随着低价低品质的TLC颗粒普及,支持LDPC的SM2256主控成为知名品牌SATA接口中低端定位SSD的香馍馍。(由于SMI开卡工具的泛滥,支持的颗粒种类繁多,不厚道寨牌会直接给你拆机2246EN+拆机/打磨假标颗粒赚取更多利润差)
理论使用SLC缓冲区优化的固件方案,内部SLC和TLC的P/E就应该分开计数。
例如上面这颗Biostar G300系列SSD,采用的就是SMI2256方案,虽然厂商给出明确的TLC磨损Smart信息,但是却没有SLC部分磨损的信息,这就给写放大计算上的严谨性带来了挑战,一般来说用户会认为把图中F5/F1就是写放大(NAND总写入量/主机请求写入量),其实并不完全准确。
甚至不少用户可能会发现自己的SM2256主控方案SSD,主机写入量大于闪存写入量的情况,但是SMI主控并没有数据压缩支持,觉得很迷惑,为了更好的解释这个问题,下面针对Transcend SSD220S系列240GB SSD进行写放大测试,这颗SSD采用的是SM2256搭配美光B95(16nm TLC)。
对这颗SSD进行持续128KB的写入,测试15分钟观察速度和写入量。
因为数据会先进入SLC缓冲区,再被释放到TLC数据区,等于写了2次,因为是持续写入,所以写放大接近2。
连着验证3次,均是如此。
接下来通过内部指令,激活强制SLC模式验证,依然是持续128KB写入15分钟。
可以发现SMI固件层把SLC缓冲区当做临时存放区,写入的数据量不计入NAND总写入量(除非这些数据继续被搬运到TLC数据区),这就会对写放大验证产生比较明显的干扰了。
所以搭配TLC颗粒的SM2256方案SSD写放大如何计算才准确?我也不知道。{:6_243:}
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