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正式版Kaby Lake 7700K开盖,还是高科技硅脂

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21#
rivaldokfc 发表于 2016-11-2 18:49 | 只看该作者
royalk 发表于 2016-11-2 09:18
6.7G应该没挑,按照一般水平来算的话,和skylake差不多。

6.7G 4C8T已经是烧高香了。看那些跑极限成绩的2C2T跑到6.8左右都挺难
22#
royalk 发表于 2016-11-2 19:24 | 只看该作者
rivaldokfc 发表于 2016-11-2 18:49
6.7G 4C8T已经是烧高香了。看那些跑极限成绩的2C2T跑到6.8左右都挺难

哦。。skylake极限不如hsw?
23#
rivaldokfc 发表于 2016-11-2 19:30 | 只看该作者
royalk 发表于 2016-11-2 19:24
哦。。skylake极限不如hsw?

4c8t  6.7G。。其实挺变态的
24#
avira005 发表于 2016-11-2 19:35 | 只看该作者
so,就换了个名字
25#
overthink 发表于 2016-11-2 20:52 | 只看该作者
firry_dl 发表于 2016-11-2 18:42
有一说原装的顶盖就是铜的,小刀划一下就能看出来。

嗯,应该是的, 有些工厂测试用U,压的比较厉害,耳朵那儿漏出铜了.
至于这个,应该是换了一个比较平的顶盖,好上LN炮 .
26#
Xeon1230  楼主| 发表于 2016-11-2 20:55 | 只看该作者
bdzyq 发表于 2016-11-2 11:19
能用到AVX 指令集的软件还是能感觉到不行了,我的ivy有时候已经能明显感觉到差距了。
...

能用到新指令集的应用还是新平台比较给力.
27#
红色狂想 发表于 2016-11-3 17:43 | 只看该作者
开核玩家的噩梦——intel和散热器厂商联合推出直接镶嵌到散热器底座中的高端CPU产品
28#
tanzibin 发表于 2016-11-4 05:46 | 只看该作者
我老早就说过,intel未来的所有小核心都是硅脂,除非钎焊技术有重大进步。小核心还上钎焊后果就是热胀冷缩压毁die
29#
Xeon1230  楼主| 发表于 2016-11-4 15:52 | 只看该作者
kuram 发表于 2016-11-3 21:21
想当年,我们都是直接压核心散热,怕什么

当年AMD的毒龙,速龙,好多压碎核心的。
30#
firry_dl 发表于 2016-11-4 18:14 | 只看该作者
tanzibin 发表于 2016-11-4 05:46
我老早就说过,intel未来的所有小核心都是硅脂,除非钎焊技术有重大进步。小核心还上钎焊后果就是热胀冷缩 ...

上点液金也行啊,周围die用黑胶摸一圈
31#
tanzibin 发表于 2016-11-5 02:46 | 只看该作者
firry_dl 发表于 2016-11-4 18:14
上点液金也行啊,周围die用黑胶摸一圈

液金的成本,可靠度,加工难度都要高不少。
32#
firry_dl 发表于 2016-11-5 10:31 | 只看该作者
tanzibin 发表于 2016-11-5 02:46
液金的成本,可靠度,加工难度都要高不少。

液金关键是周围一圈要上黑胶,工艺很简单,手工改造都完全不是问题,我看就是intel偷懒降成本罢了,或者给散热器厂家留条活路。
33#
漫咖啡 发表于 2016-11-6 15:05 | 只看该作者
7代已经上市了?
来自安卓客户端来自安卓客户端
34#
cccp1922-1991 发表于 2016-11-6 20:23 | 只看该作者
tanzibin 发表于 2016-11-4 05:46
我老早就说过,intel未来的所有小核心都是硅脂,除非钎焊技术有重大进步。小核心还上钎焊后果就是热胀冷缩 ...

以铜盖的热胀冷缩幅度不可能压碎Die
35#
cccp1922-1991 发表于 2016-11-6 20:32 | 只看该作者
本帖最后由 cccp1922-1991 于 2016-11-7 18:05 编辑
firry_dl 发表于 2016-11-5 10:31
液金关键是周围一圈要上黑胶,工艺很简单,手工改造都完全不是问题,我看就是intel偷懒降成本罢了,或者 ...

CPU PCB正面若没有电容涂上液金后不需要绝缘直接把铜盖粘上就可以。PCB正面有电容用粘稠的硅脂覆盖就能绝缘。
36#
tanzibin 发表于 2016-11-6 23:07 | 只看该作者
cccp1922-1991 发表于 2016-11-6 20:23
以铜盖的热胀冷缩幅度不可能压碎Die

http://bbs.pceva.com.cn/thread-132749-1-1.html
英特尔2006年就研究过钎焊工艺对die耐受热冲击能力的影响。
37#
goodtemper 发表于 2016-11-7 00:29 | 只看该作者
我只看到了:
酷睿(他妈)I7
38#
Akula 发表于 2016-11-7 16:42 | 只看该作者
tanzibin 发表于 2016-11-6 23:07
http://bbs.pceva.com.cn/thread-132749-1-1.html
英特尔2006年就研究过钎焊工艺对die耐受热冲击能力的影 ...

以前Core 2的核心面积和现在差不多,照样用钎焊也没听说过有什么问题。
而且我没事看了下您发的那文献,内容是研究导热材料特性的,根本就没提到您说的什么钎焊会把die弄碎什么的,您不会是看到上面有个图图上有crack就以为芯片破掉什么的吧。看了文章就知道那个明明说的是多次热循环之后钎焊体会出现crack,然后crack会在钎焊体中延伸,影响die和IHS之间的热传递,而且仔细看文章就会发现这问题不光在对比用的三种die上都存在,而且对Large die的影响要明显得多,而Small die反而是影响比较小的。
39#
cccp1922-1991 发表于 2016-11-7 18:03 | 只看该作者
本帖最后由 cccp1922-1991 于 2016-11-7 18:18 编辑
tanzibin 发表于 2016-11-6 23:07
http://bbs.pceva.com.cn/thread-132749-1-1.html
英特尔2006年就研究过钎焊工艺对die耐受热冲击能力的影 ...

铜盖+铟焊料的热膨胀幅度依然不可能压碎Die。主流平台钎焊CPU Die面积小于硅脂的型号不少应用时间也不短。
40#
cccp1922-1991 发表于 2016-11-7 18:24 | 只看该作者
Akula 发表于 2016-11-7 16:42
以前Core 2的核心面积和现在差不多,照样用钎焊也没听说过有什么问题。
而且我没事看了下您发的那文献, ...

钎焊焊接面尺寸越大受冷热循环的伤害必然越大。
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