也来看Intel 520里的颗粒混搭

那么我有个问题，同一行/列的颗粒批号相同与颗粒完全混搭，究竟对ssd的性能和稳定性有没有影响？（在颗粒质量达标的前提下）

NTT 发表于 2016-3-19 19:27
我不知道冲着ME2那里是信仰？一般人眼中ME2比ME3有异义？弄错制程有何丢脸？倒是你们这种高高在上的说话 ...

讲道理
你先以错误的信息回复我的帖子，而且态度很坚定，仿佛一定要从我这儿抠出点东西一样

浴室纠正了你一部分错误
我再纠正了你一部分错误

“冲着ME2去”这种表达，我认为就是信仰，当然你可以有不同的理解
我说丢脸是因为你这不是刚注册的ID，而且我也能看见你在存储区活动，所以这种基础知识，特别是对一口一个颗粒的人来说，是应当知道的

我写这帖子当然是有用意的，所以你不用怀疑我有“高高在上”
如果你有意见可以直接冲我来，“你们”什么的，用你的话说“没真实数据看到，一点说服力都没有”

cssniper 发表于 2016-3-19 19:55
那么我有个问题，同一行/列的颗粒批号相同与颗粒完全混搭，究竟对ssd的性能和稳定性有没有影响？（在颗粒质 ...

这个问题你可以参考内存条上面的“纯血”和“混血”概念
理论上当然是同一批次的，各项性能更接近，产品一致性更好
但也不是纯血就一定好，混血就一定不好

NAND在这方面远没有DRAM那么敏感
不同批次也是遵循统一标准，用同一生产方式制造出来的，然后连接在标准接口上面

我还见过用大S的颗粒配置文件开Intel颗粒的卡
只要可以兼容，就可以
其实你可以这样，520由ME2变成ME3，并不是520的标准降低了，是ME3达到了ME2的标准，所以可以用ME2的配置开ME3的卡

tigerbeer1234 发表于 2016-3-19 20:24
不管是me2还是me3在英特尔的smart数值都是按5000pe算磨损寿命的

是520的SMART
330没存在感也不能忘了它

nighttob 发表于 2016-3-19 20:00
讲道理
你先以错误的信息回复我的帖子，而且态度很坚定，仿佛一定要从我这儿抠出点东西一样

本来不想再回了，我说过我没有信仰，只要便宜我都比较感兴趣。
浴室纠正，我接受，你的技术纠正我会接受，但你的说话方式我不接受。
我不觉得我的疑问是肯定什么，我印象一直都认为ME3不如ME2，因为我有这盘才提出这样的疑问，对了，我还有Qpro，T9*4，闪迪加强版U固件。
既然你非要我纠结什么，那么我想再请问U固件为何最近那么多？我买闪迪加强也是冲U固件去，请问有问题吗？

NTT 发表于 2016-3-19 22:34
本来不想再回了，我说过我没有信仰，只要便宜我都比较感兴趣。
浴室纠正，我接受，你的技术纠正我会接受 ...

U固件的持续写入性能比Z固件的强，U固件的颗粒是A19nm那代，Z固件则是15nm MLC。

U固件240GB SSD PLUS



Z固件240GB Z400s



闪迪新出的Sandisk Extreme 500 external USB 3.1卖的并不好，里面的方案和颗粒是19nm的和U固件的SSD PLUS完全一样，所以为什么又冒出来那么多U固件的你就懂了。（因为只有U固件的19nm MLC能在120GB的时候达到340MB+的速度，Z固件不行，另外也因此才出现了480GB的 SSD PLUS，当然方案是15nm TLC + Marvell）

NTT 发表于 2016-3-19 20:34
本来不想再回了，我说过我没有信仰，只要便宜我都比较感兴趣。
浴室纠正，我接受，你的技术纠正我会接受 ...

我这人不喜欢总纠结颗粒的，所以对这类帖子的用语都会比较强硬
这是个习惯问题，我知道你不喜欢

Sandisk加强版的事我觉得跟520的情况差不多
Toshiba/Sandisk的BiCS 3D NAND年内也会上市了，现在还有2D的15nm过度，未来可能还会有一代11nm的。所以再抱着上上代的A19也没什么意思，本身A19的质量也没好到可以当经典的程度
简单来说就是在清理库存，这是摆在所有颗粒厂面前的任务，所以你可以看见加强版、535、MX200这种“老”产品都在降价
这些产品也就是靠谱MLC的底线，跟上来的就是他们的3D TLC产品，就像三丧那样
除三丧外的几家已经在实用3D NAND上面落后不少了，有些经验是无法在实验室里面积累的，没有消（小）费（白）者（鼠）的参与是无法掌握3D技术的

neeyuese 发表于 2016-3-19 20:42
U固件的持续写入性能比Z固件的强，U固件的颗粒是A19nm那代，Z固件则是15nm MLC。

U固件240GB SSD PLUS

居然是这样的原因，谢谢解答U固件的疑问~

nighttob 发表于 2016-3-19 20:12
这个问题你可以参考内存条上面的“纯血”和“混血”概念
理论上当然是同一批次的，各项性能更接近，产品 ...

谢谢，我大概明白了，建兴T9的pe问题不是颗粒混搭照成的而是因为采用了不合格的颗粒咯

cssniper 发表于 2016-3-19 20:58
谢谢，我大概明白了，建兴T9的pe问题不是颗粒混搭照成的而是因为采用了不合格的颗粒咯
...

你明白个啥……
我没证据证明T9的颗粒不合格（因为我不知道他们的合格线到底是多少）
只是说一块板子不论4个颗粒还是8个颗粒，找俩同批次的都困难，这颗粒来源十分可疑
混搭本身并不是问题，建兴工厂把什么样的颗粒喂给贴片机，焊出来的就是什么样的颗粒

nighttob 发表于 2016-3-19 20:45
我这人不喜欢总纠结颗粒的，所以对这类帖子的用语都会比较强硬
这是个习惯问题，我知道你不喜欢

因为只有清货的时候才能买到最实惠的东西，按我的使用量，颗粒PE根本不用考虑，就算是TLC在保修期内我都不可能用的完~但是颗粒本身就是固态的附加值，盘挂了，我可以将颗粒拿去做U盘。如果是用家我认为也是根本没必要纠结这个，不过一般用家根本不会买那么多盘。
玩家有很多种，我只是为性价比而买的一种，至于用途，根本没有~

neeyuese 发表于 2016-3-19 20:42
U固件的持续写入性能比Z固件的强，U固件的颗粒是A19nm那代，Z固件则是15nm MLC。

U固件240GB SSD PLUS

请问ssd plus 480g用tlc是推测的吗？因为好像没有看到人买，网上普遍都是猜tlc

fjzjk1 发表于 2016-3-19 23:07
请问ssd plus 480g用tlc是推测的吗？因为好像没有看到人买，网上普遍都是猜tlc
...

看固件版本号知道是15nm TLC，然后看到CDI信息知道是MARVELL方案，你可以当做Ultra II 480GB的15nm版看待。

nighttob 发表于 2016-3-19 21:05
你明白个啥……
我没证据证明T9的颗粒不合格（因为我不知道他们的合格线到底是多少）
只是说一块板子不论 ...

不过浴室的测试已经证实pe不达标了啊

cssniper 发表于 2016-3-19 21:21
不过浴室的测试已经证实pe不达标了啊

我不知道他们的标到底是多少，所以难说它们达没达标

nighttob 发表于 2016-3-19 20:45
我这人不喜欢总纠结颗粒的，所以对这类帖子的用语都会比较强硬
这是个习惯问题，我知道你不喜欢

还有11nm
3D上也不能说落后太多吧，毕竟除了intel先用32层堆叠的3D过渡以外其他几家都直接上48层堆叠，和三星现在的进展差不多，不过32层堆叠的可靠性应该比48层堆叠的要好
东芝的die好像又是面积最小的，48层堆叠的BiCS和A19比能有什么优势么

tsammammb 发表于 2016-3-19 23:32
还有11nm
3D上也不能说落后太多吧，毕竟除了intel先用32层堆叠的3D过渡以外其他几家都直接上48 ...

三星已经准备出货14nm了，然后还有12/11nm。肯定会有人问为什么他不直接做3D放弃2D闪存，原因是eMMC和Micro SD卡必须用这类2D闪存（主控能力有限，不支持3D），所以大家就见到了好多类似750 Evo的东西（16nm 2D TLC）。

neeyuese 发表于 2016-3-19 21:35
三星已经准备出货14nm了，然后还有12/11nm。

EMMC和闪存卡不能上3D么
3D mlc的ECC要求比2D tlc还要夸张？

tsammammb 发表于 2016-3-19 23:40
不是说2D 15/16nm以后可靠性已经不能满足SSD的要求了么，为什么还要在发展3D的同时进一步缩减2D的线宽呢{ ...

750Evo采用的MGX主控已经支持LDPC，而850Evo的MEX主控只支持BCH。

tsammammb 发表于 2016-3-19 21:32
还有11nm
3D上也不能说落后太多吧，毕竟除了intel先用32层堆叠的3D过渡以外其他几家都直接上48 ...

你不能只看纸面数据，3D作为一个半熟的技术是需要一定的用户反馈加以完善的
ccMLC级别的A19也就是刚好满足纸面性能，自家的BiCS 3D和三丧的TACT 3D类似（应该说TACT是BiCS的改型，不过儿子比爹上班的还早，考虑到棒子和本子在半导体这方面的纠葛，这也没啥奇怪的），所以性能方面可以参考，肯定要比A19强得多，准备了这么久也不应该有明显缺陷。
IMFT的光刻工艺比其他几家都激进一些，所以虽然第一代层数少，但存储密度也不低。