引用一张Intel官方PPT来看一下核心照及核心各部分组件：
Ivy Bridge-E的核心整体被分为五个部分，最上边的是内存控制器，位于左右两侧各三个核心，中间是共享的15MB L3缓存，下边则是各种IO部分，包括PCIE、System Agent、QPI等。下面我们一个个看。
整体：IVB-E是原生六核心设计，晶体管数要比SNB-E的八核心屏蔽成六核心更少一些，为18.6亿，加上制程的进步，所以IVB-E的核心面积官方数据为257平方毫米，比SNB-E的435平方毫米小了许多，而核心整体设计结构并无太大变化。
内存控制器：IVB-E和SNB-E一样提供四通道256bit的内存控制器。设计方式还是两个128bit的内存控制器集合，所以X79主板的布线也是一边两个内存通道，部分主板采用一边四个内存插槽。IVB-E的内存控制器能支持的超频内存频率相比SNB-E大幅提升，一般SNB-E的内存控制器极限超频能力在DDR3-2500到DDR3-2700左右，而IVB-E则可以达到DDR3-4000的高度，频率上不输HSW，并且对单条8G内存的支持也比IVB更好。
PCIE控制器：IVB-E和SNB-E一样提供多达40条PCIE Lanes，但和SNB-E不同的是，这次IVB-E的PCIE 3.0规格是通过验证的，而SNB-E则没有，所以在部分设备上无法开启PCIE 3.0模式（比如NVIDIA Kepler显卡，不过可破解）。但目前NVIDIA最新的326.80驱动在IVB-E上也无法开启PCIE 3.0模式，但据说下一个版本就会开启。
和SNB-E一样，IVB-E的核心提供4个PCIE Port，其中第一个Port（下图Port 0）为4x PCIE 2.0带宽，和X79芯片组通过DMI总线直连，这4x带宽并未计入上边提到的40x总数。
Port 1提供一个可拆封成2个4x的8x PCIE 3.0带宽，Port 2和Port 3分别各提供4个4x带宽，总共就是40x。所以在X79主板上，组建4路显卡并联时可以走16+8+8+8的组合，主板设计可省去一组PCIE切换开关。
QPI控制器：QPI控制器在SNB-E和IVB-E桌面处理器和单路的Xeon E5-1000（V2）系列上是被屏蔽的，它被用来做多路Xeon处理器之间互相通讯总线，依据从低端到高端，QPI连接速度在6.4GT/s（25.6GB/s）到8.0GT/s（32GB/s）不等。
核心与缓存：IVB-E的核心与缓存结构和SNB-E、IVB区别都不是很大，依然是基于SNB架构，核心和缓存之间使用环形总线连接。说到核心和缓存，就不得不提Ivy Bridge发热量的问题，由于IVB处理器核心和顶盖之间采用硅脂导热，所以发热比SNB更大，但除此之外还有另外一个原因，那就是随着制程的减小，发热密度更大，也会导致处理器更热。那么在我们已经确定IVB-E和SNB-E一样是使用钎焊连接核心和顶盖的前提下，制程提升到22nm导致核心发热密度更大，导致核心发热更大的问题应该还是存在，但相对SNB和IVB的比较，应该不会相差那么悬殊。
三种不同的Ivy Bridge-E核心：本次IVB-E的服务器版本总共有三种不同die，其中最大的die设计了12个处理器核心，30MB的L3缓存，以及3条环形总线。不过桌面版只有第一种最小的die，所以六核心处理器是原生的，四核心处理器是由六核心屏蔽而来。
X79芯片组规格重述与目前主板厂商BIOS跟进程度
Intel X79芯片组在2011年底随Sandy Bridge-E一起发布，如今Ivy Bridge-E上继续使用。X79芯片组代号Patsburg，总体规格和P67芯片组相近，2个SATA3.0接口、4个SATA2.0接口、8条PCIE 2.0通道，无原生USB3.0接口。
X79芯片组的服务器版本C606则额外多出8个SAS 3Gbps接口，它们需要从CPU中取额外的4x PCIE Lanes来保证数据传输带宽。C606芯片组搭配Xeon处理器时可支持RECC内存和各种服务器特性，在使用Core i7处理器时，通过适当的BIOS调教，也同样可以实现超频功能，例如技嘉的X79S-UP5就是这么一款C606芯片组主板。
由于Intel在几天前刚把Ivy Bridge-E的最终版BIOS相关资料给到主板厂商手里，所以目前各主板厂商虽然有一部分主板可以支持IVB-E，能正常跑测试并且效能也正常，但相信都还不是最终的正式支持，各厂商在支持IVB-E的BIOS上仍然有改进空间。
按Intel的说法，目前各主板厂商，如华硕、技嘉、微星、华擎、精英、EVGA等X79主板，均已经可以支持IVB-E处理器。以下我从主板厂商官网处理器支持列表页面找到目前可支持IVB-E处理器的主板，截至9月12日。目前只有技嘉的X79主板尚未能全系列支持IVB-E处理器，同时Intel的原厂X79主板也不打算更新BIOS支持IVB-E。
注：标红色的是有计划推出但未上市的产品。
Ivy Bridge-E相关Xeon产品概述
IVB-E产品主要还是面向服务器市场，在Intel官方网站上查询发现，随着三款桌面级IVB-E发布的Xeon总共有27款产品，它们都属于Ivy Bridge-EP Xeon E5 V2系列。以下我把它们的规格列表做了一些精简，并列出来。
注：按Intel的产品规划路线图，规格更高的Ivy Bridge-EX即Xeon E7 V2系列将在今年四季度发布，它将有15个物理核心和30个逻辑线程，而同属Ivy Bridge-EP的Xeon E5-4600 V2系列和入门级Ivy Bridge-EN的Xeon E5-2400 V2系列将在明年1季度发布。
相比桌面级IVB-E，其对应的Xeon产品线则复杂得多，其中有五款E5-1600 V2系列的单路Xeon，没有QPI总线，剩下的都是双路的。最低端的E5-1607V2规格仅相当于Core i5，四核心没有超线程，当然L3缓存要比i5大。
27款产品中，核心数从4个到12个不等，只有2款最高阶E5-2695V2和E5-2697V2是完整规格的12核心24线程，加上E5-2650V2和E5-2640V2总共四款封装尺寸和其它型号不一样的，应该是使用了IVB-E 12C的Die，只不过后两者被屏蔽了1/3的规格。型号带L的为低功耗版本，它们的TDP通常不会超过70W，带W的只有E5-2687WV2一款，它的TDP达到150W。
Ivy Bridge-E处理器超频机制介绍
本次推出的三款IVB-E处理器都不锁倍频，所以大家可以直接通过超倍频的方式超CPU频率，当然也可以通过使用125、167外频等实现更多的内存频率组合。目前IVB-E正式版的步进为S1，超频能力大约和SNB-E的C2差不多，但得益于22nm和更少的晶体管数，同电压下功耗要更低一些。
主频：
以目前的情况来看，IVB-E超频高度不会比SNB-E高多少，大约还是可以接受4.5G的稳定使用范围，电压大约在1.3V左右，体质不好的CPU，可能电压会更高。风冷极限超频目前5G不好上，也有可能是BIOS优化还不是很到位。
外频：
IVB-E和SNB-E一样，直接超BCLK会联动PCIE频率，而且可超幅度有限，不建议长期使用。和SNB-E、HSW一样，IVB支持几个外频档位，分别为1.00、1.25、1.67、2.50，它们都可以在BCLK保持100MHz的前提下提升CPU外频。在主频相同的时候，超外频不会直接对性能产生影响，但可搭配不同的倍频、内存频率得到更多的频率组合。
内存：
IVB-E的内存控制器比SNB-E更好，可支持更高的内存频率，现在已有极限超频玩家把内存超到接近DDR3-4000的高度，说明IVB-E的内存控制器和HSW应该是一个级别的。但是，四通道超频难度会更大，对BIOS、主板的要求会比HSW高很多。
另外，IVB-E并没有像IVB那样给内存分频加入100MHz Reference Clock，所以内存分频和SNB-E一样还是266MHz一跳，即1333/1600/1866/2133/2400/2666/2933。不过我们发现在100外频下直接开2666以上的分频是点不亮的，希望是BIOS问题，但可以通过125外频来实现2000/2333/2666/3000这些频率。
电压：
和SNB-E一样，IVB-E超频需要调整的除了核心电压之外，有时候VCCIO（又叫VTT）、VCCSA（又叫VSA、System Agent Voltage）都要配合着调节。核心电压毫无疑问随着主频提升而提升，VTT电压则在超了主频的前提下，再超内存或者多路显卡并联时需要增加一些，VSA则是在超内存时需要增加一些。
例如，我这颗4960X超频到4.5G、内存超频到DDR3-2666需要的电压是：
核心电压：1.335V（默认1.15左右）
VTT：1.15V（默认1.05）
VSA：1V（默认0.9）
有些时候，在内存确保稳定、怎么增加核心电压对稳定性提升都无帮助时，你就得考虑是不是VTT或者VSA电压的问题了，过高或者过低都会影响稳定性。
CPU外观图一览
本次我们使用的是ES版的i7-4960X，步进同正式版一样为S1，产地哥斯达黎加，跟3960X对比，外观并无太大变化，封装尺寸52.5x45mm，顶盖尺寸38.5x38.1mm，不过顶盖上的字体变成了和IVB之后一样的粗体。另外PCB的颜色也比SNB-E更浅一些。
IVB-E背后的电容比SNB-E少一些，因为它是原生6核心，晶体管数更少。背面的LGA2011触点没有变化，两者完全是兼容的。
安装CPU的时候记得金三角对着Socket右上方。
本次评测主板：微星Big bang XPower II概览
本次评测我们继续使用微星Bigbang XPower II主板，它是微星X79系列的旗舰主板，采用XL-ATX板型设计，基于Intel X79芯片组，支持LGA 2011处理器，配备8条内存插槽，最大支持64GB的内存容量。
MSI Bigbang XPower II主板配备10个SATA接口，其中从左到右依次是两组第三方Asmedia ASM1061提供的SATA3.0接口、两组原生SATA2.0接口和一组原生SATA3.0接口。PCH散热片采用弹夹形态设计，金闪闪的光泽在这张几乎全黑的主板上亮瞎眼。
PCIE插槽：7条PCIE插槽全是16x的长度，其中第一条永远运行在16x，第七条永远运行在8x，第五条和第三条共享16x带宽，其它为1x的速度。
背部IO接口：一个PS2键鼠接口、6个USB2.0、4个USB3.0、一个1394接口，SPDIF同轴、光纤接口各一个，一个清CMOS按钮、两个RJ45网络接口和7.1声道音频接口。
Bigbang XPower II主板采用20+2+2相供电，其中核心供电为20相，VTT和VSA供电各2相。内存为两个独立的2相供电，每相供电均使用一颗Renesas R2J20655BNP DrMOS。
测试平台及BIOS设置
测试平台：
CPU：
Intel Core i7-4960X
Intel Core i7-4930K
Intel Core i7-3960X
主板：MSI Bigbang XPower II
内存：Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4Gx4
显卡：MSI N780 Lightning
硬盘：Plextor PX-256M5Pro
电源：Enermax Revolution 85+ 1050W
散热器：Corsair H100i
操作系统：Windows 8 Pro
CPU-Z识别平台相关信息：i7-4960X
CPU-Z识别平台相关信息：i7-4930K（未超频）
BIOS设置：从微星官方网站下载V2.3版本BIOS，可直接通过U盘刷新，刷新之后即可使用IVB-E处理器，新的BIOS还是Click BIOS II界面。
微星的BIOS默认是把Enhanced Turbo开启的，所以4960X上去就是所有核心同时跑单核最大睿频4GHz，会影响默认频率的测试结果，我们把它关闭，就可以按照Intel默认的Turbo Boost 2.0机制跑睿频。下面介绍超频到4.5GHz和DDR3-2400的设置：
CPU base Clock：CPU外频，一般默认100MHz即可，如果你想使用125外频，请把它直接调到125，下边的Strap可以不用管，设Auto会自动给你选1.25x的。
Adjust CPU Ratio：这里我们直接超倍频，所以倍频设45x。
Adjust CPU Ratio in OS：在系统中是否可调倍频，如不需要，可关闭。开启后CPU-Z显示的最大倍频会是63x。
Internal PLL Overvoltage：Internal PLL，在超比较高的CPU主频和内存频率的时候需要开启。
Enhanced Turbo：增强睿频，所有核心全跑单核最大睿频的倍频。例如4960X就是跑4.0GHz。
Legacy Tweaking：可增强3DMark01等程序的跑分。
OC Genie Function Control：OC Genie功能控制，可选择在BIOS中启用或者在板载按钮启用。
My OC Genie：可自定义OC Genie超频幅度。
Direct OC Button：板载超频按钮，可提高/降低倍频的那一组，不过目前似乎对IVB-E不起作用，开了也不生效，有可能是ME驱动版本没跟上。
DRAM Frequency：内存频率，这里我们选DDR3 2400MHz。
Extreme Memory Profile：XMP，如果你的内存是专门针对X79平台优化的XMP，也可以开启。
DRAM Timing Mode：内存时序调节方式，选择Link就是所有通道一起调节，选择Unlink就是每个通道单独调节，Auto则是根据内存的SPD设置。
Advanced DRAM Configuration：内存时序设置，待会再介绍。
Memory Fast Boost：在热启动时跳过内存自检，可开启。
供电及电压部分：
Vdroop Offset Control：防掉压设置，通过电压测量点测试我们发现75%是比较准的。
Digital Compensation Level：数字供电补偿，为加强供电能力可设为High。
CPU Core OCP Expander：CPU过电流保护控制，超频之后为了避免可能触发过电流保护，可设置为Enhanced。
CPU Core Engine Speed：CPU供电PWM频率设置，这里我们调高到1.5x以减小供电波纹。
CPU Core Voltage：CPU核心电压，这里我们超频到4.5G需要1.335V，每一颗CPU会有所不同。
System Agent Voltage：VSA电压，设为默认的0.9V就足够内存跑DDR3-2400了，而DDR3-2666则需要提升至1V。
CPU I/O Voltage：VCCIO电压，这里我们稍微加一点，到1.15V以保证CPU稳定。
CPU PLL Voltage：CPU PLL电压，一般风冷超频下不需要动，保持默认1.8V即可。
CPU Override Voltage：这个override电压作用还未知，设置值是0-255，应该是对应某个参数的二进制表，对CPU电压无直接影响，对稳定性似乎也没有太大影响。
DDR CH_A/B/C/D Voltage：内存电压，可分别设置主板两侧两个通道的电压，左侧为A/B，右侧为C/D。使用一样的内存的时候，可设置为相同的值。
CPU周边功能设置，超倍频后节能会自动关闭，在默认状态下，我们可以看到4960X的睿频机制，只有单核心能到4.0G，双核到六核依次为39、39、38、37、37x倍频。
Hynix CFR颗粒超频到DDR3-2400的参考时序，跟SNB-E区别不大。
第三时序应该还缺少一部分，但能设置的我们已经设到最紧了。
CPU理论计算性能测试数据汇总及分析
以下我们将对比默认设置下3960X、4930K、4960X的成绩，以及大家都超频到4.5G及DDR3-2400的同频对比。另外我们在测试中还会加入3770K、4770K的数据对比。
我们先看CPU部分整体测试数据汇总。
我们看到，在默认设置下，4960X得益于比3960X睿频单核心和六核心都提升0.1G的频率，取得了小幅度的领先，而4930K的单核心和六核心睿频与3960X都一样，在同架构下，提升并不明显。在超频到4.5G之后，两颗IVB-E处理器的AIDA64内存写入成绩不正常，是软件版本问题，相信后续软件会改善。相比SNB-E有提升的项目也基本集中在SuperPI、3DMark物理测试和渲染类上，和SNB到IVB、IVB到HSW的进步很相似。
我们再看4960X和4930K的比较，在WINRAR这样对缓存和内存极度敏感的测试中，4960X和3960X表现出比4930K更大的优势，其它测试则影响不大，4930K在和4960X同样超频到4.5G时大多数项目成绩仅差1%以内，所以4930K在大多数情况下，性价比是要高于4960X的。
相比3770K和4770K，4960X在多线程方面以核心优势完胜，单线程方面4960X基本和3770K持平，但要落后4770K。
CPU计算类测试结果及分析
下面我们把测试项目分类分析，首先看计算类，包括Super PI系列、3DMark系列物理测试与国际象棋。
Super PI 1M基本看核心及L1缓存，所以最先进的HSW架构4770K取得第一，3770K、4930K、4960X同属IVB架构，成绩基本在误差范围内，而SNB-E架构的3960X则要慢个0.2秒。
Super PI 32M则在核心、缓存的基础上，更加考验缓存与内存，内存延迟对成绩有比较大的影响。HSW架构还是由于更快的L1缓存而取得领先，3770K则因为我运行DDR3-2666内存，延迟更低而取得第二名，4930K、4960X基本处于同一水准，比3770K稍慢，但我觉得IVB-E的L3缓存更大，按理说应该至少不会比3770K差才对，可能是主板BIOS优化还不到位。
多线程方面，国际象棋由于算法比较旧，所以从Nehalem架构之后似乎都没有太大提升，只随着频率的提升而提升。所以3960X和4930K、4960X在同频时基本都处于同一水平，并且以多出50%线程的优势大幅领先3770K和4770K。
3DMark物理测试系列，4960X比4930K有大约4-5%的提升，4960X相比4930K并无太大区别，并且都以核心优势和3770K、4770K拉开很大的差距。其中3DMark Vantage的差距最大，3D11和FireStrike则小一些，后两者对内存效能更为敏感一些。
内存及缓存相关测试结果及分析
内存相关项目我们以AIDA64为主，但AIDA64目前还未能很好支持IVB-E处理器，表现为写入和延迟不正常（待确认）。但从读取和复制的情况来看，SNB-E在同频下和IVB-E差距不是很大。
在默认设置下，SNB-E和IVB-E平台都跑1333的四通道内存，超频后都跑2400 10-12-11-28四通道，IVB平台跑2666 11-13-12-28双通道，HSW平台跑2933 11-14-14-35双通道。
在默认设置下，IVB-E和SNB-E的内存效能都差不多，IVB-E稍微略有提升一些。超频之后，由于IVB和HSW平台tRDRD跑5，所以读取和复制并不是当前频率下的最佳成绩，而3960X在超频之后表现非常强劲，内存读取和写入都达到68000MB/s以上，如果超CPU主频还会提升更多。两颗IVB-E处理器的内存成绩除了写入不正常之外，读取和复制和SNB-E差不多，说明SNB-E和IVB-E的内存效能应该处于相同水平，并且同样都是提升主频就能提升更多。
L1缓存方面，频率和核心数直接影响最终成绩。只有HSW架构的缓存位宽翻倍，所以四核心4.5G成绩就达到了3770K的整整两倍，而4930K、4960X和3960X在同频下也因为多2个核心而比3770K提升50%。
再看Winrar 4.20 x64自带的benchmark，跟核心、缓存、内存都有关系。在默认状态下，4960X因频率优势小幅领先3960X，4930K由于L3缓存的容量差距，与3960X拉开较大差距。超频到4.5G之后，4960X和3960X基本处于同一水平，4930K继续因为L3缓存容量差距被拉开大约8%的差距，这是我们的测试中4930K和4960X差别最大的一个。而四核心的3770K与4770K则被拉开更大的差距，4770K因为内存跑在DDR3-2933而稍微领先3770K一些。
多媒体处理及渲染类测试结果及分析
渲染类测试我们选取Cinebench R10和R11.5来做测试，多媒体处理我们选择x264 FHD Benchmark转码测试，这些项目都是IVB相比SNB提升较多的，在IVB-E对比SNB-E上，情况也一样。
首先是Cinebench R10单线程，IVB-E在这里没有优势，HSW 4770K依然仗着架构优势一马当先，3770K、4960X和4930K这三个IVB架构的基本在8000分左右，3960X则落后一些。
再看多线程，这时候IVB-E和SNB-E借着核心数优势反超，但4770K依然表现强劲，可以小幅超过默频的4960X。在同频下，4960X和4930K领先3960X大约5.5%。
Cinebench R11.5多线程情况也类似，不过IVB-E在这里领先SNB-E的优势更小一些，大约在3.3%。
X264 FHD Benchmark测试，IVB-E依然仗着核心数领先，4930K和4960X同频下成绩差距并不大，并且都能拉开3960X大约7%的差距。
CPU满载功耗及稳定性测试
首先我们对比一下4960X和3960X在烧机时的最大12V输入功率。注意，这里3960X在核心电压1.35V时跑稳4.5G，4960X则用1.335V电压跑稳4.5G，不同的CPU可能会依核心体质、漏电情况和电压不同而导致功耗测量值不同。
首先4960X在烧机15分钟之后12V输入电流为16.4A，大约折合196.8W的功耗，这时候供电温度大约在45度左右。
再看3960X，在烧机15分钟之后12V输入电流为22.1A，折合大约265.2W的功耗，这时候供电温度大约在51度。
在室温26度、裸机的条件下，我们使用海盗船H100i水冷散热器，这颗4960X以核心电压1.335V、VTT电压1.15V、VSA电压0.9V通过4.5GHz稳定性测试，最高核心温度为73度，这个温度对于一颗六核心处理器来说可以接受，并没有出现IVB相比SNB那样温度提升非常多的情况，但在比SNB-E低了25%以上的功耗的前提下，还是比SNB-E要稍微热一些，看来钎焊确实帮助了散热改善，但核心发热密度变大还是让温度稍微升高了一些。而4930K则因为体质问题无法4.5G通过Prime 95烧机测试，但这只是个例。
来看一下待机、运行国际象棋和Prime 95烧机时的功耗对比，超频之后所有处理器节能关闭，所以待机功耗会提升不少，我们可以看到，在开启节能时，SNB-E和IVB-E的待机功耗都差不多，加上供电损耗基本测不出区别来。在关闭节能后，IVB-E的待机功耗比SNB-E有明显优势，直接少了30W。满载功耗方面，我们手上这颗3960X在默认频率烧机时已经几乎碰触到130W的TDP，加上供电损耗，12V输入功率读数已经达到142W，但Turbo Boost并未出现降频，而IVB-E则好不少，加上供电损耗还未到130W。超频之后，SNB-E和IVB-E的满载功耗都提升非常多，而且我们注意到，我们这颗4930K在默认时满载功耗是比4960X低的，而超频后使用同样的1.335V电压，功耗反而比4960X高，说明这颗CPU漏电情况比较严重，在电压相同时有更高的功耗，但两颗IVB-E处理器的满载功耗都得益于制程进步比SNB-E降低不少。
3D应用相关测试
接下来我们看一下IVB-E处理器对3D游戏的帧数影响。这里我们使用3960X和4770K对比4960X，并且测试4960X默认与超频状态下帧数的差异。
测试显卡使用MSI N780 Lightning，使用Forceware 326.80 beta驱动。
我们直接看测试结果：
在4960X默认状态下，由于节能开启，会对3D效能产生小幅度影响，在超频后，4960X的3D效能和3960X、4770K差不太多，基本都在1%的差距之内。当然了，我们选择的游戏都是大型3D游戏，有一些网络游戏，或是对CPU计算要求较高的游戏，可能还是能看出一点差距来。但真正支持6核心12线程的游戏恐怕很少。
我们看加权性能对比，以4960X默频为参照，在1920x1080分辨率下，3960X、4960X和4770K在超频之后分别都有3-4%的提升，而2560x1440分辨率下这个提升有缩小趋势。说明CPU频率主要影响帧生成时间，在帧数降低的时候，低帧数带来的卡顿感在用户体验上有变强的趋势，这时候帧生成时间的影响就相对较弱。反之，帧数很高的游戏中，每一帧持续的时间很短，帧生成时间在每一帧中所占的时间比率就会变长，就变得相对比较关键。
内存超频相关问题
前面说了，IVB-E目前由于BIOS问题，直接用100外频点2666分频是点不亮的，所以我们要用125外频来跑DDR3-2666。不过原本用的海盗船内存在跑DDR3-2666时无法通过自检（应该不是内存体质问题，在IVB/HSW上四根一起跑2666没问题的），所以我们换用四条宇瞻团购换货剩下的Hynix MFR颗粒内存来跑。
AIDA64内存测试成绩比DDR3-2400时有所提升，但写入速度依然不正常。当前最新版本的AIDA64 3.00.2594 beta也提示该版本的测试并未完全为该CPU优化。
在内存电压1.68V、VTT电压1.15V、VSA电压1.025V时，可通过HyperPI 32M 12匹马测试，Memtest由于时间关系未测。
相信如果有一套好内存，在BIOS优化到位的前提下，在IVB-E平台上跑四通道DDR3-3000不是问题。
如果使用8条内存组满64GB容量，高频就变得很考验主板电气性能，这时候我们只能上到DDR3-2000 CL9的频率，到DDR3-2133就无法进系统了。
之前我们做过SNB-E平台不同内存频率下的AIDA64读取测试，其实四通道内存在提升频率时还是有性能提升的，但和IVB/HSW不一样的是，在使用四通道时，提升CPU主频也会提升内存效能，因为四通道内存的带宽很大，在DDR3-1600时理论带宽就已经达到51.2GB/s，CPU内存控制器吞吐量本身已经构成瓶颈。
总结及选购导向
总的来看，IVB-E作为一个制程进步、架构没改变的新产品，它的推出主要是取代上代SNB-E，继续兼容LGA 2011接口，现有的X79主板大多数通过更新BIOS即可直接使用。IVB-E性能相比SNB-E并没有太大提升，而功耗却明显下降，这也是符合制程进步类CPU发展进步规律的，并且，毕竟SNB-E推出到现在近两年，多线程性能依然是处于顶级水平。
性能方面，IVB-E相比SNB-E同频部分项目提升3-7%的情况和IVB相比SNB很类似，而默认的4960X比3960X提升100MHz的频率，性能提升幅度也会更加多一些，4930K也比3930K默认频率提升100MHz，4820K则相比3820多了不锁倍频随意超频的功能。
功耗方面，根据我们的测试，IVB-E默认频率下满载功耗将比SNB-E低20%左右，超频之后功耗虽然大幅增加，但也会比SNB-E低20-30%，不仅如此，待机功耗在未开启节能的情况下可以低30W，对于同架构的CPU来说，仅更换新制程就能有这么大提升，我们认为这已经是比较好的表现了。
从超频能力上看，IVB-E的超频能力略让我们失望。我们手上这颗4960X以1.335V电压稳定在4.5GHz，和3960X普通体质相比并没有什么改变，不像IVB相比SNB那样几乎可以低0.1V电压超频到同一频率，并且直接拉倍频到5GHz无法进入系统，4.9GHz可以进系统但不能跑测试。而3960X只要体质不是太差、再加上一张供电系统良好的主板，超上5G应该不是什么难事。不过令人欣慰的是，IVB-E由于使用了钎焊工艺，并且是原生六核心，发热量并没有比SNB-E增加太多，但在功耗低了25%的情况下，满载温度也比SNB-E高几度。所以如果正式版或者后期的IVB-E体质转好，还是可以期待它的超频能力的。
极限超频方面，Intel的22nm工艺可以在更低温度工作，不像32nm很容易碰到coldbug，所以目前已经有不少极限超频玩家把IVB-E处理器超上6GHz以上，在同频效能比SNB-E更高的3DMark物理测试中，IVB-E能以更高的频率跑3DMark，无疑可以让这些世界纪录再一次被刷新。
IVB-E的发布对现有平台的影响：
对SNB-E用户的影响：IVB-E是取代SNB-E的，由于性能并无明显提升，功耗下降不少，如果原有SNB-E平台用户不是很在乎功耗，可不必升级；如果你可以把现在的CPU卖掉不加太多钱换IVB-E，可考虑升级，但请记得升级前务必更新BIOS。
对HSW/IVB平台的影响：由于HSW架构的先进性，同频率下IVB-E单线程能力稍微弱于HSW一些，但多线程会凭借核心数优势反超，如果你是需要多线程工作的用户，在预算许可的前提下可优先考虑IVB-E。而IVB平台单线程性能与IVB-E相当，但超频能力可能会比IVB-E更强，所以选择哪个，恐怕就是预算决定了。
对AMD平台的影响：AMD APU及FX系列处理器现在由于CPU部分性能和Intel拉开很大距离，所以不会对IVB-E构成威胁，基本上处于完全不同的两种定位级别，适合低成本用户。但是使用FX处理器做多线程工作的用户，IVB-E的多线程能力还是会比FX强不少的，但你付出的投资代价可能远远比性能提升多好多倍。
所以，IVB-E对于不同用户的选择取向其实很简单，用得着多线程，预算足，就上，如果只是一般日常办公娱乐使用，就没必要花那么大价钱投资这个顶级平台了。
PCEVA综合评价：新一代旗舰，工艺提升功耗下降。
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