以编码M471B5273CH0-CH9,颗粒K4B2G0846C-HCH9为例
三星内存编码
第一行:4GB不解释。。2RX8 =2面各8颗共16颗内存颗粒。PC3-10600 DDR3带宽10600mb/s
第二行:针对三星内存的产品编号,其中“M”代表Memory,“4”代表DRAM,“71”代表内存模组类型,“B”代表DDR3。需要注意的是,“C”的含义则是40nm。当然M379或者M471是否还会有采用其他工艺颗粒的产品目前还不得而知,但是从主流的M378和M471的情况来看,除了C代表40nm以外,B代表50nm,而D则代表30nm。CF8是8500 也就是1066HMz,CH9是10600 是1333HMz,后面的数字是批次
三星内存颗粒
三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以介绍这两部分的含义。
编码规则:K 4 X X X X X X X X - X X X X
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM、B表示DDR3系列。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。2G代表单颗容量256M(2G/8,具体原因下文有)
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8bit;16代表16bit.....如此类推
第8位——内存BANK:3:4bank(2^(3-1))、4:8bank(2^(4-1))
第9位——电压“6”代表电压标准也就是1.5V,
第10位——“C”代表的是校订版本,其实也是指40nm。也就是说,颗粒编号和标签编号的这个位置一定是对应的。
第11位——连线“-”。
第13位——“C”代表1.5V,如果是“Y”则代表1.35V。
第14、15位——芯片的速率,H9位CL9的规格。。如此类推
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如上面三星DDR3内存,使用16片SAMSUNG K4B2G0846C-HCH9颗粒封装。颗粒编号第4、5位“2G”代表该颗粒是256M单颗,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽.最终容量256*16=4G
注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
1.一个逻辑Bank的颗粒深度已知的有1M、2M、4M、8M、16M和32M等。
2.一个颗粒的位宽有过4bit、8bit、16bit和32bit的。目前,内存的位宽大都是8b和16b的;
3.一个颗粒中的BANK数有4、8和16个的,DDR内存的位宽多是4BANK的;目前DDR2和DDR3内存大都是采用8个Bank的;
4.BANK的深度与BANK的乘积称为颗粒深度(Chip depth),也称颗粒长度或地址空间。
5.颗粒密度有64Mb、128Mb、256Mb、512Mb、1Gb和2Gb多种。DDR内存的颗粒密度最大为512Mb;目前DDR3内存的颗粒密度可以达到8Gb。
6.颗粒密度除以8b/B才是以字节表示的每个颗粒的容量(Capacity)。
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