浦科特M5S 128G/256G评测

外观及简介

自台北电脑展曝光以来，浦科特SSD的新系列M5S就受到了相当的关注，今天PCEVA收到了128及256G的M5S产品（因国内尚未正式发售，因此没有外包装），现在就为大家带来M5S这2款SSD的初步评测。


M5S外壳采用铝制拉丝工艺，外观呈银灰色（和前辈M3S/M2P一样），除了浦科特的LOGO之外，一个多余的字都没有，风格简洁、专业。尺寸与M3S也完全一致，官方标称数据是69.85mm x 100mm x 9.5mm。


背面产品标签详细标注了各项产品参数，型号分别为：PX-128M5S和PX-256M5S，功耗分别为5V/1A和5V/1.5A，即5W和7.5W左右，按官方公布的标称数据，M5S全系列实际运行时的功耗仅为2.8W，固件目前为1.00正式版，当然其它相关必要的电子产品认证一个也不会少。

PX-128M5S与PX-256M5S拆解

进行拆解后，相比前辈M2P/M3系列最显著的分别就是因为采用了满负载时发热较低的美光闪存颗粒，所以除了主控位置外，闪存颗粒及DRAM上都没有使用导热帖，因为采用了不同的颗粒，PCB布局也有所改变，主控从背面改为正面了，而其它方面则与前辈们保持一致。


首先看128G的M5S，PCB正面采用了8颗16GB的美光MLC闪存颗粒组成共128GB的容量。


主控依然为Marvell 88SS9174，B1步进，2012年第7周生产。


128G的M5S只采用了1颗南亚的DRAM颗粒作为缓存，Part Number为NT5CB128M16BP-CG，速度为DDR3-1333 CL9。南亚官方网站显示它的Density为128Mbx16=2Gb，也就是256Mbytes，所以它是单颗256MB的颗粒。


闪存颗粒特写，Part Number为29F128G08CFAAB，为美光25nm工艺的L74A系列产品，图中这个型号单个Die为8GB的容量，每个颗粒封装内有2个Die，采用8KB的Page，256个Page组成1个Block，2个plane一个Die。完全写入/擦除周期（P /E）为3000次，支持ONFI 2.2标准，从下方-12可以看出，此颗粒在同步模式下最大可以提供每通道166MB/s的接口速率（12ns DDR）。左下角WP的意思为48针TSOP封装，右下角的A代表第一版。


把128GB的M5S反过来，可以想象由于正面的颗粒容量已经128GB了，所以反面颗粒位置没有东西，只有边上的一部分供电电路。


再来看256G的M5S，PCB正面采用了8颗16GB的美光MLC闪存颗粒。


把256GB的M5S反过来，可以看到另外8颗16GB的美光MLC闪存颗粒，组成了256GB的容量。


缓存颗粒变成2颗南亚的DRAM，Part Number一样为NT5CB128M16BP-CG，速度为DDR3-1333 CL9，2颗组成了总共512MB的容量。


主控和128GB的一样为Marvell 88SS9174，B1步进，2012年第7周生产。


闪存颗粒特写，也是和128GB的M5S一样，Part Number为29F128G08CFAAB，为美光25nm工艺的L74A系列产品，图中这个型号单个Die为8GB的容量，每个颗粒封装内有2个Die，采用8KB的Page，256个Page组成1个Block，2个plane一个Die。完全写入/擦除周期（P /E）为3000次，支持ONFI 2.2标准，从下方-12可以看出，此颗粒在同步模式下最大可以提供每通道166MB/s的接口速率（12ns DDR）。左下角WP的意思为48针TSOP封装，右下角的A代表第一版。


测试平台和设置
CPU：Core i7-3770K OC 4.5GHz
主板：Gigabyte Z77X-UD5H WB WiFi
内存：Team Xtreem LV 2133 CL11-11-11 1.5V 4GBx2
显卡：MSI R6570 MD1GD3
硬盘：浦科特PX-128M5S和浦科特PX-256M5S +西数320G蓝盘
电源：安耐美冰核REVOLUTION 85+ 1050W
散热器：采融 Megahalems REV.B


测试开始先看CDI信息

没有什么特殊的，一如既往的项目稀少，虽然固件为1.00版本，不过从B1项目来看，固件应该是完全支持最新的工具箱并且可以看耐久度的。


AS SSD Benchmark 1.6
AS SSD在1.6版本加入了压缩文件的测试，主要针对SandForce系列主控的压缩机制，在Marvell主控上基本没任何影响，所以这里就不测了，只跑标准测试部分。（加入M2P客串下）




非系统分区空盘测试：可以看到128GB的M5S读取性能强过M2P，特别是在延迟上表现更佳，而写入上则弱了不少，表现更接近于128GB美光m4的表现。256GB的M5S则表现突出，随着容量翻倍，写入性能也水涨船高。


CrystalDiskMark 3.0.1a X64
CrystalDiskMark默认运行5次，每次1000MB的数据量，取的是最好成绩。（加入M2P客串）



非系统分区空盘测试：表现的和ASSD如出一辙，当然CDM的跑分普遍会比ASSSD高点，同容量下的M5S系列读取比M2P强，写入比M2P弱。


PCMark 7
PCMark 7是一个特殊的脚本测试软件，模拟普通用户的日常操作情况。在存储测试方面，PCMark 7加入了各种模拟应用测试，它既不会有很深的QD，也不会有太大的数据流量，因此不会对主控和缓存造成太大的压力，用来测试家庭用户的应用环境磁盘效能则 再好不过了，总体来说会比之前的理论测试更接近用户实际使用情况。


128GB M5S 5318分


256GB M5S 5397分

非系统分区空盘测试：5400分不到的成绩和M2P，M3P表现很接近，也就是说平时使用上，根本感觉不到差别，所以挑便宜的买啦。


压力测试
接下来使用IOMETER2008制造碎片数据，对浦科特PX-128M5S和浦科特PX-256M5S跑2小时的4KB 随机写入，QD32（对齐，全盘空间，无文件系统）。


浦科特PX-128M5S结束时的IOPS


压力测试后跑的HDtune 持续64KB写入测试波形


快速格式化后的HDtune 持续64KB写入测试波形，性能恢复到初始状态。


浦科特PX-256M5S结束时的IOPS


压力测试后跑的HDtune 持续64KB写入测试波形


快速格式化后的HDtune 持续64KB写入测试波形，可以看到Trim的表现完美。


性能图表
2小时4KB QD32随机写入，5分钟一个采样点，浦科特PX-128M5S和浦科特PX-256M5S的IOPS图表：


写入上确实美光的颗粒不如Toshiba的颗粒，显然128GB M5S输给了128GB M2P和M3P，和160GB的M3相比也逊色一点，不过跑的时间越长，差距越小，最后性能会表现的基本相同。当容量翻倍后，写入速度还是可以在这里欺负那些低容量的型号的，很明显也需要更久的时间去接近稳定态。

用IOMETER2008测试QD对随机4KB读取和写入速度的影响：(建兴64GB M3M跑在SATA 3.0Gbps模式)


随机4KB写入由于QD深度的大小造成的区别：QD1下性能基本接近，这里可以看到表现的比160GB的M3好，因为那个型号只有5个通道。随着QD的提高，128GB M5S速度被颗粒限制，而256GB M5S在这里轻松欺负低容量的型号。


随机4KB读取由于QD深度的大小造成的区别（有文件系统，全盘LBA）：

读取上差距很小，基本在5%以内，不过大多数情况下采用美光颗粒的型号会比相同容量的采用24nm TOSHIBA(Toggle DDR 1.0)颗粒的型号强，而比19nm TOSHIBA(Toggle DDR 2.0)的颗粒型号弱，这里160M3弱的原因是因为通道数为5通道，如果是128GB的M3相信会胜出，不过差距真的很小。


总结

很明显浦科特从M2P，M3，M3P，M5S一直沿用了同一个架构的算法，只是在性能上做出了微调以搭配不同的硬件布局和市场格局，在性能表现特点上总体相近。由于Toshiba的颗粒成本比较高，这次浦科特换上原厂美光的25nm颗粒明显是针对前段时间的三星跌价，这样既保持了该有的性能，能够冲击一下主流市场，玩价格战的话也不会怕。

众所周知浦科特的盘体和测试都是由建兴做的，使用的是老牌机械硬盘测试厂商Flexstar的设备，鉴于之前的良好品控，相信换用原厂美光颗粒后品质也会依然优秀。由于Marvell主控的固件部分其实是由各厂商自行开发，浦科特 的Marvell主控固件自然也是由建兴开发的，这套算法已经沿用了3代产品，性能和可靠性抖已经接受了市场检验。在保修政策方面，浦科特M5S系列实行三年保修政策，让消费者放心的选购，相信在价格方面会显得更平易近人。

对本次浦科特带来的M5S性能失望的朋友，可以继续等待浦科特的M5P系列，如果不出差错，应该是搭配新一代的Marvell主控（莫纳）和Toshiba 19nm Type A的颗粒。由于到时候新主控频率和性能的提高，对Toggle 2.0颗粒的支持会更好，自然也就会带来IOPS相比当前旗舰M3P系列更强的表现了。

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附加篇
测试最后我稍微花点篇幅来讲解下我本人对浦科特目前这几款SSD之间性能表现出来差距的理解，希望让用户能够更清楚的看明白。

浦科特 M2P系列 8通道   128GB  256GB  512GB
Marvell主控搭配32nm Toshiba Toggle DDR 1.0 颗粒，单通道最高接口速度 133MB/s。 理论8通道总带宽1064MB/s

浦科特 M3系列 8通道     64GB 128GB  256GB  512GB
Marvell主控搭配24nm Toshiba Toggle DDR 2.0 颗粒，单通道最高接口速度 400MB/s。（受到主控限制，只能发挥166MB/s） 理论8通道总带宽1328MB/s

浦科特 M3系列 5通道     80GB  160GB
Marvell主控搭配24nm Toshiba Toggle DDR 2.0 颗粒，单通道最高接口速度 400MB/s。（受到主控限制，只能发挥166MB/s）理论5通道总带宽830MB/s

浦科特 M3P系列 8通道   128GB  256GB  512GB
Marvell主控搭配24nm Toshiba Toggle DDR 2.0 颗粒，单通道最高接口速度 400MB/s。（受到主控限制，只能发挥166MB/s）理论8通道总带宽1328MB/s

浦科特 M5S系列 8通道   64GB  128GB  256GB
Marvell主控搭配25nm Micron ONFI 2.2颗粒，单通道最高接口速度 166MB/s。理论8通道总带宽1328MB/s

其中浦科特采用的Toshiba颗粒实际写入性能接近Micron颗粒的2倍，因为颗粒内部结构有点独特，可以1次同时执行1个Plane内部的2个Page编程（内部寄存器容量需要翻倍并且各自独立），成本高很大一部分也是这个原因，可以认为这是M5S系列写入做不过M3P系列的根本原因，并不是像M3系列那样靠固件故意限制。（换句话说M3算法的写入部分上限制为1次执行1个Plane内部的1个Page编程）

如果算法架构相同，在做到最大优化的情况下表现出来的特征如下：

1.        4KB读取低QD表现最好的应该是M3P，表现最差的应该是M2P系列（单通道接口速度低造成的延迟开销影响），然后是M3系列5通道产品（通道数量少造成的数据并发效率低）

2.        4KB读取高QD表现应该除了M2P系列外都差不多，M2P系列会低一点。（通道接口速度低造成的延迟开销影响并发速度）

3.        4KB写入低QD表现都应该差不多，因为大部分情况下数据缓存把延迟给隐藏掉了，除了M3系列5通道的产品（通道数量少造成的数据并发效率低）。

4.        4KB写入高QD表现受到的影响从大到小分别是：SSD容量（全系列）>SSD固件故意限制的写入速度（M3）>SSD颗粒上的微小延迟（M2P）

终于等到

M5S如果能混刷的话，会提高性能吗？
估计价格会比M4略高。现阶段，64G和256G的M5S值得入手，规格比M4高。128G还是M3划算，因为能混刷。

价格是主要的，观望

请教浴大，浦科特的固件已经把镁光颗粒的性能发挥到极致了吗？还有提高的可能吗？

坐等内地上市。。。。

前排      

等256G                                                                     

M5P 很向往的说....
不过再快 也快不过 SATA6Gb
看来SATA标准还得提高 何时才能步入Tb级啊。。。

不知道什价格上市

sf粉鹿过

貌似9187 单通道才 200MT/S 浪费颗粒了(8通道*200也超过了SATA3.0的理论速度了...不过还是可惜了颗粒的实力)

这个应该是浦科特要打价格战的产物了吧

坐等内地上市。。。。

m2，m3系列的用户肯定是盯着m5p的测试呢。呵呵。

浴室大人就是专业！

终于出评测了~

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PS.浴大也抢到了2根299条子啊 = =

banny 发表于 2012-6-29 13:20
M5S如果能混刷的话，会提高性能吗？
估计价格会比M4略高。现阶段，64G和256G的M5S值得入手，规格比M4高。12 ...

你还想混刷成什么？

既然已经有了128 m3了，而且没混刷，就只纯看看了
下次要入就要等1TB级别的了。

aican 发表于 2012-7-1 09:35
既然已经有了128 m3了，而且没混刷，就只纯看看了
下次要入就要等1TB级别的了。 ...

起码要等到2013年底哦