去年英特尔在其架构日活动上宣布了Foveros 3D芯片堆叠技术，AMD近日在高性能计算活动中透露了自家的3D堆叠DRAM/SRAM，新技术和架构改进将提升处理器的性能，超越摩尔定律。
对于摩尔定律，I/A两家显然都明白，制程微缩前路坎坷且收益变少。新工艺节点无法带来更高的CPU频率，在一些节点甚至会出现倒退（英特尔Broadwell与CannonLake或许就是例子，新制程的第一代产品重点发展了低功耗同时也是低主频的产品）。
目前AMD已经领先Intel一步来到了7nm工艺节点，但双方都明白制程微缩的速度已经严重放缓。
除了性能提振乏力之外，新工艺增加晶体管密度的作用也逐渐达到极限。像AMD Threadripper这样的多核心处理器封装尺寸已经比较庞大，容易遇到更多的空间限制。
AMD正努力转向3D架构以提升性能密度，新的堆叠内存架构是近期的重要一步。现在AMD将HBM2内存堆叠在GPU旁边，让它与GPU处于同一个封装内，未来的发展目标则是真正的3D堆叠。
AMD高级副总裁Norrod解释说：AMD正致力于在计算组件（CPU或GPU）上方直接堆叠SRAM和DRAM内存，以提供更高的带宽和性能。AMD正朝着这个方向努力，不过就目前来说还没有更多的细节可以向公众透露。
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