时隔一个多月，让我们来看一下大量写入后的东芝A19nm TLC的烘烤测试是什么情况吧。
本次测试的依然还是之前的那颗OCZ Trion 100 240GB。先让我们看一下OCZ Trion 100的官标耐久度：
OCZ Trion 240GB的官标建议耐久度是60TB（JESD 219A标准，接近最恶劣情况）。
目前我已经主机请求写入了206TB（绝大部分为持续写入）。虽然由于测试标准的不同，并没有直接可比性，但是目前可以说我这颗SSD的P/E已经磨损超过了850，加上写放大其实远远不止如此。这个写入量相信大部分用户在这颗SSD的使用生命周期内都是达不到的。
如图，这就是我使用的的耐久度测试程序，保留全盘24GB可用空间（10%）并进行全盘持续写人，测试SSD本身就是系统C盘（安装Windows 10）。
官方工具箱显示耐久度还剩下73%，可惜SMART信息参数不详细，我无法得知实际的颗粒磨损量。
烘烤测试前的准备工作：
把待测试的SSD全盘格式化后，往里复制进大量的系统文件直至填满（Windows 8.1的系统文件和一些程序软件 -> 来自我的测试平台Intel 520系统盘），顺便加入了三星850 Evo 120GB的测试，想再次验证三星3D VNAND TLC掉速幅度。三星在840Evo的新固件里明显改善了掉速问题（通过自身内部搬运牺牲耐久度达成），而850Evo并未更新过固件，由于闪存颗粒架构上的不同，掉速问题虽然没有早期固件的840Evo严重，但是依然存在（上次已经测试），本次想再公平的验证一次。
烘烤开始前先对复制完文件的SSD进行下基准测试速度。
850Evo 120GB测速。
OCZ Trion 240GB测速
125度烘烤测SSD掉速，相当于什么程度呢？
在125度下烘烤10小时，相当于55度下掉电保存1年，相当于25度下掉电保存50年。
磨损超出官标耐久度后的OCZ Trion 100 240GB，在130度左右烘烤了5小时后测试，掉速严重，平均速度在xMB/s ~ 1xMB/s之间。如图发现测试中内部读取过的数据会自动进行搬运，由于测试盘可用空间已经用尽，搬运效率受到了影响。可以看出搬运过的区域读取速度会显得较快。
我这个测法有点偏激，按照正常使用，即使耐久度消耗过度也不会性能下降到那么离谱，因为内部数据会在日常使用中进行搬运，只是搬运时会频繁出现SSD占用率100%的卡顿倒是一个比较让人头痛的问题，例如上图这样，看来固件还需要改进垃圾回收算法。
全盘扫了1个小时24分钟才扫完。
扫完发现A9（可能是备用块）全部被消耗完了？不过盘并没挂也没锁....
全盘扫描后再测，速度基本能够接受了。最终数据完整性测试通过（数据未出错）。
130度左右烘烤了5小时后的全新三星850Evo 120GB测速。速度从532MB/s跌到493MB/s。看来跌速是不可避免了，下次我会把850Evo 120GB磨损到1000 P/E再测掉速了，看看会跌到什么程度。
总结：
由这个测试可以看出，一颗全新的SSD出错率是比较低的，高温烘烤下并不太容易掉速（三星840Evo实在是因为颗粒太烂），但是当颗粒磨损度到达官标后，出错率会大幅度提高，平日使用主控拥有强力纠错的影响不大，但是时间放的长了数据稳定性就真的成了问题，那些耐久度测试不测掉电或者只测了1周常温掉电的并没什么意义，随着颗粒越来越烂，今后高温老化也将成为耐久度必测项目之一。
为了证明A9是备用块，特意再次测试5000秒的离散度测试，测试前全盘128KB持续写入1小时保证填满。
上面第一张是之前测试时的离散，第二张是这次烘烤后A9跌到0后的离散度，稳定态性能跌到底了，因此可以证明OCZ Trion 100 的SMART里A9定义确实就是备用块的意思。备用块存在于OP里，当备用块用完，那么OP也减少了，所以稳定态性能就下来了。
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看来TLC只适合轻度负载用啊
tlc能把价格降下来是好事，不过拉不开价差就很尴尬了。
