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NAND闪存在1987年由日本东芝半导体股份有限公司存储器事业部的舛冈富士雄博士发明，目前NAND闪存被广泛应用于众多存储卡和电子设备中。NAND闪存市场发展迅速，闪存也逐渐成为国际标准的存储设备。
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东芝作为闪存世界的缔造者，拥有极雄厚的技术实力和值得信赖的品质， 却对打造零售市场品牌的动作较为缓慢。直到2013年初，东芝终于将旗下原OEM型号为HG5的第五代主控SSD系列产品推出了零售版包装，取名为Q（Quark）系列，Q系列SSD随着东芝闪存工艺的换代也在同步更新，2013年中旬后的新版Q系列SSD已经变成了HG5d版，随后到2014年初东芝主控整体更新为第六代，零售版型号则取名为Q Pro系列（对应OEM型号为HG6x），2014年中旬后东芝闪存工艺再次过渡到A19nm，也是本次我测试的新版Q Pro系列（对应OEM型号为HG6y）。
从图中我们可以看到新版Q Pro系列一共是128GB/256GB和512GB共3种容量，官标持续读写性能完全一样，随机读写的差距也较微弱，理论上用户完全可根据自己需求的容量考虑，不用担心常见的SSD小容量性能表现会较差的情况。
包装盒内除了SSD本身外，有缓冲袋（防止暴力快递，真的很贴心啊），7mm转9.5mm的转换架，快速安装手册，3年保修的手册，免费的NTI Echo数据迁移软件可以从东芝官网下载到。
SSD正面标签，不华丽，感觉简单大气上档次。
SSD背面标签信息基本都全了，固件版本，生产日期，菲律宾制造。
拆开螺丝后看到背部PCB，什么元件都没有嘛，不过蓝色PCB我喜欢。
放大，继续准备拆4个固定螺丝
正面主要元件上都有散热垫紧贴外壳增强散热
涂点硅脂上去再擦掉，终于能看清主控和颗粒型号了。
东芝Q Pro的主控型号为TC358790XBG，采用的是Marvell License IP，经过针对自己生产的闪存调校后在TSMC进行低功耗40nm，7Layers流片并投产。可以说这颗主控是有Marvell血统，但是确确实实的东芝主控，之前的Q系列采用的是TC58NC5HA9GST-A2P（初期）和TC58NC5HA9GST-A3P（后期）主控，主要区别是A3P比A2P多了DevSleep支持，也是在TSMC进行的流片投产。从上图中可以看到主控拥有8根闪存通道，4-Way交错，也就是32CE，可以支持外置DDR缓存（只是东芝不一定用而已）
TC58NC5HA9GST的原型基于Marvell 88SS9187，而TC358790XBG的原型基于Marvell 88SS9189，为什么这么说呢？看如下图：
这是本站精英玩家einstein86之前Toshiba东芝Q series SSD测试中的图片，帖子链接：http://bbs.pceva.com.cn/thread-97247-1-1.html
他这张图里3块PCB，其中左边和右边是旧版Q Pro系列SSD，而中间的为新版Q系列SSD。可以看到虽然缓存位置没有焊接元件，但是预留的焊点是有区别的，Q Pro系列SSD是低电压版的焊点，而Q系列的是正常的焊点。
参照美光M500DC(Marvell 88SS9187)和M600(Marvell 88SS9189)上缓存的样子即可知道主控的区别了。
顺便转一张以前中关村在线测试用的图，可以看到只有新版88SS9189支持低电压版缓存。
东芝Q Pro 256GB SSD采用的闪存型号为TH58TEG8DDKBA8C
这是Chipworks网上显示的Die Mark，Toshiba A19nm 64Gb MLC，支持Toggle 2.0接口400MT/s，ECC基本要求为40bit/1KB，Page尺寸16KB，Block包含256个Page等于4MB，2个Plane。256GB的SSD由8个颗粒组成，每个颗粒内部是4个Die，32GB单颗。
看完上面基本介绍和开箱，让我们进入下一环节，SSD支持的技术特性介绍部分：
随着闪存工艺的逐步更新，出错率也在增加，所以需要强大的ECC来纠错
ECC的强度是影响SSD耐久度的一个关键因素，所有的闪存都需要ECC纠错，这些错误是随机产生的，我们一般叫做“软错误”，因为闪存芯片内部的噪声非常大，传输时候的信号强度较弱，这也是为何闪存是当今最便宜的存储记忆体的道理。另外随着闪存的磨损，出错率会越来越高，这是因为某些bit会永远卡在一个状态下，我们称作“硬错误”。不难理解，闪存的耐久度取决于磨损后产生的"硬错误”大量增加导致无法纠错，如果能够提高ECC能力，自然也就能较晚的出现因错误太多导致没法纠错的情况。当然有时候人品不好“软错误”忽然大量增加导致突破ECC能力的情况也会发生，但是那个不应该会对全局耐久度产生大影响，只是会消耗几个备用块而已。
举例子吧，让我假设某个全新的闪存芯片软错误是28bit/1KB的ECC需求，这个意思是每个Page在读取时可能会随机出现不大于28bit/1KB的软错误（通常就是芯片噪声导致），如果主控的ECC算法能够纠错40bit/1KB的话，那么就是说除非这颗闪存芯片P/E磨损到至少12个bit/1KB的硬错误再加上28bit/1KB的软错误，才会导致ECC无法纠错重映射的情况发生。现在让我们假设闪存厂保证出现12bit/1KB硬错误的情况是需要P/E磨损达到3000才会出现，那么我们就说在40bit/1KB这个ECC能力下，这个闪存可以达到3000 P/E的指标，同理如果把主控ECC能力再度提高的话就能达到更高的闪存P/E指标。
东芝专利纠错技术QSBC
当今存储设备最基本的要求是要有能力去识别和纠正数据错误，目前主流的SSD的纠错技术是采用BCH算法，随着闪存制程越来越小，出错率也随之倍增，要支持更新工艺的闪存，下一代的主控纠错算法则会使用到LDPC。LDPC算法拥有2个层面的纠错，它们是硬判决和软判决，结合使用的话将大幅度提高纠错能力，但是延迟也会相应提高。另外实时LDPC算法需要消耗比BCH算法更多的计算资源，代价就是主控解码电路更大更复杂，消耗更多内存和降低SSD性能，功耗也随之提高。
闪存控制器厂商们目前都在开发各自的 LDPC算法架构，由于每种算法架构代码都是不同的，因此没有直接的可比性。东芝半导体做为闪存的发明者和生产者，利用了对闪存特性了解的优势，开发了针对自家闪存颗粒独有的纠错算法，取名为QSBC纠错技术并且申请了专利。
上图中分别是3种纠错算法典型配置下的纠错能力，如图所示典型的最小值综合演算 LDPC架构相比传统BCH算法的纠错能力高了2倍，而东芝采用的纠错算法相比最小值综合演算LDPC架构则提高了整整8倍。
数据在传输过程中可能会出现错误，所以需要进行保护。
根据之前技术的说明我们知道SSD能够通过ECC来纠正发现的错误。但是SSD上的内存（缓存），固件（Firmware），或者SSD上其它的元件甚至软件呢？它们可能会在数据写入缓存前改变用户数据或者在读取数据后改变数据并发送给用户。这种非常严重的问题叫做“静默错误”，因为用户并不知道错误已经产生。假设在金融类行业出现这种静默错误，一直拖到审计对账时候才发现，可能已经拖了几周或者几个月了，造成的损失可能是难以估量的。在企业级应用中出现这类错误是无法让人接受的，所以CRC也叫E3D（End-to-End Error Detection） 被用来解决这个问题。比较常见的CRC有16bit CRC，可以发现2^16bits 也就是8KB内的单个bit错误，或者32bit CRC，可以发现2^32bits也就是500MB里的单个bit错误，这里我们主要讲CRC 16。可惜的是CRC可以用来发现静默错误，但它并不能纠正错误，所以如果数据已经出错，它最多只能告诉用户“我出错啦，但是没法恢复哦。”此时如果要恢复数据的话还需要靠E3C（End-to-End Seamless Error Correction）来帮忙，只需要在CRC16后加入汉明ECC码，就能起到完整数据路径保护的功能。
东芝Q Pro系列SSD完整数据路径保护
就像上面说的，通常企业级SSD都要求有这个功能，而目前市面上绝大部分的消费级SSD，包括旗舰型号都不支持这类保护，因为这会影响到SSD的综合性能表现，绝大多数消费者也往往是看跑分选择SSD，而且消费级产品对用户数据完整性的要求没那么严格。另外固件要支持这个功能，这类非结构性的数据，处理起来也较麻烦，由于一个功能不能独立存在，会对系统其他部分产生影响，带来额外的工作量和风险，客户不关心的话，不如不做。
如图，写入的时候CRC16码生成并和用户数据一起存放在闪存内，读取的时候，CRC16码在SATA接口内进行校验，检测所有数据传输中的错误（总线和内存），而当缓存数据发现错误的时候，汉明码ECC自动会进行纠错，当闪存数据出现错误的时候，则就是靠主控ECC进行纠错了。东芝Q Pro由于血统是从企业OEM产线延伸下来，对于这个保护功能也予以保留。
在突发掉电的时候，盘内旧数据可能会出错造成SSD无法访问，所以需要进行保护。
当出现突发掉电，SSD一般会出现以下3种数据丢失甚至坏盘的问题：（掉电保护的到底是什么？）
1）丢失用户数据：这个情况大多是因为用户数据还在写缓冲区里的关系，写缓冲区是为了提高峰值性能用的。在这个情况下，当SSD主控制器掉电后，写缓冲区里的数据还没有被写入到NAND里，这样就会造成了数据丢失。
2）丢失映射表信息（LBA元数据错误）：所有的SSD主控制器都是通过映射表信息来操作相对应的文件系统逻辑地址和闪存物理地址的。当SSD内的数据需要读取时，必须有相对应的之前生成的并且更新维护过的正确映射表信息，而当数据写入之前写入过的文件系统逻辑地址时，映射表信息必须被更新。如果正确的映射表信息因为掉电而丢失了，那么SSD就可能无法访问了。
3）低位Page出错：2bit MLC的闪存因为在每个物理Page里存放了2个逻辑Page的数据，如果在写入时候忽然掉电，就会影响到之前写入的旧用户数据。通俗点说就是写入新文件的时候忽然掉电，可能把老文件也弄坏了。
东芝Q Pro系列SSD异常掉电管理PFM(Power fail Management)和盘内数据损坏保护
东芝Q Pro系列SSD的PCB上并没有掉电保护的电容，但是东芝却能做了上面提到的第二和第三点的保护，这是如何做到的？
内部映射表保护：
1. 每张映射表都有一个完整的备份在闪存里。
2. 更新映射表的时候是2张表交替进行的。
3. 当突发掉电导致一张表损坏时，下次上电时候可以从另张表恢复之前的状态。
用户数据保护：
1. 当主机发送Flush_Cache指令后，所有在缓冲区内的数据都会立即写入闪存内。
2. SSD每闲置2秒（主机没发送新指令），缓冲区内的数据会立即写入闪存内。
3. 新写入的用户数据永远会写入到新的闪存Page上，即使它们的逻辑地址相同。
4. 每一笔最后的数据写入操作会将它之前的数据状态保存到另个闪存Page内。
5. 当突发掉电导致最后一笔写入的数据出错或者丢失的时候，在下次上电时过去的数据状态能够从之前备份的闪存Page里恢复出来。
东芝内部验证测试的时候是进行了30000次突发掉电，这个做法会造成一定的性能损失，但是却能在没掉电保护电容的情况下保证SSD数据安全，我一直强调，SSD跑分高低无所谓，稳定安全是铁律，这点上我要给东芝点赞。对于普通家用SSD来说，只要保证SSD不变成无法访问的状态丢失全部数据就行了，其实最后一笔写入的数据真丢了也不是什么大事。
随着闪存的磨损会出现越来越多的坏块，当用来替换这些坏块的备用区域消耗的差不多时，SSD继续写入的话很容易会突然变砖，为了保证用户数据安全，需要进行保护。
还记得测试SSD耐久度的测试么？拼命的写入数据直到SSD闪存磨损殆尽。有些高端SSD虽然还有备用块可以用，但是在颗粒P/E磨损严重的后期，出现忽然暴毙的情况，这就像一个定时炸弹，因为你根本不知道下一秒SSD还能不能访问了。
东芝Q Pro系列SSD紧急只读保护模式
东芝的Quark系列SSD，Smart定义AD（P/E）的值出厂时候是200，当这个值降到1的时候，在SSD完全重新上电时会进入紧急只读模式，用户可以准备备份数据并申请售后了。如何得知自己的SSD是否进入了只读保护模式呢？Smart定义的A7，默认是0，如果是别的数值那么就是进入了只读保护模式了。本着对用户数据负责的态度，这个值东芝定义的比较保守，因此测试SSD耐久度的时候，东芝SSD P/E表现可能并不理想，但用户数据却是安全的，各中取舍只能由用户自己选择了。
上面是SSD支持的功能亮点介绍，接下来我们来说说这块SSD内部的工作流程：
上图是控制器架构。东芝Q Pro主控制器主机接口支持SATA 6Gb/s（向下兼容），如图所示，此主控制器区域被划分后，前端包含一个SATA主机接口和一个SATA控制器，后端用于执行命令的处理，包括访问闪存。前端和后端各有一个中央处理器，依靠并行操作来提速。后端有个命令队列模组，可以用来保持多条来自前端的命令，SATA接口定义的原生命令行队列（NCQ）可以通过接收和非顺序执行多条命令来提升速度，另外数据缓冲器可进行数据缓冲，用来解决主机和闪存之间的速度匹配问题，可以把多个扇区数据合并写入闪存。
SSD的操作需要依靠查表模块（LUT）来确定逻辑地址（LBA）和物理地址在闪存中的关系。地址管理表一般被存储在外置缓存里，通过主控集成的DDR控制器来进行访问。闪存控制器则用来访问19nm MLC闪存，支持Toggle DDR 2.0的接口。为了提高带宽，它支持8通道和4路交错。在闪存控制器里有一个内置的第1级ECC模块来保护存储在闪存内的数据。还有一个第2级ECC模块来保护闪存控制器外的区域。
现在我来描述下基本的读写操作流程。一个SATA读取命令从主机传输过来，通过控制器的前端到达命令队列模组。进入模组的读取命令发送到查表模块来获取读取逻辑地址映射在闪存上的物理地址。然后读取命令被发送给相对应的闪存通道下的物理地址，数据被读取出，读取的数据先传输到数据缓冲器，然后继续通过前端进入主机。一个SATA写入命令从主机传输过来，通过控制器前端并写入数据，逻辑地址和数据属性会被发送到数据缓冲器，接着查表模块提供逻辑到闪存上的物理映射地址，然后数据从数据缓冲器写入到闪存，第1级和第2级ECC模块生成的纠错码会和数据一起写入到闪存。
这里顺便讲几个稳定性提高的做法，前面说了数据是和第1级和第2级ECC模块生成的纠错码一起写入闪存的，那么当数据读取的时候如果第1级纠错码无法纠错的时候会使用延迟稍高的第2级纠错码进行纠错。另外随着外置缓存容量的增加，出错率也在增加，我们平日的电脑如果内存出错一般会出现蓝屏，死机等问题，而SSD的缓存是用来存放映射表的，如果出错则可能是直接变砖的。目前消费级产品SSD都不会去做外置缓存的冗余保护ECC，只会做主控内SRAM的冗余保护，因此容量越大缓存越大的SSD会更容易出错。东芝Q Pro系列的SSD固件索性就把外置缓存给整个去掉了，既降低了运行功耗，省却了成本，也保证了数据安全，同时去掉缓存后mSATA，M.2这类版型较小的尺寸也有空间优势。
但是去掉外置缓存虽然保证了数据安全，却会带来性能上的下降，比如最直接的影响就是低队列下的随机读取性能，因为没有了大容量的外置缓存，大部分数据的映射表都只能放在闪存里，小部分在主控SRAM里，虽然东芝采用了SLC Cache模式来提高闪存访问速度，但是毕竟不能和外置缓存的速度相比，因此每次随机读取数据时候如果SRAM里没有对应数据的地址，则需要先进入闪存里把映射表读取进入缓冲区，再根据查表模块找到真实数据再次读取出来，这样就会造成了2次读取，我们叫做读放大。读取放大可以被多队列命令隐藏，单条命令的时候就没辙了。写入数据的时候有数据缓冲区合并写入闪存，因此随机写入量不大的时候没事，一旦随机写入量超过数据缓冲区平衡能力（查表速度跟不上，因为映射表不在SRAM就可能会需要先从闪存里读进数据缓冲区）就会出现性能低下，但是家用环境这种情况很少，真的需要用到这部分性能的时候，请选择其它高耐久度高性能企业级产品。
介绍完技术特性后让我们正式进入测试环节：
测试平台：
CPU：Intel Core i5-2500（节能关闭）
主板：技嘉P67A-UD4-B3
内存：G.SKILL DDR3-1600 4GB x 4 - 跑1333双通道
系统盘：Intel 520 120GB
系统：Windows 8.1 Pro 64-bit update 1
磁盘控制器驱动：微软默认Storachi
基准测试：
TxBENCH 和 ASSSD
东芝Q Pro SSD无外置缓存，开启了数据完整性保护，异常掉电管理保护，因此跑ASSSD和TxBENCH这类快餐测试成绩会吃亏不少。持续读写基本上达到SATA 6Gb接口SSD里的高标准，随机读取因为无大容量外置缓存而受到明显的限制，多队列随机读取因为可以有效隐藏映射表的加载（并行处理可以隐藏读放大）所以速度理想，Q Pro系列SSD在实际文件复制测试中表现不错，压缩测试那里的波峰显示SSD缓存释放的频率很规则。
PCMark 7
如果说无外置缓存快餐测试成绩烂的话，在接近用户实际体验的PCMARK测试中却一点不差哦，看来持续传输爆发力才是关键。
PCMark 8
接近5000的分数完全就是高端SSD的表现有没有，谁说没缓存SSD性能就差的？随机4KB这种性能够用就行，关键还是看持续传输率。
进阶测试：
QD深度对随机4KB/8KB/16KB/32KB/64KB/128KB/256KB/1MB读写造成的影响（8GB LBA范围）
这个测试主要是给不同QD分布下的随机读写带宽参考。可以看到东芝Q Pro 256GB的随机读取由于没有外置缓存受到了影响。
离散分布测试（IOMETER测试大约5000秒）
这个测试主要是给线上交易处理环境等对写入延迟有苛刻需求的做参考。可以看到IOPS有主要分布在2个区域，高的那块就是SLC Cache区域，而低的这块就是MLC区域。其实对于家用SSD来说，谁没事对自己的SSD来回跑4KB写入测试呢？对这类性能有要求的SSD耐久度也肯定是用eMLC级别的企业级，不然没几天耐久度就用完了。
PCMARK 8扩展存储测试之性能一致性部分（稳定态家用环境性能）
这个测试主要是给家用最恶劣环境下的性能参考（全盘不留任何剩余空间，禁用了windows文件系统缓存跑纯RAW模式）。例如图中一直不到100的浦科特三兄弟（写入高压下惨不忍睹），在性能恢复过程时爆发力突然打了鸡血一样的840 evo（不承认也得承认，确实是为跑分而生的跑分神器），120G和240G组形影不离的OCZ消费级（性能平稳）。除了三星外，这里大家都有Marvell血统和东芝闪存颗粒，但是因为各自固件的区别造成了性能完全不同的表现，可以看到东芝的耐压表现趋于浦科特和OCZ之间。
使用Iometer按照SNIA企业级标准测试全局随机读写分布稳定态IOPS（稳定态企业环境性能-SNIA IOPS Test）
这个测试主要是给企业采购时的全局最恶劣性能参考。东芝由于缺少外置缓存，内部做的保护也消耗了大量资源，表现平稳并在第六回合进入稳定态，从表格中可以看到在极端压力下写入性能会严重受限。
产品报告总结：
优点：
1、小容量型号也有高持续读写，虽然是依靠SLC Cache模式达到的，但是在实际使用中真的能够大幅度提升体验。
2、东芝原厂颗粒品质有保证。
3、完整数据路径保护是非常棒的企业级功能被保留下来。
4、独特的掉电管理做法让SSD不变砖。
5、紧急只读模式也是为用户数据安全考虑的做法。
6、搭配了免费的数据迁移软件（需要用户去官网下载）
不足：
1、工具箱好久没更新了，目前还是2.0版，不支持新的Q Pro系列（A19nm MLC闪存颗粒）是个遗憾。
2、虽然有PFM但不保最后笔用户数据，稳定态时写入速度低，写放大高P/E受到影响。
使用建议：从测试中可以发现这块SSD在所有贴近实际使用环境下测试的表现都是极其优秀的，可以说是普通家用环境下的好盘。虽然没有搭载大容量外置缓存并不是缺点，但是造成的结果就是请不要把这块SSD放在写入压力较大的环境下使用，再加上预留的OP只有7.37%和东芝较保守的P/E设置，耐久度会消耗较快。
以前我分析过美光、SandForce主控的一些算法问题。东芝做为NAND大厂之一，这次通过对东芝Q Pro系列SSD的评测，咱们也来看看它有什么玄机。首先东芝的高速闪存颗粒拥有ABL技术，所以写入性能非常高，再搭配SLC Cache技术甚至能把只有60GB容量的SSD极限写入速度跑到440MB/s以上。其次我开篇时候就说了，东芝的Q Pro系列SSD是从OEM产品上做了包装直接拿来卖的。全球OEM市场出货量是非常大的，这类产品讲究的是品质，针对各种整机、笔记本等平台都要做长时间的兼容性考验，固件验证和测试周期是按几个月甚至年计算，其实我想表达意思是，现今大部分SSD的速度在家里用早就足够了，往往对用户影响最大的反而就是兼容性问题，很多用户都觉得笔记本配块SSD都特纠结吧，先不说性能跑不跑的出，这要是有个乱七八糟的问题才头大，例如技术宅和喜欢的妹子吹了一大通SSD速度快的好，结果买回来装上本子用起来一会儿不能装系统啦，一会儿卡的要死啊看你怎么办。当然以上我说的这些都是基于有保修的情况哦，千万不要傻傻的去买那些所谓的全新拆机OEM盘哦。最后说的是数据完整性问题，现在大家工作都那么忙，如果还要你每天提心吊胆的担心数据会不会自己坏掉的问题累不累啊，当然我不是说就不用备份哦。
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文末附加内容：（个人分析整理，不代表官方数据）
东芝消费级SSD型号解析部分
THN SN J 256G CS U
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上图中1这个位置：SF代表SED（自加密），SN代表Non-SED（无自加密）
上图中2这个位置：代表主控类型，C代表DAIKOKU东芝自主研发主控（HG3系列-第三代主控配32nm MLC），S代表SandForce 2281打磨配订制版固件（HG4系列-第四代主控搭配24nm ABL MLC 持续写入是别家SF2281的2倍），Y代表JMF66x订制版，Z代表JMF61x订制版，F代表Marvell 88SS9187原型改进重新流片版（HG5系列TC58NC5HA9GST-A2P），H代表Marvell 88SS9187原型改进重新流片第二版，（HG5d系列TC58NC5HA9GST-A3P，这个d代表DevSleep支持），J代表基于Marvell 88SS9189原型改进重新流片版（HG6系列TC358790XBG）
上图中3这个位置：代表容量，***GB代表多少GB，***P代表PLP（带掉电保护型号）容量多少GB，*T**代表超过1000GB的容量型号（例如1T02代表1024GB）
上图中4这个位置：AC：Micro-SATA，MC: mSATA, BS: 2.5英寸9.5 mm SATA接口，CS: 2.5英寸7 mm SATA接口，DN, 8N: M.2 2280-D2-B-M (SATA 接口)
上图中5这个位置：代表闪存类型，J代表32nm MLC，P代表 24nm MLC Type A，R代表24nm MLC Type B，S代表19nm MLC Type A，T代表19nm MLC Type C，U代表A19nm 64Gb MLC，X代表A19nm 128Gb MLC，3代表19nm eMLC Type C，Z代表A19nm eMLC 64Gb，如果是D，则代表SSD内会有缓存。
东芝消费级SSD固件代码解析部分
J U R A 0101
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上图中1这个位置：代表主控类型，C代表DAIKOKU东芝自主研发主控（HG3系列-第三代主控配32nm MLC），S代表SandForce 2281打磨配订制版固件（HG4系列-第四代主控搭配24nm ABL MLC 持续写入是别家SF2281的2倍），Y代表JMF66x订制版，Z代表JMF61x订制版，F代表Marvell 88SS9187原型改进重新流片版（HG5系列TC58NC5HA9GST-A2P），H代表Marvell 88SS9187原型改进重新流片第二版，（HG5d系列TC58NC5HA9GST-A3P，这个d代表DevSleep支持），J代表基于Marvell 88SS9189原型改进重新流片版（HG6系列TC358790XBG）
上图中2这个位置：代表闪存类型，J代表32nm MLC，P代表 24nm MLC Type A，R代表24nm MLC Type B，S代表19nm MLC Type A，T代表19nm MLC Type C，U代表A19nm 64Gb MLC，X代表A19nm 128Gb MLC，3代表19nm eMLC Type C，Z代表A19nm eMLC 64Gb。
上图中3这个位置：代表特殊代码，G代表官方OEM版，R代表官方零售版，E代表企业级产品，L代表联想，A代表苹果...等
上图中4这个位置：低容量消费级是A，1TB大容量的是B，企业级是T。
上图中5这个位置是固件版本号。
针对东芝Q Pro系列异常掉电管理PFM(Power fail Management)和盘内数据损坏保护测试：
我在运行iometer随机写入时、混合读写到稳定态时、从主盘往SSD复制系统文件时、SSD自己往自己复制文件时等环境下进行了15次的强关电源开关测试。
视频1，这是在进行随机写入和HDtune持续写入，无文件系统情况下强关电源。
视频2，这是在SSD自己往自己复制文件时强关电源开关。
每次强关电源开关后，再次开机自检SSD都非常顺畅，用HDtune扫描全盘无发现任何逻辑坏块，Smart定义里也没出现重映射。
如图像美光m4，Intel X25-M在这类测试中如果强关电源，很容易出现逻辑坏块，这时运气好的话可能依然能够引导系统，但用户的数据其实已经损坏，会出现各种奇怪的故障，例如系统更新无法安装等。
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