做为第一款采用TLC颗粒的消费级SSD产品，三星认为840系列的耐久度足够满足当前消费级用户日常使用的要求，甚至比目前市场上一些MLC颗粒的产品还要高，不过并没有透露具体P/E数字，不过从各大评测网站消息看来，应该是1000 P/E。
三星840是一款2.5英寸，SATA 3接口速度，7mm厚度的SSD，三星为这款SSD提供了3年的保修。上面是不同容量的性能图表，可以看出了三星为每个容量都留出了部分OP空间来保证性能和耐久度。
开箱部分：
包装盒子正反面
简包盒子里就一个SSD，三星工具箱软件，安装说明书，保修卡和小贴纸。
盘体正面，本次840把橘红色的小方块从830的边角上移动到了靠中间的位置。
背面标贴，型号MZ-7TD250
侧面和底部各4个螺丝孔，给转接架或机箱固定用。
250GB 5V 1.7Ａ＝ 相当于满载功耗８.５Ｗ。
拆开来后是这样的，相比之前830的卡扣设计，本次用了五角星螺丝也需要特殊工具拆卸。
PCB正面，主控，缓存，颗粒和供电元件的布局。
主控和缓存特写
主控型号：MDX「S4LN021X01-8030」 3核心，主频300Mhz，更好的发挥了垃圾回收和DDR 2.0的优势。
缓存颗粒型号：Samsung 30nm K4P4G324EB-FGC2 LPDDR2-800 512MB DRAM 1.2V
闪存颗粒型号：K9CFGY8U5A-CCK0 21nm TLC颗粒 BGA封装 Toggle DDR 2.0 , Page 8KB , Block 1.5MB , Die 8GB
主控和闪存供电部分
PCB背后和美光C400/m4的64GB型号一样空空如也省成本。
测试平台：
CPU：Intel Core i7-3770K OC 4.5G
主板：技嘉Z77X-UP5-TH
内存：G.Skill F3-17000CL11D-8GBXL
显卡：MSI N680GTX TwinFrozr 2GD5
硬盘：Plextor PX-128M2P+西数320G蓝盘+本次测试的三星840 250GB
电源：安耐美冰核REVOLUTION 85+ 1050W
散热器：采融 MegaShadow
OS：Windows 8 PRO
驱动：RST 11.6
测试开始前让我们先来看CDI信息：
其实我想说三星早期的固件smart信息不准，即使用三星自家开发的软件看也是一样的，这个要等更新几个固件才搞的定。
AS SSD Benchmark 1.6 空盘测试
AS SSD在1.6版本加入了压缩文件的测试，主要针对SandForce系列主控的压缩特性，而三星主控没有任何压缩能力，这里就不测了，只测标准部分。
新主控高QD下的4KB读取都比较夸张，目前看来350MB/s以上很正常，低QD下4KB能上30MB/s的蛮考验测试平台和盘本身的，总的来说性能在1年前的主流MLC SSD之上。（如果考虑到采用的TLC颗粒来说，那么真的是速度做的很不错了。）
CrystalDiskMark 3.0.1a X64
CrystalDiskMark默认运行5次，每次1000MB的数据量，取的是最好成绩。
写入性能和美光C400 256GB差不多，TLC做到这样真心不容易，读取则受到新颗粒接口和主控速度的提高快了很多。
PCMark 7
PCMark 7是一个特殊的脚本测试软件，模拟普通用户的日常操作情况。在存储测试方面，PCMark 7加入了各种模拟应用测试，它既不会有很深的QD，也不会有太大的数据流量，因此不会对主控和缓存造成太大的压力，用来测试家庭用户的应用环境磁盘效能则再好不过了，总体来说会比之前的理论测试更接近用户实际使用情况。
非系统分区空盘测试：5400分不到代表这款产品在正常家用环境下基本是中端消费级SSD水准，看来还是在写入上拖了后腿。
5小时的4KB QD32随机写入，5分钟一个采样点。图中拿来参考的830和840容量不同，而且测试平台不同，不过依然可以看出840比830在随机写入上优化的更好。
用IOMETER2008测试QD对随机4KB写入速度的影响：QD2时候就碰到瓶颈了，IOPS在64000出头上不去了，换算一下也就是264MB/s，比官标的持续写入速度还要高，看来写入是被颗粒带宽限制了，主控依然还有很强的潜力可挖。
用IOMETER2008测试QD对随机4KB读取速度的影响：这次三星主控吞吐量很惊人，多QD下甚至有10万的IOPS（需要搭配MLC颗粒的840 Pro），而采用TLC颗粒的840也不差，这里也有96000的水准了，由于主控和颗粒的延迟低，低QD下性能和别家的MLC产品差不多。
最后对840 250GB做了下24小时的企业级稳定态混合测试
稳定态下随机写入不管任何块大小，速度都无法超过15MB/s，看来消费级的产品确实只适合家用。
扩展知识部分
本次三星840采用的是TLC颗粒，我们先来看看TLC的颗粒和之前SSD普遍采用的SLC/MLC有何区别？
可以参考这个帖子： 浴室谈SSD系列三：TLC闪存颗粒，固态硬盘价格战新方向 ?
看完那个帖子后我们知道了TLC是用8个状态来表示3个bit来达到1.5倍MLC的容量。
我画了个图，如图所示即使同样是MLC，新工艺会让2个状态之间的电压边界缩短，造成判断出错率提高，而换成TLC后，这个问题更严重，所以老工艺的TLC如果还能靠比较强的ECC搞定的话，下一代1xnm的TLC在这部分的处理上就比较麻烦，肯定需要改变很多地方，不光只是ECC的部分。
我们知道TLC颗粒的采用，首先大幅度降低了写入性能，其次是需要很多ECC纠错开销来保证一定的耐久度。三星在21nm的TLC上，是否采用了特别的处理方式呢？也就是上面我提到的处理架构改变？答案是肯定的，下面我来分析和解释下三星在840上的TLC操作方法。
看到这张图，可能很多朋友觉得这个做法和之前OCZ Vertex 4 1.4/1.5固件做的SLC Cache模式很像。
确实，这个就是SLC Cache模式，不过区别也很明显：
1.三星的SLC Cache和TLC Data切换是即时的，类似于做成了一整套NAND操作逻辑（即时后台切换），不像OCZ那样等到SSD休息的时候再后台切换以此用来显摆SLC Cache下的速度或者等到不能不做的时候表现出的低性能。
2.三星给840标的速度是实际SSD速度表现，并非类似OCZ标的SLC Cache部分速度，所以不存在误导性质，而且从长远的方向来看，今后越来越多的厂商会采用，特别是TLC的产品。
总结部分
优点：
1.做为第一款TLC的SSD，在强劲主控的带动下，除了持续写入受到了TLC颗粒本身的限制外，三星840表现都算比较抢眼，特别是在读取部分。
2.三星的SSD在细节处做的还算比较不错的，比如缓存部分使用了LPDDR2，觉得TLC的传统写入逻辑太折腾换成了Slc Cache模式。
3.不得不说本次固件在性能上进步了，多QD下的写入性能终于赶上来了，相比830提高的不止是一点点，换句话说写入放大也下来了，不过在稳定态的时候写放大预计有15倍以上。这一点我是如何看的？举个最简单的例子，测试中ASSSD三星持续写入为260MB/s附近，而且我们知道这个速度是被颗粒最大带宽限制而非主控，那么当4KB QD32的速度也接近这个数字的时候，也就代表写放大在1倍附近，2者接近。 而在企业级稳定态下，不管是持续还是随机写入都无法突破15MB/s的关口，用260MB/s去除一下，可以看出写放大大于10倍是至少的，这个只是简单例子，精度不高但是却有说服力。
缺点：
1.初期固件的稳定性一如既往的让人提心吊胆，更新的也蛮快的，至少我已经看到2个版本的固件了，比如我们这次测试的是06版的固件，而网上有人就买到05版的固件。MLC的840 Pro版本也已经有2个版本固件了，不过官方并没有放出刷新程序。
2.测试中发现Trim好像有点问题，自带工具箱的Secure erase功能也无效果，可见工具箱还有不少地方要修补。
3.价格实在没有优势，虽然能够理解主控，缓存和研发的成本都提高了，只能说TLC的时代还没完全到来，或者就是这批TLC都是特挑的体质，成本并不低，货源也不多，被拿来试水深。
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