最强GTX580君临：微星N580GTX Lightning XE测试

目录：

2楼：GF110相对GF100的改进：并不是简单的特挑良品！
3楼：N580GTX Lightning XE介绍：在前作N480GTX Lightning的基础上更进一步
4楼：N580GTX Lightning XE细节
5楼：测试平台及显卡识别信息
6楼：Tessellation（曲面细分）技术介绍
7楼：过流保护电路分析及效果实测
8楼：性能测试数据汇总、
9楼：默电与三重电压调节超频
10楼：总结

我们知道GF100（GTX480）在发布初期让人失望过很多次，从最初的多次跳票到最后无法完成全规格发布，虽然NVIDIA已经不是第一次干这事，但这次的原因不能完全归咎于台积电的良品率，更重要的是NVIDIA对GF100的设计本身就不仅是一个简单的3D图形处理器而已。

从GF100的核心照来看，中间大量的面积被庞大的L2缓存占用，这些L2缓存在并行计算时能发挥出色的作用，但是对3D渲染效能则无太大影响。即使老黄一再强调GF100通用计算能力之强大，广大的3D性能追随者并不领情。不仅如此，由于GF100的良品率及晶体管数目过于庞大，使得全规格的GF100核心超出了300W的热功耗设计（官方说法），这让GTX480不得不屏蔽一组SM单元，也就是32个CUDA核心，以480个CUDA核心的非完整姿态出厂。


后来NVIDIA通过对GF100核心改进，压缩了L2缓存，并改进了纹理过滤与Z轴压缩的算法，之后推出了GF104核心，GF104核心（GTX460）CUDA核心数虽然被削减到336个，功耗大幅减小，但是性能与GF100差得并不是太多，这让NVIDIA打了个翻身仗，GF104核心取得了非常大的成功。

半年之后，NVIDIA基于GF100重新设计了GF110核心，整体虽然没有太大的改动，但是沿用了在GF104上的这些改进算法，以及重新设计的布线改进了GF100的漏电问题，使得功耗有所下降，此外得益于台积电40nm的良品率提升，使得NVIDIA最终可以把GF110的512个CUDA核心全开，并且核心工作频率由701MHz提升到772MHz。这样，GTX580就诞生了。

今天我们要测试的，就是基于GF110核心的微星旗舰显卡N580GTX Lightning Xtreme Edition（以下简称XE）。

在前作N480GTX Lightning上，我们介绍了它的特色Power 4架构——CopperMOS、12+3+1相供电、Proadlizer电容以及核心显存分离式供电，N580GTX Lightning XE同样基于与N480GTX Lightning相似的非公版设计，除了保留Power 4架构设计，以及继续采用微星传统的三重电压调节功能之外，它比起公版的GTX580核心/显存频率由772/4008MHz超频到832/4200MHz，并把显存容量翻倍到3GB，还在散热器设计上玩出了新花样。


首先来对比一下两兄弟，包装盒并无太大变化，依然是F-22战机和比22寸显示器还大的盒子。N480GTX Lightning基于GF100核心规格，出厂频率为750/4000MHz，显存规格为1.5GB/384bit，拥有480个CUDA核心。而N580GTX Lightning XE则基于GF110核心，出厂频率为832/4200MHz，显存规格为3GB/384bit，拥有512个CUDA核心。

微星在TwinFrozr III初期采用红黑配色的色调，这种色调被应用在N480GTX Lightning上，使它成为当时唯一一款“TwinFrozr III”的特殊存在，但是后来微星没有在TwinFrozr III上继续采用这种风格，而是改成了类似N560GTX-Ti HAWK与N580GTX Lightning非XE版那样的灰色外壳，到了N580GTX Lightning XE，这个外壳再次被重新设计，加上蓝色的风扇，使得它的外观又成为了一种特殊的存在。就外观来看，我觉得N580GTX Lightning XE比较时尚一些。


背面，N580GTX Lightning XE少了一块背板，N480GTX Lightning的背板做工无论是厚度还是质感上都非常棒，但它也是造成我的N480GTX Lightning花屏的罪魁祸首，所以现在我的N480GTX Lightning也是没有安装背板的。当然了，那张卡被我拆过很多次，又多次上过液氮，出点问题也没什么奇怪的。但是不管是为了美观，还是为了保证PCB不下垂，N580GTX Lightning XE没有背板还是有点可惜了。


背部视频输出接口没什么变化，依然是一个DP、一个HDMI和两个DVI，接口全部采用镀金处理，并且MSI配了接口保护套，能防止接口氧化。


外接供电：N580GTX Lightning XE比起N480GTX Lightning少了一个6pin的接口，导致它在Power 4中的“显存独立供电”解释上有些牵强。不过按照MSI的说法与PCB走线来看，靠外的那个8pin接口有一部分是独立给显存供电的。当然了，少了一个6pin接口的好处就在于它不再那么考验电源接头的要求，也不会因为使用D口转6pin而影响机箱走线美观了。


顶部的V-checkpoints电压测量点，以及TwinFrozr III的标识，看上去没有太大变化。


SLI接头也是两个，不过散热器的外形变了许多，这个位置也多了一条横杠，起到在没有背板的状况下保护PCB不下垂的作用。


大家可能已经从别的渠道了解到N580GTX Lightning XE风扇的特殊设计，这里我来详细说说。它采用了一种热敏变色涂料，这种物质在常温下是深蓝色的，在温度达到45度的时候就会逐渐变浅，最终变成白色。我们想让它变白很简单，只要用一个吹风机稍微吹一下，不出几秒钟就能变成白色了。但是如果是用手捂着，无论你捂多久它也不会变色，说明人的体温37度左右还没达到变色的温度。之前有消息说它“集成了智能温度探测”，“在核心温度达到45度的时候风扇会变白”，这些说法都是错误的。不过这东西的存在意义并不仅是为了好玩，如果在显卡工作时你发现它整个都变白了，表明进风口的空气温度就已经达到45度了，说明你的机箱风道非常渣，大量的热空气积聚在机箱内部，这样会大大提高显卡核心及元件的工作温度，对显卡的寿命和稳定性而言无疑是最坏的消息。


在冷却的时候，这种涂料不会马上变回蓝色，而是需要等大约5分钟时间，中途即使温度降下来了，颜色也只是慢慢地恢复。


在室温27度及裸机状态时，即使加压超频开满100%的转速也只有风扇轴心部分会变白。这没什么关系，毕竟风扇转动时轴心也会发热，但是至少说明了进风口的空气温度还没让扇叶也达到能让它变色的程度。因此，如果扇叶变白了，请检查你的机箱风道吧。


风扇的代工厂依然是Power Logic，采用双滚珠轴承，风扇尺寸为9cm，标称规格为12V 0.55A。在风扇两侧各有一个LED，它们的颜色不同，分别表示风扇的顺时针与逆时针运转。


N580GTX Lightning XE散热器设计的另一个特色就是它能在通电时进行一定时间的反转，据称最多会反转30秒，但是我发现通常只反转大约10秒，也就是从开启电源到正在启动Windows的时候，可能视核心温度而决定。风扇上的红色LED灯亮，说明这时候风扇在反转（顺时针），这是MSI设计的一个除尘功能，在反转时风扇实际上是向外吹，可以把依附在散热片上的灰尘吸出来。


通电一段时间后，风扇变成逆时针运转，此时是正常的工作状态，蓝色LED灯亮。

拆掉N580GTX Lightning的散热器，我们可以看到连接了MOSFET与显存的散热板，这块散热板非常结实，一直连接到PCIE槽位固定的地方，看来微星是认为这个散热板就可以支撑PCB不变形了，因此把背板省了。不过从它的强度来看，应该确实是没有任何问题。


两兄弟的PCB照，大体上没有太大区别，除了核心与12V外接供电接口及相关滤波电路的改变外，BIOS切换开关被移到了背面，另外，在供电部分加入了过流保护电路，这个待会我们详细介绍。


背面：Proadlizer电容由嘉美工换成了NEC/TOKIN，规格则没有改变，都是2V/1000μF。核心背部的电容排布有所改变，加入两颗钽电容，480LT原有的背部MOSFET空焊位被移除，别的部分则无太大区别。


核心：GF110-375-A1，采用台积电40nm工艺制造，封装尺寸与GF100一样，4.23x4.23cm，拥有512个CUDA核心，晶体管数30亿，核心面积520平方毫米，TDP为244W。


显存采用海力士（Hynix）的H5GQ2H24MFR-T2C，速度为0.4ns，等效频率为GDDR5-5000MHz，单颗256MB/32bit，N580GTX Lightning XE总共使用12颗这样的颗粒，组成384bit/3072MB的GDDR5显存规格。


周边功能元件，从左上到右下：
双BIOS设计，N580GTX Lightning搭配了液氮模式专用BIOS，可以让电流限制电路不起作用。
V-Checkpoints，从左到右依次是PLL电压、显存电压和GPU核心电压的测量点，在显卡包装盒附件内我们可以找到测量线，只要把它接上，我们就可以用万用表直接读数。
背面三个DIP开关，与480LT一样，我们可以从PCB上的标识知道它的作用，从左到右依次是：解开过流保护（尝试过，无效。看起来跟核心OCP设计不是一回事），提高PLL电压、提高PWM频率、提高GPU核心与显存电压。
靠近下方的PCIE插槽位置的DIP开关，是用来禁止温度传感器工作的，可以在液氮冷却条件下有效防止Cold bug。


相位灯，显示当前启用的供电相数，与480LT无太大变化。


PCB背部的Proadlizer电容特写，NEC/Tokin出品的2V/1000μF规格，滤波能力要强于一般的固态电容，在大幅加压状态下对电流稳定性的优势很大。这也是N580GTX Lightning及它老兄的Power 4架构之一。


散热器对比，散热片与热管设计相比480LT并无太大变化，只是风扇罩和风扇改变。依然是3条6mm+2条8mm的热管与镀镍铣底铜底座。


为了保证双槽的厚度，散热片面积无法做太大，但是超过PCIE挡板高度的PCB与散热器尺寸设计让整个散热片在纵向有了一定的增加散热的空间，风扇的尺寸也得以增加到9公分。

CPU：Intel Core i7-2600K
主板：MSI Z68A-GD80
内存：三星M379B5273CH0-CH9 4GBx2
显卡：MSI N580GTX Lightning XE
硬盘：西数320G蓝盘
电源：安耐美冰核REVOLUTION 85+ 1050W
散热器：九州风神 冰阵600
OS：Windows 7 Ultimate
驱动：Forceware 275.33 WHQL

N480GTX Lightning的GPU-Z检测信息（物理加速由于被我在驱动控制面板中关闭，所以没有勾，下同）：


N580GTX Lightning XE默认BIOS的GPU-Z检测信息：


N580GTX Lightning XE之LN2档位BIOS的GPU-Z检测信息（已经被我超频回它的默认频率）：


默认的2D状态：0.9620V，核心频率51MHz，显存频率135MHz
默认的3D状态：1.0380V，核心频率832MHz，显存频率1050MHz（等效GDDR5-4200MHz）。

如果说DX10的关键词是Shader（统一渲染架构），那么DX11的关键词就是Tessellation（曲面细分）。Tessellation其实最早是由AMD（ATI）提出，早在R600图形核心中就已经集成了Tessellator单元，但是经过多年的沉寂之后终于在DX11的时候被微软采用，并开始在DX11的3D程序中普及开来。

如果说“曲面细分”这个概念大家难以理解，那么我们可以从一道简单的数学几何题目说起。首先大家要知道，曲线、曲面的参数都属于无理数，例如圆周率π，在计算机的二进制中，它们不可能作为常量来使用，但是我们可以通过使用有理数与人为定义的一些算法来算出这些无理数的近似值。计算机对图形的模拟，是通过坐标（点）与坐标之间的连线实现的，同样道理我们对坐标值也只能使用有理数。看下图，首先是一个等边三角形，然后再来看正方形、正六边形、正N边形……当我们看到边数越多的时候，图形的形状就越趋近于一个圆，但是不可能模拟出一个完美的圆，因为它可以看作是一个N=无穷大的正N边形。并且，只要移动这些顶点，我们就可以把这个正N边形变化成任意的形状，当顶点数越多时，能组合成不规则形状的形式也就越多，但是也都是仅限于有理数的范围内。


当然，上边提到的是二维的概念，点和线段组成图形。在三维模型中，道理是类似的，点和面组成体。只不过我们的单位由点和线段，变成了构成三维物体的点和多边形，当单位面积内多边形的数目越多时，我们就可以通过移动各个顶点组合出更多的三维模型。也就是说，只要我们有足够多的多边形，就可以模拟出一个无限趋近于完美的曲面。Tessellation（曲面细分）就是要去完成这个任务。

三维图形模拟技术通过这么多年的发展，根本目标始终只有一个，并且没有改变过，那就是将3D模型模拟得更加真实。而曲面细分的采用，让我们朝着这个目标迈出了一大步。当多边形的边数达到100（Photoshop多边形作图的上限）时，在图形不太大时，我们可以看到这个正100边形和圆已经毫无区别。也就是说，在有限的图形分辨率与人眼可识别的范围之外，曲面细分只要规模足够大，理论上是可以“完美”模拟3D真实场景的。


但是，采用大规模的曲面细分技术无疑是对计算量的几何式增长，如果采用CPU来做这件事情，不仅会占用大量的系统资源，还会使得CPU负担过重，造成计算机整体效能下降。不过幸好我们有比CPU更强大的GPU助阵，只要开发一种适用于GPU的算法（硬件加速，其实和3D加速是前者包含后者的关系），就可以真正实现高效率的Tessellation了，DX11和OpenGL刚好为我们提供了GPU硬件加速的API（包括算法与接口），加上支持DX11的GPU硬件，我们就可以直接开发和应用Tessellation技术了。

Unigine引擎是DX11早期Tessellation应用的典范，Unigine Heaven Benchmark相信大家已经不陌生，它支持DX9、DX10和DX11多种模式。在 DX11模式下，我们可以选择Tessellation的等级：Disabled（关闭）、Moderate（中等）、Normal（标准）和Extreme（极致），我们先来看看之前提到的多边形数量的差别。
我们可以在Unigine Heaven中按F2显示这些多边形模型，这是关闭Tessellation时的多边形数量与密集程度：


这是Tessellation设为Extreme时的多边形数量与密集程度：


我们可以看到应用了曲面细分技术之后，多边形的数量增加了许多倍，Unigine引擎采用三角形作为单位多边形，除了第一个三角形需要三个坐标点之外，每增加一个三角形，就会至少增加一个顶点坐标，这是最快速的算法，并且，由许多三角形组成了任意的不规则多边形。

我们来看一张全景照，当采用Tessellation之后，楼梯的台阶形态才得以呈现出来，并且石头上凹凸感也更加明显。关闭Tessellation之后，台阶的模型变成了滑梯，石头的模型也变成了磨光的板子，剩下的阴影效果只是二维的贴图而已。这些差别都是没有曲面细分的DX10以前无法实现的真实感。


自从GF100开始，Tessellation就一直是N卡的强项，HD5000系列的Tessellation计算能力相当弱，到了HD6000时有一定的改进，但是依然不及GF110的512个CUDA核心。在大量的曲面细分计算中，512个CUDA核心发挥了出色的作用，使得N580GTX Lightning XE在Tessellation开到Extreme时依然保留了25FPS以上的运行速度，大约领先N480GTX Lightning有20%，而N480GTX Lightning也借助驱动的改进，在275.33驱动中效能比258.96稍微高一些。

首先来回顾一下N580GTX Lightning XE的供电设计，微星官方称其16相供电，并把它作为Power 4架构之一，实际上它是12+3+1相供电的设计。用料与480LT没区别，依然是SFC铁素体电感与CopperMOS，这种贴片式（DirectFET封装）MOSFET表面采用金属材质，导热比传统的氧化物封装的MOSFET效果更好，配合罩在PCB上的散热片可以迅速将热量散发出去，并且贴片式封装也有利于热量直接传到PCB上。除了Lightning系列之外，N560GTX-Ti HAWK也开始使用这种CopperMOS了。


PWM芯片依然是uP6225AM，时隔半年我们依然查不到它的PDF，不过根据华硕的非公版GTX580也使用这个PWM芯片来看，它应该可提供4-6相PWM信号，华硕用的是4相，这里MSI用的是6相。


PCB背部依然是6颗uP6282AD，作为MOSFET Driver芯片，每颗芯片驱动两相供电。


显存的三相供电则使用uP6207AI，它是一颗2/3相单回路PWM控制芯片，集成MOSFET Driver，这里微星使用三相作为显存供电。同样是SFC电感与CopperMOS的用料。


细心观察的同学可能已经发现，N580GTX Lightning XE在供电部分与N480GTX Lightning有些区别，那就是下图我用红圈圈出来的地方。其实在公版的GTX580上我们也能看到类似的设计，那是过流保护电路。它在12V输入滤波电路前端，由一颗阻值很小的电阻与一颗A219芯片组成。它的作用其实与我测CPU供电输入电流的分流器原理类似，当电流通过这颗小电阻时，电阻两端会产生一定的电势差（电压），那颗A219芯片就充当一个电流表的作用，可以通过这个压降来读出12V输入的电流值，并反馈给核心与GPU BIOS。当这个电流超过一定的数值时，BIOS就会认为功耗超出规格，并降低核心工作频率，以达到降低功耗的目的。事实上，公版GTX560以上的显卡都有这种保护电路设计，非公版则未必，例如微星的N560GTX-Ti TwinFrozr II由于沿用了N460GTX HAWK的PCB，因此没有这种设计；而N560GTX-Ti HAWK则由重新设计的PCB而带有保护电路。


下面我们来看看过流保护电路在Furmark烤机状态下的工作情况。首先是默认的BIOS，这时候过流保护机制是开启的。注意Furmark的帧数，在开启过流保护电路时帧数在51-52之间浮动，不过我们有录到最高的65FPS，那是在开始烤机的瞬间得到的，说明过流保护的启动会有一瞬间的延迟。在室温27度，裸机的情况下，核心温度稳定在65度，风扇转速为1950RPM，这时候还是很安静的。


当我按下截图键时，更有意思的现象出现了，帧数和温度都进一步下降，这难道是功耗控制电路的BUG？但是在这全程中GPU-Z的核心频率监测并没有抓到低于832.5MHz的核心频率值，但是可以看到显存控制器的负载进一步下降，看来NVIDIA的降频机制比AMD的Cayman核心来得科学。


下面切换到没有过流保护电路的LN2 BIOS，这时候Furmark的FPS上升到96左右，这才是N580GTX Lightning的真实效能。再看看N580GTX Lightning的真正Furmark烤机温度，最终温度稳定在76度左右，这温度虽然不是很高，但是风扇的转速提升到了3200转，这时候噪音非常大，还好这个BIOS平时我们不用。


而在普通的3D游戏及测试中，我们没有发现测试成绩有很大的差别（测试成绩数据见下页），过流保护功能似乎并没有启动。看来过流保护电路并不会影响GTX580的游戏体验，只有Furmark这种极端满载状态下才会启动过流保护，降低噪音和温度，这不也是一件好事么？所以平时使用我们完全可以开着它。

对N580GTX Lightning XE的测试，我刚好可以拿它老兄N480GTX Lightning，以及1.5GB显存的ASUS ENGTX580 DCII超到同频来做对比，另外对于N580GTX Lightning XE的过流保护对游戏性能到底是否有影响，我们也来比较一下。


第三栏是N580GTX Lightning XE的默认BIOS成绩。我们先来看与N480GTX Lightning的对比，N580GTX Lightning XE借着算法改进、流处理器规格补全以及频率提升，在同驱动下大约能领先GTX480有15%-20%，作为一个半代改进的产品而言，这个提升还是非常可观的。

再看与华硕ENGTX580 DCII同频下的对比，3GB显存在1920x1080分辨率下优势并没有发挥出来，与1.5GB版本差距很小。但是对Tessellation应用比较多的3DMark 11和Unigine Heaven测试中，我们看到3GB的显存发挥了一些优势。相信在更高的分辨率下，以及对于组建多屏显示的用户而言，3GB显存的优势会越来越明显。

最后来看N580GTX Lightning XE两个BIOS的对比，我们看到过流保护对游戏性能并无太大影响，并且在默认的BIOS下大多数测试成绩还要好过解开了过流保护的BIOS，看来LN2的BIOS就是为LN2上高频准备的，在显存时序等细节上会有所调整，以便上更高的频率。

从功耗对比来看，在3DMark Vantage第一场景人物落水瞬间得到功耗峰值，大家误差都很小，但是Furmark烤机就有差距了。其中N580GTX Lightning XE默认的BIOS由于过流保护限制，Furmark功耗甚至还小于3DMark Vantage，解开过流保护之后，N580GTX Lightning XE的功耗要小于N480GTX Lightning，看来GF110核心的改进在功耗上还是有所体现的。另外，华硕的ENGTX580 DCII由于默电较高（1.063V），功耗也相应地高出20多W（最后一个数字是412，该死的水印。。）。

MSI自带的AfterBurner软件支持多种PWM芯片，因此别家的显卡也可以通用。最近它已经更新到2.20 beta4版本，之前的版本已经不能使用。该版本支持N580GTX Lightning XE的三重电压调节，在软件中，我们可以对GPU核心、显存与PLL电压分别提高200mv、100mv和50mv。


在默认电压下超频，N580GTX Lightning XE可以在890/1150MHz下通过3DMark Vantage测试，这个体质一般般，但是这张卡的默电也比较低，1.038V。


在三重电压调节加压之后，超频能力有很大提升，最终在975/1200MHz下完成3DMark Vantage测试，比起默认情况，性能提升幅度大约有20%。但是大幅加压之后GPU的温度相当高，在风扇100%转速下，依然达到87度。这个风冷成绩已经算是比较理想，更高的境界就留给液氮玩家们去挑战吧。

N580GTX Lightning XE作为在前作N480GTX Lightning的基础上升级与改进的产品，它不仅继承了N480GTX Lightning的做工和超频强大的优点，在散热上也做了进一步的修改，加入了热敏变色风扇与除尘设计，算是除了极限超频之外也为普通用户考虑的一些人性化设计。并且，会随着温度变色的风扇从外观来看也是一大卖点。在规格上，N580GTX Lightning XE除了一定程度的出厂超频之外，还把显存扩容到了3GB，这已经是目前N卡单核心配备的最大显存容量，如果你打算组建多屏显示，这种大显存的显卡可以在分辨率很高的时候不会因为显存溢出而导致帧数暴降，是你的最佳选择。

在超频上，N580GTX Lightning与前作一样配备了Power 4架构、LN2专用BIOS与Cold bug移除开关，我们知道N480GTX Lightning是少数不需要Mod就可以取得很好的成绩的显卡，这张N580GTX Lightning XE想必也是如此，它所带的设计，已经在最大程度上方便了极限超频的玩家。

再看看风扇的噪音，TwinFrozr III散热器的噪音普遍控制得不是很好，在这张N580GTX Lightning上也同样如此，但是借助过流保护电路设计，我们可以在运行Furmark的时候不让显卡全速工作，从而降低了温度与噪音，在默认BIOS状态下，无论是运行游戏还是运行被控制过的Furmark，风扇转速均不超过2000转，噪音控制都还是很理想的。

唯一的缺憾，估计也是大多数想买此卡的用户的怨念，没有背板！

综合评价：

撒花占领，粉给力啊

仔细研读大作~~

给力啊，背板可以定做

价格太高…………接近5K都考虑HD6990了………………

"自从GF100开始，Tessellation就一直是N卡的强项，HD5000系列的Tessellation计算能力相当弱，到了HD6000时有一定的改进，但是依然不及GF110的512个CUDA核心。在大量的曲面细分计算中，512个CUDA核心发挥了出色的作用……"这个说法值得商榷，GF110强大的Tessellation性能应该是因为每个SM中都有Polymorph Engine，一共就是16个，而AMD的核心，除了Cayman是有2个曲面细分单元，其他的都只有1个。

"自从GF100开始，Tessellation就一直是N卡的强项，HD5000系列的Tessellation计算能力相当弱，到了HD6000时 ...
flight8848 发表于 2011-6-30 09:59

哦。。原来是这样
但是N卡和A卡中的Tessellator单元应该不是一回事吧

"自从GF100开始，Tessellation就一直是N卡的强项，HD5000系列的Tessellation计算能力相当弱，到了HD6000时 ...
flight8848 发表于 2011-6-30 09:59

在Fermi架构中，nVIDIA通过PolyMorph Engine，将Tessellation任务分配给CUDA单元（CUDA单元也就是通常说的“流处理器”，nVIDIA称其为CUDA单元）处理。Fermi第一代旗舰显卡GTX480拥有16个PolyMorph Engine，也就等效于拥有16个具有Tessellation技术处理能力的单元。

nVIDIA这样做的优点在于，可以在高曲面细分负载下获得优秀的曲面细分能力，也就是在纯Tessellation计算中GPU的几何性能相当出色。在单纯的Tessellation计算中，nVIDIA以16倍于AMD的Tessellation处理单元的数量，得到了6倍于AMD的Tessellation处理能力。

  不过缺点在于，这种设计占用了CUDA单元的计算能力，前文说过，曲面细分并不是DirectX 11的全部。在实际游戏中，并不是单纯的Tessellation计算。CUDA单元还要处理其他游戏相关的3D渲染数据，如果游戏中3D渲染数据处理需求不大，这种设计就不成问题，不过一旦3D渲染数据处理需求很大，比如高分辨率，高全屏抗锯齿，丰富的光影效果等，那么这种设计的缺陷就会暴露出来。

摘自百度百科。。
如果按照这个说法，貌似主要完成Tessellation处理工作的还是CUDA单元，而并不是Tessellator独立处理的

有条件的话，和ROG 580来个对比。看看谁更强。

有条件的话，和ROG 580来个对比。看看谁更强。
公墓园 发表于 2011-6-30 21:29

没那玩意，性能差别看频率也能看出来

有条件的话，和ROG 580来个对比。看看谁更强。
公墓园 发表于 2011-6-30 21:29

   就目前我看到的情况，PCB、散热、外观。。。我感觉微星这款580是比华硕ROG 580强的

而华硕ROG 580赢微星的，只是噪音稍微低一点

ASUS GTX 580 Matrix Platinum 1.5 GB：http://www.techpowerup.com/reviews/ASUS/GeForce_GTX_580_Matrix/

MSI GeForce GTX 580 Lightning Xtreme Edition 3 GB：http://www.techpowerup.com/revie ... ng_Extreme_Edition/


引用R大在43L的回复（不好意思修改了你的回复啊）：

PWM芯片和580DC2一样，UP6225AM打磨，和MSI的580LT是一个PWM芯片，这个PWM芯片支持的是4-6相信号
但是580LT用的是6相，华硕用的是4相
看背后的driver芯片就能知道，20楼有人放了图吧，微星的是6个driver芯片，每个芯片控制两路电感，并联12相
华硕的是8个，其中一相信号用两个driver，每个driver再控制两路电感，这样就实现了并联16相
另外，华硕的显卡全部是台系的钰邦电容，品质比日系的要稍差一点，当然这个跟SSD的PE周期一样3000和5000都无关紧要
MOSFET，华硕的是菲利普的7030AL吧，和主板上的类似，微星的是DirectFET，哪个更好不用我说了吧
散热方面，去看看我测的580DC2就知道是怎么回事了，不是“散热可以换”，而是必须换
供电相数不是数电感数出来的，而是要看PWM芯片的，ROG580的16相和580LT的12相，那都只是表面现象而已

ROG正面：



XE：



ROG背面：



XE背面：



ROG散热器，和DCU II一样，只是壳不同：


有图了：


XE散热器：