因为白片原片的关系，很多朋友都认识了闪存晶圆。我们手机、固态硬盘中所用的闪存颗粒都是从晶圆上取下的合格芯片封装而成。那么这么一片晶圆能制造出多大容量的闪存呢？
富国银行金融分析师乔·夸特罗奇（Joe Quatrochi）最近揭秘：目前一片3D QLC类型的闪存晶圆，总存储容量大约70TB。铠侠-西数的下一代BiCS5（112层堆叠）则比这个数字再提高40%左右，即大约98TB。
提升闪存产量主要有4种基础方法：一是增加堆叠层数（32层->64层->96层…）、二是增加每单元的位数量（SLC->MLC->TLC->QLC…）、三是缩小NAND芯片的单元尺寸、四是扩建更多工厂提升产能。第三种扩张方法最早进入瓶颈，为了达到合理的使用寿命，1z nm几乎成了存储芯片的下限。
提高闪存堆叠层数是目前闪存制造商大力发展的方向。3D闪存使用沉积和蚀刻工艺制造，当代96层堆叠3D闪存的纵横比已经达到大约70：1，持续增加的纵横比会导致潜在缺陷，如不均匀的层、蚀刻不完全（孔未达到底部）、弯曲扭曲以及顶部和底部的尺寸变化，这些会严重影响到闪存的良品率。3D闪存的纵横比早已超过世界最高建筑物的哈利法塔（大约9：1）：
3D闪存的高楼不好“盖”，一个解决方法是分段建造，然后再立体组合起来。2016年曾有人设想出由4个32层结构组合而来的128层3D闪存，不过String Stack相比直接蚀刻会带来大约30%的成本增长。
现实中只出现了2个32层堆叠达成的64层、2个48层堆叠达成的96层。出于成本和产出的原因，String Stack不会成为无限制使用的增容工具。
正是由于以上这些原因，3D闪存堆叠层数的提升速度正在放缓。64层3D闪存在发布4个季度后占到了当时全部闪存容量产出的67%，而96层3D闪存在相同时间内只达到了25%的占比，直到现在也没有突破50%。100层以上的技术迭代预计会花费更长的时间。
虽然固态硬盘已经在小容量系统盘应用中替代了HDD，但总体上要达到与HDD同等的每GB容量成本，还有很多困难。
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