三星TLC旧文件读取性能下降问题进一步分析和验证

neeyuese · 发表于 2015-5-9 23:45

三星最近不知怎么乱了手脚一样，先是850Pro固件门：http://bbs.pceva.com.cn/thread-117373-1-1.html

然后急着发布了第二个针对840 Evo旧文件掉速的固件，不过又引来了Linux下的Queue Trim bug：http://bbs.pceva.com.cn/thread-119143-1-1.html

关于TLC闪存掉速的分析帖子可以看：http://bbs.pceva.com.cn/thread-118508-1-1.html
我分析三星TLC掉速贴：http://bbs.pceva.com.cn/thread-100866-1-1.html

以上这些都是旧闻了，现在已经5月了，这次我要带来的是三星旧文件掉速的新闻。

首先是三星新固件也只支持2.5英寸的零售版840 Evo（mSATA的用户#￥@%），并且死不承认除了840 Evo外的SSD出现旧文件读取掉速的问题。

然后下面是证明确确实实存在的840 掉速问题。

经过各大论坛用户验证，19nm TLC (840 Evo采用）大约8周左右的旧文件就会掉速，而21nm TLC （840采用）大约需要40周左右。上图这个是国外测试网站当初测试的840 SSD，测完后一直堆灰到现在，如今拿出来跑了下速度就是这样了。

这块SSD在Lenove ThinPad T530上测试，主盘是浦科特M5M，运行的是Windows 7。从分区和HDtune的波形图范围看到，一上来跌速的区域是13GB的恢复区，其中有2GB空白空间，由于这个区数据从来不动，因此速度跌的很离谱（2GB没数据区间速度高），然后跌速的地方就是数据区，最后40GB区域因为没数据，因此也不跌速。

用专用的测新旧文件速度的软件测试发现，旧文件的速度跌的离谱了。假设你要从这个恢复分区恢复系统的话...估计会比U盘还慢哦。

这个是Dell论坛上用户报告PM851掉速的图

微软Surface Pro 3的读取掉速更新固件，果然只有大客户，三星才会关心。

这个是4块845DC EVO 240 GB 挂Dell Perc 6i做Raid 5的掉速图

从上面的测试结果来说，三星官方的说辞就是在放屁，明明受影响的不止840 Evo这一款。而且从第二次的固件更新说到需要搬运数据来刷新旧数据保证读取速度来说，性能下降的原因就已经很明显是TLC闪存的缺陷导致。（掉电位导致出错率高，三星又不愿意牺牲容量和性能做冗余恢复算法，ECC纠错尝试多次造成掉速）

那么按照这个逻辑，跌速受到牵连的三星SSD型号就会扩展到：
840 EVO - 19nm TLC
840 - 21nm TLC
PM841 - 21nm TLC
PM851 - 21nm TLC (some SKUs)
845DC EVO - 19nm TLC
PM843 - 21nm TLC
PM853T - 21nm TLC

从闪存的原理上来说，高温能让出错率降低，主控ECC纠错能够更效率，能够带来更高的耐久度，因此光跑持续写入（持续写入一般温度最高，写放大最小，除非故意限速）耐久度的话，理论能够跑出最大化的不切实际的P/E，而低温能够降低漏电率，适合停电保存。之前我分析了840 Evo掉速的原因是因为旧文件出错率太高，又没有XOR数据恢复功能，在读取时候循环纠错导致速度低下。那么今天我们就来看看如何用温度来体现这个结论。

同样是上面这块三星840 120GB 21nm TLC，在不同的温度下测出了如下的图：

一般来说正常P/E损耗内的SSD受温度影响不会出现这种情况，这里三星的TLC内旧数据出错率高到已经在主控ECC纠错能力的边缘，读的出和读不出受到温度的影响已经非常明显，看到这些图，其实相比速度来说，我相信用户更担心的会是自己的数据，总感觉命悬一线的样子。

可惜的是虽然闪存在运行时高温能带来错误率降低，但是别的元件例如主控、电容和电路受高温影响可是会带来不稳定的哦，主控高温了还会限速。

三星当初鼓吹自己的TLC品质，固件多好，如今都是自打耳光，还不止一次。

上面这段话你可以说我阴谋论，但这就是市场，三星营销确实比别家要高明的多了。

本文内容部分来源：http://www.techspot.com/article/997-samsung-ssd-read-performance-degradation/

Rufoo · 发表于 2015-5-9 23:53

杀发，棒子TLC宇宙无敌贱货无需解释，棒子粉出来走两步

石头 · 发表于 2015-5-10 00:00

前几天见了一个芯片级的SSD品牌的人，聊到TLC，他说本来去年也能出TLC的SSD，但内部测试还是有问题，可能最快也得是今年年底了。。。。。三星胆子太大了……

wujiakangkk · 发表于 2015-5-10 01:39

不成熟的东西匆匆忙忙摆上来赚完钱就算

szyzb · 发表于 2015-5-10 05:55

一批朋友当了小白鼠

nighttob · 发表于 2015-5-10 07:49

让网友直接DIY一个自发热套件，覆盖在TLC颗粒上，用的时候先预热，再读盘。
然后关机直接放进冰箱里。

真没想到温度-BER这条曲线能在当今的SSD上以这种方式体现。

datura · 发表于 2015-5-10 08:00

真的是只有原理可靠的东西，才是真可靠呀。

豆豆糖 · 发表于 2015-5-10 08:46

楼主是女的么？怎么这么厉害，佩服佩服

amthb · 发表于 2015-5-10 10:01

这种烂货送给我都不用

lacsiess · 发表于 2015-5-10 10:23

8周就掉速......有点强力的感觉,21nm40周勉强还算能用

杰迪武士 · 发表于 2015-5-10 11:00

我的840本来在本本上当主力盘用，出了掉速门后扔台式机上当缓存盘用去了

az6338890 · 发表于 2015-5-10 11:15

话说随着PE数的上升，闪存的漏电率也是要上升的吧
也就是随着不断老化，老文件掉速会越来越明显，直到数据出错？

neeyuese · 发表于 2015-5-10 11:29

az6338890 发表于 2015-5-10 13:15
话说随着PE数的上升，闪存的漏电率也是要上升的吧
也就是随着不断老化，老文件掉速会越来越明显，直到数据 ...

每次充放电就是对绝缘层的伤害，P/E越高绝缘层漏电率越高，出错率高读取掉速肯定越明显。
我们都知道在闪存耐久度的后期，P/E达到官标后依然有着一定的数据保存期（消费级1年，企业级3月），但是三星的TLC是在颗粒还是新的时候（并没有使用超过官标的1000P/E），数据保存期看上去就已经存在隐患了，而且为了跑分强，它固件中并没有加入任何的数据保护XOR算法，就像一张磨损严重的光盘来回的在光驱下读取，能否读取出和读取的速度就看光驱的纠错能力了，可想而知这有多吓人。

zxy356 · 发表于 2015-5-10 13:02

840小白鼠路过，当时买120G容量的时候，三桑在一线里面最便宜，上了贼船啦。下一个盘就买跪着的啦OCZ，已经帮亲戚装了两个，目前运行良好。

baymax · 发表于 2015-5-10 15:11

小白鼠飘过，850系列的evo跟pro不会也这样吧？

bubualex · 发表于 2015-5-10 23:16

三叔賺錢賺得好黑啊！

yukari · 发表于 2015-5-11 02:18

本帖最后由 yukari 于 2015-5-11 12:42 编辑

隔壁大草莓又得連夜開會應對了

单车佬 · 发表于 2015-5-11 09:55

学习了学习了，我也试试玩去

NOIP117 · 发表于 2015-5-11 10:51

TLC成熟了再说，反正现在有大把的MLC可以选择

littlefisher · 发表于 2015-5-11 15:42

镁光不是要放弃tlc，转而开发3d么

三星TLC旧文件读取性能下降问题进一步分析和验证

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