这个地方需要做个提醒，3D TriGATE technology的确系有Intel最先Claim（声称，主张，whatever）他们有用在22nm工艺之中，但是，诚如我之前所说，Intel也是一家企业，并不具有任何社会责任，我们看到，当年Intel在提出WiMAX后，各种小企业和科研机构都投入相当人力进入这个领域研究，直至这个领域被Intel舍弃，如今，当Intel再次声称3D TriGATE a.k.a. FinFET技术将成为主流趋势的时候，同样的一种狂热也在各种企业和科研机构中产生，同样，也包括在Foundry领域内的巨大对手台积电。我们不能不提防这作为Intel的一个战略的可能，所谓兵不厌诈，就在于此，尤其当Intel在这个领域内的确有其风向标一般的实力的时候。
从Intel透露出来的档案中，我们的确可以发现各种应用了FinFET的性能“数据”，但“数据”的表现与Ivy Bridge给我们带来的表现差异甚远，并且，我们没有从任何Intel释出的档案中看到电子显微镜直接拍摄到的3D TriGATE结构图片。并且，Ivy Bridge的热表现又的确非常切合我在文章中所预测，由于Etch后线宽更小所导致的更为严重的热耗问题。我们完全可以大胆怀疑，Intel或许根本没有应用3D Trigate技术。另一个支持我们猜测的原因是，从半导体最关键的一步制造工艺，Lithography的角度来看，Lithography非常厌恶相互垂直的线出现在同一层，这将会导致非常恶心的Proximity effect，并导致yield(良率)的降低，而良率几乎可以算是影响芯片盈利的最关键因素，台积电做代工赚的就是良率的钱呀！
Intel号召起的这个风潮，究竟是炫耀帖还是经济策略，I doubt it. 我很大方的这么说，因为我同样不具有社会责任去承担我的这一种猜测所造成的影响，就和Intel一样。大家参考就行。 |
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