简单的从闪存颗粒上看，MLC的成本应该是SLC的1/2，而TLC则应该是SLC的1/3，实际做成SSD成品后，由于面向的应用环境和售后保障的区别，往往SLC方案价格不止MLC的2倍，但是TLC方案也不见得就比MLC便宜。2015年的今天，SLC颗粒离我们反而越来越远了，目前依然在用的主要是军工市场，那些不追求性能而追求稳定的领域。出于成本和单位容量考虑，高品质的eMLC在中高端企业级市场接替昂贵的SLC来担任混合读写环境的使命，高品质MLC甚至TLC则主用来满足企业市场偏重读取应用环境的需求。
消费级市场目前还是MLC和TLC的天下，众所周知TLC相比MLC可以说除了价格外没有任何优势可言。自三星初代采用TLC闪存颗粒的840系列发售开始，就一直以宣传耐久度媲美MLC甚至比别家MLC更高为理由进行消费行为洗脑，”三星TLC的P/E是高的，所以P/E高的三星TLC是好的。“ 进而赚取高额利润。确实三星SSD的黑科技很牛，能够让TLC颗粒掉电位后的旧数据依然读出来，只是读取速度不敢恭维而已。
如果你还在绕上面这段P/E的话那我只想说你已经越陷越深了。咋们换个角度来看：
1、价格：TLC和MLC，谁更容易掉速啊？（选择三星TLC和其他品牌MLC的时候，价格相同或接近的话你应该考虑的问题）
2、保修：拆机盘和正品零售盘，谁更有保障啊？（选择三星"0通电”OEM盘或者非零售高速PCIe盘的时候先考虑这个问题）
3、厚道：三星和Intel的盘卖的都蛮贵的，谁的保修和服务更好啊？
俗话说什么事都好做，不要挡人财路，就像下面这位，我说的是事实，只不过直接了当了点，结果就惨遭威胁，各位看官觉得如何？
好吧，我也不想被人说是道学家，道德绑架有什么用，咋们下面拿点干货出来。
关于三星掉速的问题，我之前写过一个帖子：从三星840Evo所谓的旧数据读取性能修复工具看本质 - 补完
帖子最后的总结我是这么写的：
1. 新写入的文件（刚被搬运的文件）肯定在SLC Cache区域内并且是连续存放的，因此读写性能都很强，这就是基准测试软件“跑分王"的由来，因为基准测试软件在测试前会先生成一个小范围的测试文件，正中SLC Cache算法下怀。
2. 旧文件存放久，首先肯定会是存在TLC区域里，TLC的访问会比较慢，但是不会慢10倍那么离谱。
3. TLC的Data Retention（数据保存期）不好，读的时候需要用各种电压微调手段来纠错，造成速度大幅度降低。
4. 关于上面第三点，为什么读取重试会造成那么大的性能影响呢？假设一笔数据纠错不出来，则会进主控Error Handle模块，换个电压再读取一次，此时就是两次tRead（数据读取时间），Error Handle模块的函数一般都不是并发的，就是说连续2个Page的数据纠错不像平时是并发读取，而是很可能处理完一个Page再处理第二个Page。过程就会是这样： Page 1,2,3 并发读取，全错， Read Retry Page 1 -> Read Retry Page 2 - > Read Retry Page 3，那么总共就是4个tRead，如果1次Retry出不来，还会有第二次，多次tRead的话读取性能自然就相比平时而言成倍下降。
以上这是我对三星840Evo系列的读取掉速分析，840系列则因为没有SLC Cache，直接看上面的3和4即可。
那么MLC在什么时候会出现上面这个情况呢？
这是韩国网站MX100 256GB连续不掉电写入119天后的成绩：
美光16nm MLC颗粒在P/E达到8552的时候出错，此时读取掉速到这个程度，可以看到第二张图的旧文件读取测试，平均才39MB/s。
下面是测试开始20天左右时MX100的成绩给做参考。
可以看到旧文件读取测试平均速度是478MB/s。
这就是我说的颗粒磨损太多，电位没法保持，读取时候要来回读取和纠错造成延迟和掉速。
我很早时候的帖子就说过，为什么要选择TLC，因为价格低，如果价格不低你买TLC做什么？TLC的P/E能够做到MLC的程度，跑分能够短时间爆发一下超过MLC，了不起。但是当SLC Cache模式反噬来临的时候，代价会比MLC更大的哦。
TLC它价格真不低
这里顺便给本坛特约商家打个广告，MLC vs TLC ，都是5年保修（Intel保修更方便），耐久度限制Intel也放的更宽，请你给我个不选Intel的理由？
别的我不想多说了，真的没什么好说了，说多了都是泪，怎么就有那么多人冲着虚无缥缈的跑分去呢。
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englonzhang真是个TLC吹 intel官方质保被他黑的好惨 说话也难听 CHH有次我和一个哥们联手打脸把他打跑 讨厌玩意 一本正经胡说八道
