SLC速度快耐久度高但价格昂贵，QLC闪存速度慢不耐用但价格便宜容量大。NEO半导体在前不久的FMS2020闪存峰会上介绍了一种兼具SLC速度和QLC容量的新型闪存：X-NAND。
NEO半导体于2012年成立于加利福尼亚州圣何塞，在存储器设计架构和单元结构方面拥有20项美国专利。下图右三为公司创始人兼首席执行官Andy Hsu，右五为联合创始人、工程副总裁Ray Tsay，他们二人都毕业于台湾省内大学，到美国深造并取得硕士学位。
X-NAND概念首次提出是在2018年，是面向AI和5G新兴市场的存储解决方案。本次是NEO半导体首次全面深入地分享其细节。
NEO半导体提供的数据显示，X-NAND的读取和写入延迟仅有传统QLC的30%和37%，读取和写入带宽则是传统QLC的27倍和14倍。X-NAND使用了16Plane设计（而不是常见的2Plane或4Plane），提供了更高的读写并行度，同时还缩小了芯片的体积。
普通NAND闪存通常每个Plane拥有一个16KB页面缓冲区，而在X-NAND中每个平面具备1KB页面缓冲区，具有16个Plane。Plane的划分可以减少位线的长度，从而有助于提高性能。
对于TLC和QLC固态硬盘来说，SLC缓存一旦用尽，写入速度就会明显下降。而X-NAND的一个显著优势是它允许同时进行SLC和QLC写入模式，为闪存提供了一种始终保持SLC性能的方式。
X-NAND可以使用多个存储体同时进行SLC和QLC写入，从而保障SLC缓存永远不会满，同时可以用SLC速度将数据编程到QLC页面。这部分原理小编暂时也不是很明白，从下图来看可能是让最上方的红色Plane1作为SLC缓存，当需要释放为QLC形态时，Plane 2、Plane 3、Plane 4和Plane 5各自写入QLC单元四比特数据的中一个，从而实现SLC到QLC的全速写入。
X-NAND是在传统NAND上的优化，所以制造工艺无需进行结构性更改，实现难度要比开发另一种3D XPoint闪存要容易得多。NEO半导体凭借X-NAND获得了本次FMS闪存峰会的“硬件架构最佳展示奖”。
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