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Intel的10nm预计上市时间为17年底，但最新消息称可能跳票到18年，但无论如何其都将仅先用于移动端，挤牙膏的呼声此起彼伏，但实际上intel为桌面端准备了性能更强的14nm++。更强？震惊？请紧张地往下看。 从上图的对比中可以看到，14nm++在性能提升上比10nm更强，放到实际场景中这个性能差距会被放大，因为在桌面端热密度和总体热量更高，漏电问题更严峻，密度大的工艺（10nm）的性能劣势会进一步放大。什么？14nm比10nm强？没错，纳米工艺并不总是密度大的工艺占优，特别是进入45nm以后，性能、密度、成本不可兼得的情况愈演愈烈。
如上图，第一代intel 14nm虽然说密度接近于台积电、三星的10nm，但性能上并没有与16/14拉开大的差距（图中14疑似指的是ibm的14），这也是为什么intel通常只是反驳台积电三星的密度耍花招，但并不常对比性能，而第二代14+管线增大、鱼鳍增高、密度减小，成品kabylake超频一骑绝尘，而第三代14nm++的线宽增大，其密度与三星的14nm lpe相近，性能进一步增强。三代intel 14nm呈现密度越小，性能越强的趋势。 那为何还要进军10nm呢，这是一个复杂的问题，我们可以通过14nm lpe的7420与16nm+的950芯片的功耗测试来获得答案，如下图， 首先先把950所谓的target曲线pass掉，那是ppt上吹的并没实现，看实际曲线，我们可以发现在性能较低的情况下7420里无论是A57还是A53功耗比都具优势，但随着性能增强，950开始渐渐占上风，最终在“分叉口”战胜7420，没错，16nm+并不在所有情况下都比14nm lpe更强，三星自家密度更小的14nmlpp也是一样，这还是在A57 VS A72的情况下。我们再回到开头的第一幅图，你会发现，性能提升量上10比14++少1%，但在功耗下降量上10nm反倒比14++多3%，这就是高密度工艺的作用，为低功耗而生。Intel的第一代10nm工艺实际上也是如此，移动端芯片处于10nm的“分叉口”以下，而桌面端则处于10nm的“分叉口”之上，尤其此时再考虑到10nm的热密度（理论面积砍半）、短沟道效应、栅极缩水等其他副作用，“分叉口”就更为明显。。。。 密度大败北也不是什么新闻，密度大的intel 90nm败北130nm，台积电20nm全方位败北三星20nm，密度大的28nmhpc/hpc+高性能不如28hpm，16ffc也是一样属于16ff+的低功耗成本优化版，所谓的12nm就是原16ffc+，基底是ffc，仅仅是16ff+的低功耗另一变种，你可以将其看作台积电的16nmlpe。 那为何32/28进化到16/14有全方位的提升呢，原因在于finfet的加入，其主要为导通和漏电控制做出了巨大的贡献，与45时加入的hkmg一样是工艺的关键性技术，有关键技术加持的工艺才有可能拥有全方位的提升（发热不是finfet带来的，是密度微缩自己的副作用，finfet也就是3D晶体管技术大幅减缓了密度微缩的副作用），而现阶段的工艺都仅仅是finfet的小改款，主要是在鱼鳍高度上提供技术增强，关键技术上并无实质进化，因此密度变化不过是在功耗、性能、成本之间做出不同妥协的产物，如台积电的12/10nm，三星的10nm都是低功耗指向的工艺，如同7420与950对比中的7420，这也是这类工艺没有高性能芯片厂商跟进的原因，如AMD的下代zen依旧维持在三星/GF14nm基础上优化，如果换用了10nm，3.5ghz都上不了也是有可能发生的。 intel 10nm可能引入了gateall around技术，这个技术简单来说是finfet的环绕改进型，业界有看好和不看好两种声音，因为它并不像hkmg和finfet为全新技术，能否承受进一步翻倍的密度存在疑问，但就原理上说它比现阶段加高鱼鳍带来的提升还是大很多。当然不排除其他新材料新技术的引入，如果10nm并未带来新的栅极技术，那到时候就真的可以喊一句intel挤牙膏了（按intel的步调是隔代带来新技术，45的hkmg，22的finfet）。
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精度玩不上去。就开始换个概念玩。。
