三星的第一代TLC SSD 840系列是21nm TLC的颗粒，SLC Cache架构没释放开，性能表现为人诟病。之后推出了改进版的840 Evo系列，采用19nm TLC，优化了SLC Cache架构，大容量下的性能终于能看了。到了如今的850 Evo系列，结合3D-VNAND的TLC颗粒，成熟度已经不差，但是依然玩不转。经过测试，最新固件的850 Evo在读取超过自身5倍左右容量的持续数据后，读取会跌速到10%以下（怀疑是TLC的读取干扰造成），不管重启还是关机，都无法恢复性能，除非继续读取下去或者做Secure Erase才行，想拿TLC做为读盘应用的用户请考虑仔细了。
三星的TLC颗粒结合固件优化绝对是业界领先了。2年过去了，现在各大厂商均开始推出TLC产品线了，道路异常坎坷。我说的直白点，如今的TLC SSD只是为了积累经验，用户均是小白鼠，厂商们的投入要得到回报（固件开发，硬件规格，品质挑选等），势必拉不开TLC和MLC之间的价格差距，因此聪明的做法是对性能、寿命比较在意的玩家请回避一切TLC的SSD，即使选择TLC SSD也请选择大容量的型号。
如果一定要选择TLC SSD，除了三星的TLC SSD外，另一个可以选择的是闪迪至尊高速二代，闪迪利用自身颗粒厂的优势，特挑颗粒加上这些年Marvell主控固件的根基，调教出了nCache 2.0（SLC Cache，XOR）来改善TLC SSD的劣势，再加上优质的产品保修，480GB及以上容量保证了一定的写入速度，不会影响用户体验，480GB以下容量的请自觉闪迪加强版，谢谢。闪迪至尊高速二代的P/E表现有多少？http://bbs.pceva.com.cn/thread-123811-1-1.html
至于别的方案，不外乎就是SM2256 + 原厂海力士16nm TLC（P/E为500~700，LDPC能力全开时可接近1500）、江波龙封装的三星TLC（非原厂测试那么严格，具体P/E要看人品）、 Micron 16nm TLC（由于颗粒实在太烂，除了美光自己的BX200外，别家用Micron 16nm B95 TLC颗粒的千万不要买，别怪我没提醒你，P/E在100 ~500左右） 。 PS3110-S10 + 东芝A19nm TLC（东芝和OCZ的为特挑体质eTLC，估计有1000 ~1500 P/E，别的均为第三方封装能有500 P/E不错了）。 总体来说SM2256由于支持 LDPC，能够活的稍微长点，这点上赢了PS3110-S10不少，不过大家的性能表现都比较让人捉急，限速保命的做法非常影响用户体验就是了。
如图，这是Phison工厂封装的A19nm TLC，影驰等均是用这个颗粒，我们来看看性能吧。
上表是不同容量的SLC Cache尺寸，下面表格里是SLC Cache填满前的性能（ASSSD跑分），SLC Cache填满后的实际性能，可以看到即使480GB容量的型号，也才135MB/s最大持续写入速度，这个非常影响用户体验吧。即使搭配优质的东芝原厂A19nm eTLC颗粒（Q300和OCZ Trion 100），除了P/E好看点外，性能没本质区别。
跑分看上去还行吧，可惜这都是假象。4KB QD32写入那里就穿帮了，因为测到那个步骤的时候，SLC Cache用完了，所以速度跌到了80MB/s左右。
性能那么渣，那么P/E如何呢？ 240GB的容量，持续写了27天后（实在太慢），总共写了167TB数据挂了。
容量显示2MB。
即使不掉电持续写，700出头的P/E。这些非原厂特挑体质的如果严格上来说也就300~500的P/E（1年掉电保存期的话）。
如果说你觉得300 P/E都足够用几年了，只要价格便宜就好。那么试问做为存储设备，出错概率高（颗粒体质和出错率是正相关，TLC的出错率并不会因为主控ECC能力增强而减少，提高容错和发生错误数是两回事，即使有强如LDPC的演算法，依然无法回避多错多bug的问题），固件不成熟（新工艺和算法验证不足，厂商需要你们来帮忙测试）这种随时可能让你的数据完蛋的状况算不算严重呢？
总之这些这就是如今的TLC颗粒的现状，一个字，惨。然后我们要做的就是另一个字，等。
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