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ISSCC看闪存技术发展

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绝对有料 发表于 2024-1-30 16:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
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一年一度的国际固态电路会议(ISSCC)是我们了解闪存技术发展的一个窗口。今年的ISSCC会议将在下月于旧金山召开,透过已经公开的会议时间表可以提前了解一些闪存原厂即将宣布的新产品和新技术。
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三星将在ISSCC上介绍280层堆叠的3D QLC闪存。它的亮点在于每平方毫米28.5Gb的超高存储密度。近几年的闪存单die容量基本都在1Tb水平上,通过缩小芯片面积来提升存储密度、降低制造成本。在当前已量产闪存中,致态Ti600中使用的3D QLC闪存以每平方毫米20.62Gb(一说为每平方毫米19.8Gb)的存储密度保持领先地位。
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三星还提到了3200MT/s的IO速度,这一数据超过了三星在2022年公布的V9 QLC目标(2400MT/s)。对应到SSD上,4通道主控搭配3200MT/s闪存预计可以实现10GB/s的顺序读取能力。也就是说当前很多8通道旗舰级PCIe 5.0 SSD所能达到的速度,预计未来的主流级甚至入门级的4通道SSD就能实现。
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虽然QLC被认为是NAND闪存的未来趋势,但TLC仍将是高性能闪存的首选。美光将在下月的ISSCC上介绍一款2YY层堆叠3D TLC闪存,单die容量依然是1Tb,但是写入带宽提升到了300MB/s。

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当前美光已经推出了232层堆叠的3D TLC闪存,IO速度从1600MT/s、2000MT/s一直发展到现在的2400MT/s。2YY(未指定具体层数,应该超过232)层3D TLC闪存将重心放到了写入带宽上。300MB/s这个数字或许不太直观,美光也未公开过232层3D TLC的写入带宽,不过铠侠BiCS6的数据可以作为对照:160MB/s。
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从历年ISSC上公布的数据来看,并不是每款产品最终都会按原样量产。但存储密度提升、IO接口以及写入速度升级,无疑是接下来闪存技术发展的一个趋势。

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