PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识
打印 上一主题 下一主题
开启左侧

Haswell的整合供电系统前瞻

[复制链接]
跳转到指定楼层
#
royalk 发表于 2013-5-9 09:57 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
点击数:29512|回复数:62
我们知道Haswell(以下简称HSW)的一个重大改变就是整合供电系统(Integrated Voltage Regulator,简称IVR)。这个IVR到底是个什么东西,它是如何实现的,又能给新处理器带来哪些影响?下面我们详细展开谈谈我对这些问题的个人见解。

什么是整合供电系统(IVR)

传统的CPU供电是做在主板上的,也就是大家经常关注主板评测里都会有的内容——“某主板采用几相供电”之类的话。现代主板采用的供电系统是开关供电,其主要目的就是把由电源输入的12V电压转变成CPU所需要的1V多的低电压,同时结合PWM控制器和BIOS,允许用户对CPU电压进行一定范围内的调整。下图就是一个当代主板上CPU供电系统的典型设计:


然而,随着CPU整合的功能越来越多、CPU制造工艺的提升,CPU工作电压就会越来越低,在同样功耗下电流越来越大,并且CPU的各个部分需要的电压也不同。对主板而言,供电系统是越来越复杂的,这无形中就增加了主板的设计成本。于是在近几年,我们看到主板厂商把主板的供电相数越做越多,并且还出现了类似上图的6+2+1相多重分离式供电。

相关阅读:
还在数电感?凹凸曼了!板卡供电分析之主板篇
Intel常见超频主板的供电设计与用料一览表

到了Haswell架构,Intel意识到了这个问题,并给出了解决方案,那就是整合供电系统。现在,CPU的供电分为两层,第一层是宏观的,依然存在于主板上,可视为与传统供电类似的把电源12V输入供电转化为CPU所需的1V多的电压;第二层供电就是整合供电系统IVR,是微观的,存在于CPU内部,把主板输入进来的1V多电压进行分离、变压,从而得到CPU内部各部分所需电压。


以下我们就详细说说这第二层IVR。由上图可见,12V通过主板第一层供电降压之后的电压叫做Vccin,它的默认电压为1.8V,同时它将作为IVR的输入电压(相对于主板供电而言12V为输入电压),通过IVR转换电压之后,得到Core(核心)、Ring(环形总线)、pGfx(核显)、IOA/IOD(PCIE和DMI控制器)、SA(系统助手)这几个部分的电压。

整合供电系统的结构

传统的开关供电结构我们已有介绍过(如想了解请点此),大致是由PWM芯片、Driver、MOSFET、电感和电容这些元件组成。但到了微观的晶体管世界,这些元件的实体就不可能存在了,但它们的功能是可以通过一些特殊的晶体管设计来模拟实现的(例如在内存中就使用两个对置的反相器实现了电容储存电荷的功能)。Intel把这些微观的、能实现供电系统功能的晶体管集群称为Power Cell。


从Intel的资料中,我们看到每个Power Cell的PWM频率可达30M-140MHz,是现在开关供电PWM频率几百KHz的几十到数百倍;每个Power Cell包含16个供电相位,可在发热量理想的状态下提供25A的供电能力;每个Power Cell占用一个1.8mm*1.6mm=2.88平方毫米的核心面积。现在,Intel在展示的IVR模块里集成了20个这样的Power Cell,也就是这个IVR会占掉大约60平方毫米的核心面积,提供320相供电,超过400A的供电能力。当然了,这是Intel在2010年展示的东西,当时还没有22nm的制程,还没有如此纯熟的IVR设计,至于在HSW CPU里的情况如何,是否集成了更大规模的IVR供电,我们还不得而知。

总之,我们可以从上图知道,Intel设计的IVR供电,其本质还是开关供电,工作方式和传统的开关供电并没有什么太大区别,但由于结合了晶体管的特性,IVR要比传统的开关供电结构占用更小的面积、单位面积提供强的供电能力、更高的转换效率和更低的波纹,以迎合未来的整合平台趋势。

整合供电设计会给Haswell平台带来哪些影响?

1. 对主板厂商而言,节约供电设计成本和空间

现在IVR把分离式供电和CPU所需求的各部分不同电压接管了,那么我们看到的第一层供电,即主板上的供电,将又会变回LGA 775时代以前的非分离式供电,这样对主板厂商而言,设计成本就降低了。按理想状态计算,以1.8V的Vccin来计算的话,要满足HSW的84W TDP,则只需要46.7A电流,那么两相供电就已经足够,如果要提高Vccin电压,将可以降低主板供电的压力(同样瓦数下电流减小),但会增加CPU内部IVR的发热量。我们在HSW主板上,将最少看到4相供电,而Z87主板一般至少设计6相以上的供电,对超频HSW处理器而言是足够的,高端主板,将会有8相供电,超过8相以上可以说就是过剩的,没太大意义了。

2. 对处理器而言,IVR可带来更精准的电压控制

前边提到,IVR有数百倍于当今开关供电的高PWM频率,那对于供电响应速度、电压波纹等都是有很大的好处的,而传统供电一味提高PWM频率会遇到MOSFET发热量变大的瓶颈,在晶体管世界,100多MHz的开关频率不会成为晶体管开关速度的瓶颈。因此,IVR可对处理器供电进行更为精准的控制,同时另外一方面,主板供电用料的作用就会被削弱。

3. IVR在低负载时可更加节能

有了IVR之后,CPU可直接控制各部分需要的电压,在待机时CPU进入C状态,一部分电路被关闭,同时对应的供电也被关闭。HSW加入了C7状态休眠,据说可在进入C7状态时候让电源12V输入只有0.05A的电流,也就是说,即使算上供电转换损耗,CPU的待机功耗也将少到0.6W,这比Ivy Bridge桌面CPU实测2-3W的最低待机功耗是一个巨大的进步,对移动平台意义更大。但这也造成一个问题,就是目前市面上的电源不一定支持这么低电流输出,所以可能会触发断电等现象,因此C7状态能否使用,大家需要注意自己的电源是否支持12V2的低负载输出,Intel也会在官方更新支持列表(点此查看),大家需要筛选倒数第三项,12V2 Min-load为YES。

4. IVR会增加CPU内部发热

凡是能源转换必定不可能达到100%的效率,IVR也一样,从Intel之前的消息来看,IVR的转换率虽然可以达到80%以上,但剩下这部分损耗都将以发热的形式呈现,这无形中对本来发热量就集中的22nm工艺,以及顶盖核心之间使用硅脂导热的设计而言更是雪上加霜。因此,未来我们在超频的时候,也许除了看CPU核心的温度,IVR的发热量也要作为考虑的问题之一了。并且,IVR的转换率能否提高,本质上还得看Intel的设计,我们能做的也就是调整PWM频率和Vccin来提高IVR供电转换率了。所以,HSW处理器对应IVB同规格的型号TDP都有所提升,跟这个IVR关系密不可分。

总结

总的来说,Intel在HSW架构中加入了整合供电系统,是对未来整合系统趋势的进一步发展。对超频用户而言,会对处理器带来一些不大不小的影响,好的坏的都有;对移动平台用户而言,C7状态的加入,将使得平台的续航时间进一步延长;对主板厂商而言,他们改变了供电的设计方式和作用,对主板布线的难度可以降低,意味着未来制造小型化的主板将变得更为容易。所以,我们在HSW这个架构年虽然不会看到处理器大幅度的性能提升,但如果我们从别的角度看看,这个架构年还是有技术革新的,整合供电系统带来的意义及影响就是很重要的一部分。这次先说这么多,过几天随着8系列主板曝光信息越来越多,我们再来谈谈从8系列主板厂商设计思路改变,看DIY行业的未来发展之路。

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x

评分

参与人数 1活跃度 +5 收起 理由
左下角 + 5 以后cpu将运算,显示,存储全包了,主板就.

查看全部评分

62#
royalk  楼主| 发表于 2015-6-4 23:29 | 只看该作者
Luisds 发表于 2015-6-4 10:10
哦哦,懂了,找老的文章就可以了是吧

元件变了 沿用的只是分离式供电
61#
Luisds 发表于 2015-6-4 10:10 | 只看该作者
royalk 发表于 2015-6-3 22:12
就是又回到7系列时代了

哦哦,懂了,找老的文章就可以了是吧
60#
royalk  楼主| 发表于 2015-6-3 22:12 | 只看该作者
Luisds 发表于 2015-6-3 18:43
求LZ科普一下新的SKYLAKE的供电吧,感觉又回到了老的7系列时代了

就是又回到7系列时代了
59#
Luisds 发表于 2015-6-3 18:43 | 只看该作者
求LZ科普一下新的SKYLAKE的供电吧,感觉又回到了老的7系列时代了
58#
qq358413684 发表于 2013-5-13 01:34 | 只看该作者
以后intel全包了 一个cpu直接连鼠标键盘 显示器搞定了
57#
michelelee 发表于 2013-5-12 21:44 | 只看该作者
HSW出来以后功耗和主板的小型化肯定有明显进步,准备入一个HSW的ITX,以后转型小钢炮了。看来我的M5F还是有收藏意义的,以后越来越少看到主板上多相供电和夸张的散热管了。
56#
778856 发表于 2013-5-12 02:29 | 只看该作者
总觉得 新技术出了的观望一下在上
55#
天使在人间 发表于 2013-5-12 01:24 | 只看该作者
对主板厂商而言,他们改变了供电的设计方式和作用,对主板布线的难度可以降低,意味着未来制造小型化的主板将变得更为容易。是暗示8系itx主板终于要改变坑爹的cpu位置了吗?
54#
沉默的海龟 发表于 2013-5-11 18:25 | 只看该作者
以后主板维修的难度更低了
53#
sukidayo35 发表于 2013-5-11 18:01 | 只看该作者
允许转帖么?
52#
wsy2220 发表于 2013-5-11 15:35 | 只看该作者
echo_my 发表于 2013-5-11 12:51
这种无开关变压器类变换器 理论上是Vin和Vou压差越小效率越高

这个和宽幅电源110V转换效率低于220V不同 ...

可是PPT里表示是开关电源啊
51#
echo_my 发表于 2013-5-11 12:51 | 只看该作者
wsy2220 发表于 2013-5-9 14:05
理论上应该是降低的,比如电源在220V下损耗比110v小

这种无开关变压器类变换器 理论上是Vin和Vou压差越小效率越高

这个和宽幅电源110V转换效率低于220V不同的
50#
techneek 发表于 2013-5-11 07:05 | 只看该作者
以后超频的概念要变了,以前要生电压,现在是不是需要降电压了(以提高TDP余量)
49#
贱狗在飞啊 发表于 2013-5-10 21:40 | 只看该作者
前來學習了,謝謝R大~
48#
hegele 发表于 2013-5-10 19:25 | 只看该作者
这个看起来不值得更新啊。我的硬件又可以再战两年了。
47#
royalk  楼主| 发表于 2013-5-10 18:09 | 只看该作者
sohueasy 发表于 2013-5-10 18:02
线性降压不现实,CPU那么点地方要热爆了的
但是intel又说是mini VR,所以可能是他们没细说是什么玩意吧, ...

不是的,结构应该还是和我顶楼说的那些大同小异,vcore也要通过第二重开关供电变压后得到,不会直接等于VCCIN的
46#
kaikaipro 发表于 2013-5-10 18:08 | 只看该作者
感觉现在的电子之路都一样了,DIY实际上日渐萎缩,都成为傻瓜式的模块化、一体化设计。
方便的是普通消费者、终端用户。
牺牲的是DIY爱好者。
45#
sohueasy 发表于 2013-5-10 18:02 | 只看该作者
royalk 发表于 2013-5-10 17:53
嗯,主板有6-8相都足够了的
IVR这边大电流的时候应该还是用开关供电,如果用线性降压的话,发热会很大, ...

线性降压不现实,CPU那么点地方要热爆了的
但是intel又说是mini VR,所以可能是他们没细说是什么玩意吧,相信解禁以后会有一些资料的

说不定是VCCIN = Vcore
然后Ring、pGfx、IOA/IOD和SA走线性降压
但是pGfx的功耗也不小啊,按照现在14,5瓦的样子,电流要10A+,热量也不小呢。

补充:但是Vcore=1.8也不科学……谁知道呢。
44#
royalk  楼主| 发表于 2013-5-10 17:53 | 只看该作者
sohueasy 发表于 2013-5-10 17:50
VCCIN这边,我觉得主板本身供电的压力并不大

按照intel的说法,Power cell = mini VR,那么是通过可变电 ...

嗯,主板有6-8相都足够了的
IVR这边大电流的时候应该还是用开关供电,如果用线性降压的话,发热会很大,几十A甚至上百A的电流通过可变电阻瞬间就爆了。。
不过不排除VTT这些小电流的地方会用线性降压,但主要应该关注发热大的部分,还是核心与核显供电了。
43#
sohueasy 发表于 2013-5-10 17:50 | 只看该作者
royalk 发表于 2013-5-10 17:31
提升VCCIN的话,主板供电电流会减小,反之电流会加大,这电流差距会造成主板供电的负载变化
然后VCCIN作 ...

VCCIN这边,我觉得主板本身供电的压力并不大

按照intel的说法,Power cell = mini VR,那么是通过可变电阻来实现降压的

假设IVR电压是恒定的,那电压差越大,需要的可变电阻(或者说可变电阻调节的幅度)就越大,反倒是更容易产生损耗和热量。

所以合适的情况应该是

VCCIN ≈ VCore(或者是其他耗电量最大的部分)
其他的IVR来根据需求调节
这样损耗应该最小。

以上仅为我的猜想……
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

快速回复 返回顶部