时隔一个多月,让我们来看一下大量写入后的东芝A19nm TLC的烘烤测试是什么情况吧。
本次测试的依然还是之前的那颗OCZ Trion 100 240GB。先让我们看一下OCZ Trion 100的官标耐久度:
OCZ Trion 240GB的官标建议耐久度是60TB(JESD 219A标准,接近最恶劣情况)。
目前我已经主机请求写入了206TB(绝大部分为持续写入)。虽然由于测试标准的不同,并没有直接可比性,但是目前可以说我这颗SSD的P/E已经磨损超过了850,加上写放大其实远远不止如此。这个写入量相信大部分用户在这颗SSD的使用生命周期内都是达不到的。
如图,这就是我使用的的耐久度测试程序,保留全盘24GB可用空间(10%)并进行全盘持续写人,测试SSD本身就是系统C盘(安装Windows 10)。
官方工具箱显示耐久度还剩下73%,可惜SMART信息参数不详细,我无法得知实际的颗粒磨损量。
烘烤测试前的准备工作:
把待测试的SSD全盘格式化后,往里复制进大量的系统文件直至填满(Windows 8.1的系统文件和一些程序软件 -> 来自我的测试平台Intel 520系统盘),顺便加入了三星850 Evo 120GB的测试,想再次验证三星3D VNAND TLC掉速幅度。三星在840Evo的新固件里明显改善了掉速问题(通过自身内部搬运牺牲耐久度达成),而850Evo并未更新过固件,由于闪存颗粒架构上的不同,掉速问题虽然没有早期固件的840Evo严重,但是依然存在(上次已经测试),本次想再公平的验证一次。
烘烤开始前先对复制完文件的SSD进行下基准测试速度。
850Evo 120GB测速。
OCZ Trion 240GB测速
125度烘烤测SSD掉速,相当于什么程度呢?
在125度下烘烤10小时,相当于55度下掉电保存1年,相当于25度下掉电保存50年。
磨损超出官标耐久度后的OCZ Trion 100 240GB,在130度左右烘烤了5小时后测试,掉速严重,平均速度在xMB/s ~ 1xMB/s之间。如图发现测试中内部读取过的数据会自动进行搬运,由于测试盘可用空间已经用尽,搬运效率受到了影响。可以看出搬运过的区域读取速度会显得较快。
我这个测法有点偏激,按照正常使用,即使耐久度消耗过度也不会性能下降到那么离谱,因为内部数据会在日常使用中进行搬运,只是搬运时会频繁出现SSD占用率100%的卡顿倒是一个比较让人头痛的问题,例如上图这样,看来固件还需要改进垃圾回收算法。
全盘扫了1个小时24分钟才扫完。
扫完发现A9(可能是备用块)全部被消耗完了?不过盘并没挂也没锁....
全盘扫描后再测,速度基本能够接受了。最终数据完整性测试通过(数据未出错)。
130度左右烘烤了5小时后的全新三星850Evo 120GB测速。速度从532MB/s跌到493MB/s。看来跌速是不可避免了,下次我会把850Evo 120GB磨损到1000 P/E再测掉速了,看看会跌到什么程度。
总结:
由这个测试可以看出,一颗全新的SSD出错率是比较低的,高温烘烤下并不太容易掉速(三星840Evo实在是因为颗粒太烂),但是当颗粒磨损度到达官标后,出错率会大幅度提高,平日使用主控拥有强力纠错的影响不大,但是时间放的长了数据稳定性就真的成了问题,那些耐久度测试不测掉电或者只测了1周常温掉电的并没什么意义,随着颗粒越来越烂,今后高温老化也将成为耐久度必测项目之一。
为了证明A9是备用块,特意再次测试5000秒的离散度测试,测试前全盘128KB持续写入1小时保证填满。
上面第一张是之前测试时的离散,第二张是这次烘烤后A9跌到0后的离散度,稳定态性能跌到底了,因此可以证明OCZ Trion 100 的SMART里A9定义确实就是备用块的意思。备用块存在于OP里,当备用块用完,那么OP也减少了,所以稳定态性能就下来了。
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