扒到了几篇有意思的文献

一篇是2015年intel发表在ieee xplore上面的：
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7112692


主要就是说了，我们的14 nm工艺，无论是耐操度（Transistor Aging）还是漏电率（Leakage）都大大优于之前的22 nm工艺

14 nm相比22 nm更耐高电压

14 nm相比22 nm漏电率更低



结论就是，14 nm的broadwell和skylake其实比之前的22 nm型号更耐操，对高电压和高温的容忍度更好，就是说更不容易缩缸。
这与我们之前的想法其实是相反的。
而且intel的官方文档中建议的skylake最高电压是1.52 V
所以我觉得对于broadwell和skylake，日常1.4 V使用是没问题的，相比haswell要耐操一些
更重要的是
这一点对broadwell-E来说同样成立
考虑到现在broadwell-E体质普遍不大好，所以如果散热能压得住，不用太担心电压的问题。

以上只是个人看法，我不对你缩缸和烧毁的CPU负责！
以上只是个人看法，我不对你缩缸和烧毁的CPU负责！
以上只是个人看法，我不对你缩缸和烧毁的CPU负责！


第二篇是2006年intel发表在JOM上的
http://iweb.tms.org/PbF/JOM-0606-67.pdf

文中提到，当芯片的面积（Die size）小到一定程度时，如果继续使用 indium TIM钎焊工艺连接die和散热顶盖时，芯片在经过多次的加热冷却循环（比如负载波动造成的温度波动）后会由于钎焊金属的热胀冷缩而破裂。


这估计能解释为啥现在intel的小核心改用使用硅脂，而大核心还在使用钎焊吧

然而100度还是降频，电压加到一定程度还是不吃压

atmosphere 发表于 2016-7-20 17:42
然而100度还是降频，电压加到一定程度还是不吃压

降频那是设定的，paper只是说更不容易缩缸而已。
至于吃电压，我的感觉是skylake比之前的要更吃电压一些。

电压可以不用管了，主要是温度压不住

我觉得耐压，降温都做到了啊，相比haswell

10nm之后，制程是不是就真正遇到瓶颈了？除非有新材料新工艺出现？

13585287660 发表于 2016-7-20 23:02
10nm之后，制程是不是就真正遇到瓶颈了？除非有新材料新工艺出现？

这就不知道了

14nm更耐操是有道理的，不然intel也不会给6700K默电就往1.3v去，但耐操和低漏电率带来的就是高电压才能稳定高频，同时发热密度增大导致宏观温度也不见得低。

耐操就加压，加压就加热，加热就热爆，热爆就降频
最后回到原点

1.3V以上发热就开始爆炸了。

耐艹不代表一定艹得爽……咳咳，还是期待什么时候来个逆超线程吧，或者以后OS做到所有线程可以同时一起上。