本帖最后由 大D来了 于 2013-3-19 10:20 编辑
内存电压是最不需要纠结的。。。
只要颗粒没啥对加压的副反应,果断上到可以接受的最高电压来测试和日常好啦。
30nm的D3内存温度也不高,40nm的温度应该还稍微高一点,不过均衡到耐压能力,两者都差不多。对日常环境来说,1.65-1.7都安全。40nm标称2133的条子PSC的都标1.65-1.75的,可见PSC的吃压能力。
内存颗粒终究是内存颗粒,同DDR3的颗粒,怎么的也都在差不多水平内。太垃圾的镁光副厂等等咱就不考虑了,买那些条子的也不会用来超频。
言归正传,目前值得购买,易上高频的4G,还是三星、现代CFR了,基本大家都用这两种颗粒做高端内存。
平均体质也能达到2133-2400的水平。遇到雷不过是时序放宽点,电压稍加一点。 |