是真的吗？《闪存的末日 NAND技术走入死胡同》(转贴)

(转贴)

闪存的末日 NAND技术走入死胡同
存储在线 12年06月13日 14:14 【编译】 译者：bill 责任编辑：王振

导读：NAND正在走向坟场。随着每次制程上的缩小和每次提高单元比特，NAND离坟墓就越来越近。任何代替的NV-RAM(非易失性-随机存取记忆体)技术都将要求控制器软件上的更替，这会导致一批小型闪存阵列初始公司的倒闭。


关键词： 存储 闪存 NAND
DOSTOR存储在线 6月13日国际报道：NAND正在走向坟场。随着每次制程上的缩小和每次提高单元比特，NAND离坟墓就越来越近。任何代替的NV-RAM(非易失性-随机存取记忆体)技术都将要求控制器软件上的更替，这会导致一批小型闪存阵列初始公司的倒闭。

NAND闪存是非易失性的，但是制造它很昂贵。要想让NAND变得经济上可以接受，技术上便要走向死胡同。第一个方法是缩小制程尺寸，从一片晶圆上割下更多的闪存晶片，降低每个晶片的成本。但是制程上的缩小会导致闪存工作寿命的损失，也就是编程/擦除(PE)次数以及闪存单元可写入次数的降低。

通常认为59-50纳米(50多纳米)制程可以带来1万次2比特多层单元(MLC)PE次数。30多纳米(39-30纳米)制程可以带来5000个PE次数，而20多纳米的单元只有3000次。一个10多纳米的单元在没有给NAND产品过量配置其他单元的情况下它的耐用性是非常低的。

NAND控制器软件可以用于抵消这股趋势，实际上也已经这么做了——使用技术手段来降低写入次数，从那些已经损耗的单元那里更好的获得数据，以及过量配置。但是问题还在不断增加。

第二个提高经济性的方式就是在基本的1比特闪存单元——单层单元(SLC)闪存——的基础上增加额外的比特。MLC是每个单元2比特。TLC是每个单元3比特。

在30多纳米制程下，SLC NAND可以进行1万次PE;MLC可以进行5000次;TLC可以进行1250次。估计20多纳米制程的TLC只能进行750次。你可以想象10多纳米制程的NAND的耐用性有多差：难道我们能用只能写入不到500次的闪存吗?

我们可以肯定地说我们将不会看到4比特单元的NAND，而且我们应该也不会看到——实际上是很不可能——低于10纳米制程的NAND，或甚至低于15纳米制程的NAND。这已经是死路。

大家知道并理解20多纳米制程的TLC今年将进入企业存储使用情境并将持续到2014年。此后，10多纳米制程的TLC可能将可以实用，而低于10 纳米制程的TLC应该不会出现。那么到时候会发生什么呢?人们对更高容量、更长寿命和更有经济性的非易失性记忆体的需求将不会消失。

有几个后NAND时代的技术跃入人们的视线，比如相变记忆体、电阻式RAM(随机存取记忆体)、忆阻器以及IBM的赛道记忆体。这些技术都声称能带 来比闪存更高的容量、更快的速度和更长的工作寿命。现在还不清楚哪个技术能够成为取代NAND的非易失性记忆体。无论是哪一个，原来为了抑制NAND缺点 的控制器软件是不需要了。

MLC NAND损耗均衡和写入放大缩减技术将不再需要。NAND信号处理可能也无关紧要。垃圾搜集方式将完全不同。整个代码堆栈将必须重写。所有的闪存阵列和复 合式闪存/磁盘初始公司将发现它们的软件知识产权贬值，业务模式遭到来自后NAND技术初始公司的挑战，因为后者的产品可以提供更长的工作寿命和更高的性 能。

在最坏的情况下，NAND存储初始公司将发现它们的竞争优势将不再可持续，它们将失败。闪存SSD(固态驱动器)控制器公司和控制器软件所有者的公司如果要进入后NAND NV-RAM产品领域，就必须编写新的代码堆栈。突然间，NAND控制器软件业务的所有人都将发现自己得从头开始。

看到这一点也同意这一点的风险投资家和长期投资者将会说闪存和复合式闪存/磁盘存储初始公司将没有长期的未来，它们的技术将很快走向死胡同。除非它 们的公司被收购，背后的投资者才有可能取得他们想要的回报，否则就会损失投资。闪存和复合式闪存/磁盘初始公司背后的聪明的投资者已经意识到了这一点。并 购才是唯一现实的退出策略。

潜在的并购者是否也知道这一点?他们是否知道这些闪存阵列和复合式闪存/磁盘阵列初始公司虚高的估值只能是短暂和不可持续的?为闪存阵列初始公司支 付数十亿美元的价格很可能不会带来回报。对它们的预期必须要脚踏实地。我们目前可能正在经历闪存阵列的泡沫。这个泡沫将很快爆裂，因为NAND的限制已经越来越清晰了。

从长期来看，企业级闪存也不过是过眼云烟。

有类似问题，但是不能单单用闪存颗粒就决定ssd寿命，主控一直在进化，即使不提高工艺用扩大规模的方式也能降低成本，何况TLC兴起之后没准价格和HDD持平呢？即使是750次的TLC 高达1TB的容量加上主控的改进也能写入超过1000TB的宗容量写入吧，足够家庭用户使用了，并且新兴相变存储估计也会在5年内商用，该颗粒寿命更长，读写速度更快，所以不要杞人忧天了。。

PCRAM是一种非易失性随机访问存储技术，利用电阻体的结晶态和无定形态存储数据，即使在断电状态下也能保持完整。PCRAM的性能有望达到NAND闪存的一百倍，可靠性更是高达一千倍，而功耗仅相当于DRAM。再加上相比于其它存储技术更加简单的结构，PCRAM还能大大降低生产成本，改变行业面貌也不夸张。
原文出自【比特网】，转载请保留原文链接：http://storage.chinabyte.com/383/12357383.shtml

新型存储器——电阻性记忆体

简介
　　电阻记忆存储器是由英国伦敦大学学院等机构研究人员于2012年研发出的一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备，与普通的闪存相比，耗电量更低，而存取速度要快上一百倍。

工作原理
　　电阻性记忆体的基础是忆阻材料，这种材料的特殊性在于，在外加电压时其电阻会发生变化，随后即使取消外加电压，它也能“记住”这个电阻值。

研究发明
　　这项成果源于意外。研究人员最开始是在用硅氧化物制作发光二极管，但在实验过程中出了故障，发现所用材料的电学性质变得不稳定了，检查之后发现它们电阻在变化，原因是已经变成了忆阻材料，于是正好把它们转用于研发新型存储设备。

优点
　　一、比闪存更快更节能。其能耗只有闪存的约千分之一，而其存取速度是闪存的一百倍以上。
　　二、可在常规环境下运行，应用价值极高。

参考资料：http://baike.baidu.com/view/8648904.htm

这个是必然的。新技术、新材料、新产品将会取代旧的技术，旧的材料和旧的产品。

就是不知道这个衔接过程要多产时间了，会不会一段时间内SSD容量和性能不再提升

这些担心都是多余的，因为控制器的技术也在发展，每一代主控搭配的技术可以支撑1~2代闪存工艺的更新。

你拿4年前的主控来计算当前工艺闪存的耐久度，自然是自找坟墓了。

闪存的发展现在是文章所说的这个趋势。
但是闪存是要配合使用的。控制器不能忽略啊。

neeyuese 发表于 2012-6-14 14:00
这些担心都是多余的，因为控制器的技术也在发展，每一代主控搭配的技术可以支撑1~2代闪存工艺的更新。

你 ...

主控再更新，写入放大也不会小于1啊。。。
也就是如果颗粒寿命为500P/E，再好的主控也木有用

111alan 发表于 2012-6-14 16:19
主控再更新，写入放大也不会小于1啊。。。
也就是如果颗粒寿命为500P/E，再好的主控也木有用 ...

恰恰相反，SF主控的特色就是能压缩实际写入容量，简单想一下rar，他能把类文字的东西压缩到几十分之一。要不为嘛说sf先进呢，就是sf一直没处理好固件的成熟罢了

新技术那么好  那现在的老公司投入了那么多钱的生产线不是变垃圾了？老牌公司不会联合从中使坏尽量延迟新事物的产生吗？

PC RAM和亿阻应该是非常有前途的，就是不知道要等到什么时候，PCRAM我记得hynix棒子试产过，就是容量超小

按照这标准HDD几年前就得死了吧，但还不是照样用，只是一年不如一年可靠。存储密度上升可靠性就得降低，接近某一极限就得换介质技术了。

红色狂想 发表于 2012-6-14 11:34
新型存储器——电阻性记忆体

简介

没提到存储密度吗？存储密度很关键啊，SSD容量整天被人念，要是实际生产起来比SSD悲剧的话，只能是和平民百姓无缘了。

其实很早就有文章说，从长远看，NAND并不是最合适的SSD存储技术。
现在三星首先发力，SSD大降价。SSD厂商现在闻三星色变。而三星本身恰恰参与到下一代存储器PCRAM的研究当中。再联想到明年这类存储器将有产品问世。。。
也许这和SSD大降价有关系吧。

其它相应的技术也在发展

下一代相变存储器的东西其实早出来了，不过都是展示和实验性质的，还没有投入企业级应用，更别谈民用了。另外这类东西，一般是做为内存和当前NAND之前的Cache作用，因为容量做不高，成本却高的可怕，5年之后再来谈论这东西吧。

技术发展到一定时候都会出现瓶颈的，包括CPU的也是，上次看过一篇文章说CPU也会在10多纳米制程的时候出现不可解决的问题，也许到时候会出现新的技术来解决，技术的革命不就是这样一代一代进步的~不过也有可能停滞不前，比如安全的电池的技术~

这篇文章分析得不错！看完之后说说我自己的看法：
首先，NAND越做寿命越差已成为NAND的硬伤。软件算法再好也不能弥补，楼上还有人提到压缩，可事实上并不是所有的数据都能有一个理想的压缩率，有些甚至不能压缩。再者，软件的复杂化必然导致开发难度和周期的增大以及不计其数的BUG，软件过分复杂之后就不会沿着这种方向走了，而是用硬件实现，三层交换机就是一个例子。

其次，虽然在有些人眼里闪存只是放置软件程序，就算闪存坏了再买一个（或换新）然后重装就行。但这不适合那些对存储稳定性和安全性较高的场合。NAND这样走下去（寿命越来越低，主控软件越做越复杂）会遭到高端市场的抛弃。这样一来离淘汰也就不远了。

最后，作为用户真心希望技术进步。若有比NAND更好的技术受益的是用户，像忆阻器这样的新技术还是很值得期待的。

三丧的830 128G居然有卖699的了。。。那个啥Biwin的120G异步玩意看来要继续降价才行啊哈哈

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