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Intel常见超频主板的供电设计与用料一览表

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royalk 发表于 2012-8-18 16:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:20647|回复数:126
很多人数错供电相数,其实很大一部分原因是他们没能把握各平台的供电特性。例如Z77主板肯定会有CPU核心、核显、VTT(VCCIO)三路供电,因此会出现类似4(核心)+1(核显)+1(VCCIO)相这种分离式供电的说法。其中核心的4相尤为重要,因为它们负载最大,而核显在不使用的时候几乎是没有电流通过的,所以核显的供电在这种情况下会成为摆设,不能计入供电相数总数中。例如P8Z77-V就有4相核显供电,在使用独显的时候它们都会变成摆设。因此数SNB/IVB的供电,不能笼统的把电感数加起来是多少个,就是多少相供电。

当然了,相数多的主板也不一定都好,相数少的主板也不一定都不好,具体还得看它们的元件使用及设计情况,这又是另外一个复杂的话题,本篇先不讨论。想知道如何数供电,可参考这篇:http://bbs.pceva.com.cn/thread-29667-1-1.html

这里我根据sin0822提供的资料,进行了核对并修正,并根据国内用户的主板使用情况补充了几张主板的相关内容,整理出部分主板的供电设计及用料的资料。如果大家想进一步了解各元件参数,可以直接google元件型号(百度一般是搜不到的,全是供求信息广告),或者直接到元件厂商的网站上查找,大部分元件都会有PDF,也可以查阅论坛的元件资料库

还想多说一句,Intel平台H61/B75/H77这类主板,我就不整理了,反正不能超频,基本上只要不是自己乱加压,什么CPU都可以安全使用;而AMD平台低端主板3+1相供电的主板,上推土机或者开六核超频者请自重,别的CPU做好供电散热,只要不是大超,则问题不大。

在看表格之前,我先对表格中出现的一些名词做个简单的解释。我也不是学电子电路相关专业的,以下内容均为我个人的业余理解,但希望能借此让大家明白一些原理。

PWM芯片:开关电源的主控制芯片,相当于在一个公司中的顶头上司,专门给人发号施令。PWM芯片主要参考两个指标,一是PWM相数,二是PWM频率。

a,PWM相数:PWM信号的相数,跟供电的设计相数密切相关。当然也不是有多少相就必须用多少相的,下面统计的主板中就有很多是这种情况,表格中括号内的数字,就是该主板实际使用的PWM相数。但也不是PWM有多少相就一定是多少相供电的,因为有些主板有倍相的设计。

b,PWM频率:PWM频率越高,MOSFET开关速度就越快,使得MOSFET对负载变化时的响应速度加快,但是会让MOSFET和电感的发热也变大。不仅如此,更高的PWM频率对驱动芯片控制的精确度也是高要求,精确度不高会导致负载平衡做不好,烧MOSFET的可能就会变大。所以,在非极限超频负载变化巨大、要求MOSFET高响应速度的条件下,PWM频率不是越高越好。对于这个指标,我的观点是,PWM频率跟电压一样,在稳定不影响超频的前提下尽可能低至300-400KHz左右,而不像某些厂商宣传的“我的主板使用数字供电,支持1MHZ以上的PWM频率”之类。

驱动/倍相芯片:公司中所有的打工仔,领导让你干什么,你就得干什么。
1. PWM信号输出之后,由驱动芯片(driver)接收并控制MOSFET的开关动作。
2. 有些驱动芯片集成了倍相器的功能,例如IR3598,可以接收两路PWM信号同时驱动两相供电,也可以接收一路PWM信号,通过把半个周期的波形反相的形式实现PWM频率减半的倍相。
3. 有些PWM芯片内置驱动芯片,这样比较能节省成本和布线空间,但这样由于负载平衡不好控制,一般相数做不高。所以通常高端主板都采用独立的外置驱动芯片,而在低成本的主板上则大多使用内置驱动的PWM芯片,不使用外置驱动芯片。
4. DrMOS是一种高集成度的元件,在MOSFET中内置驱动芯片,Driver+MOSFET,因此而得名。
5. 倍相芯片也有单独存在的,比如技嘉6系主板上使用的ISL6617,DrMOS已经内置了驱动芯片,而倍相芯片就不带驱动功能了,单独被使用。

MOSFET:由打工仔操纵的闸门,开门就放水,关门就不放水。MOSFET主要参考内阻和封装的指标,也是供电中承担绝大部分热损耗的元件,因为它通过的电流很大,内阻越大发热量就越大。D-PAK封装的MOSFET体积大占地方多,而且内阻通常较大,所以在高端主板上现在大多数厂商已经放弃使用D-PAK封装的MOSFET。MOSFET分上桥和下桥,在一个PWM周期内上桥和下桥不同时导通,其中下桥的导通损耗较大,所以一般主板厂商会使用内阻更低的元件做下桥,或使用2个下桥分摊电流,减小损耗。

供电相数:表格中的供电相数就是主板的实际供电相数,通常会表现为A+B或者A+B+C的形式,原因文章第一段已讲。

电容:电容其实我觉得没什么好纠结的,只要是固态电容,在正常的环境温度下都不会差太多,105度下的3000小时、5000小时平均寿命指标,换算成常规的环境温度下,寿命都有几万到十几万小时,够你用大半辈子的。什么日系比台系好、什么钽电容、十几万小时寿命这些,都是浮云,无非就是成本问题,台系比日系便宜,所以有些人就想着花少钱买日系电容获得满足感了。至于容量,也不是越大越好,具体得依据供电设计而设计。

以下是我整理的部分主板供电设计表格,供大家参考(请点图放大):

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hyenax1950xtx 发表于 2012-8-18 16:06 | 显示全部楼层
本帖最后由 hyenax1950xtx 于 2012-8-18 16:14 编辑

先抢一楼,支持技术普及贴。
世纪冰雷 发表于 2012-8-18 16:31 | 显示全部楼层
应该是目前最强大的资料库了……以后累积可以做成数据库……
仙賢戀軒 发表于 2012-8-18 16:36 | 显示全部楼层
科普虽好,但这信息量一下子有点太大了。。。

点评

没说要背下来…………  发表于 2012-8-19 16:07
nighttob 发表于 2012-8-18 16:52 | 显示全部楼层
信息量太大,慢慢消化……
以后可以直接查表了。
看来我的EX4跟EX6差别还是挺大的……
xieheuni1 发表于 2012-8-18 17:14 | 显示全部楼层
这个强,要慢慢消化
御天剑 发表于 2012-8-18 17:51 | 显示全部楼层
正在找关于这方面的材料,及时雨呀!
s9121240 发表于 2012-8-18 17:53 | 显示全部楼层
太讚了,R大這東西實在太強了,辛苦了
startkkk 发表于 2012-8-18 17:54 | 显示全部楼层
要是出个amd的表就好了
FlankerWang 发表于 2012-8-18 18:20 | 显示全部楼层
感谢资料的收集和分享
royalk  楼主| 发表于 2012-8-18 18:38 | 显示全部楼层
startkkk 发表于 2012-8-18 17:54
要是出个amd的表就好了

AMD的基本上就两种设计,3+1的低端和4+1(8+2)
用料么,基本从intel这边各家怎么用,AMD也是那些
南风咖啡 发表于 2012-8-18 18:46 | 显示全部楼层
R大能否讲讲数字供电和模拟供电在长期超频使用的环境下的影响?
yami 发表于 2012-8-18 18:47 | 显示全部楼层
真齐全的资料...以后找资料就好办了
幻目之童 发表于 2012-8-18 18:48 | 显示全部楼层
图收了,慢慢看
royalk  楼主| 发表于 2012-8-18 18:49 | 显示全部楼层
南风咖啡 发表于 2012-8-18 18:46
R大能否讲讲数字供电和模拟供电在长期超频使用的环境下的影响?

数字供电的优势表现在一些参数的可编程性,比如PWM频率,MOSFET的响应速度,某些过电过温的安全保护等,都可以由用户自己设置。
就超频能力影响来说区别不是很大的
南风咖啡 发表于 2012-8-18 18:51 | 显示全部楼层
royalk 发表于 2012-8-18 18:49
数字供电的优势表现在一些参数的可编程性,比如PWM频率,MOSFET的响应速度,某些过电过温的安全保护等, ...

非常感谢,R大的回复总是那么快
tcsgwb 发表于 2012-8-18 19:02 | 显示全部楼层
前排慢慢看。。。。。。。。。。
Pluskton 发表于 2012-8-18 19:07 | 显示全部楼层
华擎PRO3 算个什么?   啥牌子电容(听说是无牌固态)   这种电容也能归到R大说的随便用几万小时的类型中去么?
royalk  楼主| 发表于 2012-8-18 19:15 | 显示全部楼层
Pluskton 发表于 2012-8-18 19:07
华擎PRO3 算个什么?   啥牌子电容(听说是无牌固态)   这种电容也能归到R大说的随便用几万小时的类型中去 ...

常温下应该问题不大,但是品控是否过关就说不准了,毕竟没有牌子标识没有参数可查的
junweb 发表于 2012-8-18 19:16 | 显示全部楼层
怎个强字了得
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