2014年内存市场形势
2014年DDR4内存正式面世，但是仅在X99平台上，普及率非常低，所以市场的重点还是在DDR3内存上。从集邦内存价格指数上来看，今年5月内存价格又经历了一次涨价，但涨幅不算特别大，尔后又逐渐回落，全年基本相较去年小涨。可以看见，在前年DDR3内存跌到底谷，然后死了一批DRAM制造商之后，剩余的制造商对DDR3颗粒产量更加容易控制，所以价格也逐渐回归到一个比较合理的水平。我们认为，DDR3市场已经进入末期，未来只要不出现什么重大事件，价格再出现大涨大跌的可能性不大。
但是另一方面，近两年移动设备对DDR3内存的需求量越来越大，对冲了PC端的需求逐渐下滑趋势，所以未来虽然DDR4的出货量会在PC端增长，但是DDR3在移动端的出货量也还会继续维持，而且不少的SSD也在用DDR3颗粒做缓存，所以DDR3生产线不会那么快就停掉，未来DDR3可能不会像DDR2之前那样出现停产即涨价的局面。
而DDR4方面，今年9月开始大规模上市，但由于是在高端平台上出现，所以上市的普条并不多，而是超频内存居多。但是现在的所谓超频内存其实也仅是DDR4-3000出头的频率而已，并没有比DDR3高到哪里去，相比JEDEC规定的DDR4-4266的标准频率也还差好远，这是因为目前Haswell-E处理器的内存控制器并不能很完整地支持DDR4的缘故。
2014年DDR3内存颗粒及产品回顾 - Hynix
2014年DDR3内存颗粒只剩下Hynix、Samsung、Micron和Elpida，以及少部分的Nanya和PSC的库存，其它颗粒都已经很少见，而且基本已经全线过渡到单颗512MB。另外市场上还出现了一些新颗粒，基本来自Hynix、Samsung和Micron这些有实力的厂商，不过这些颗粒其实也并不是今年才量产的，而是从量产到大规模在市场上出现需要一段时间，所以到今年才出现而已。以下针对今年出现得较多的DDR3内存颗粒做个简单的分析。
Hynix H5TQ4G83MFR
玩家们俗称的“HY MFR”颗粒依然是今年最主流的超频颗粒，但是今年的MFR比去年的体质差，加上筛选挑剩的颗粒越来越多，所以市场上标低频的型号虽然也用MFR颗粒，但是超频能力就不敢恭维了，例如一些2400C11的，超2666可能都成问题。但是如果你直接买高端型号，或者抱着能超多少是多少的心态买普条，MFR颗粒还是有可能会给你惊喜的。
Hynix H5TQ4G83AFR
AFR颗粒是Hynix 512MB DDR3颗粒的第二版，总体来说比MFR漏电率更低，但超频能力不如MFR，基本上体质好的可以跑到2400，稍微差的可能在2133-2200止步，时序基本在11-13-13的样子。有部分厂商普条使用这个颗粒，例如Team的Elite DDR3-1600。
Hynix H5TQ4G83BFR
目前Hynix最新的单颗512MB颗粒，表现比AFR稍好，可以跑上2600至2800的频率，需要放比较宽的tRP，吃电压。但目前测试样本还比较少，不足以代表普遍超频能力。
2014年DDR3内存颗粒及产品回顾 - Samsung
Samsung K4B2G0846D
前几年常见的三星金条、黑条上的颗粒，今年黑条还在卖，所以拿出来说一下。这个颗粒的表现我们很熟悉了，2133 9-10-10，2400 10-11-11都很容易在低电压下达成，好的颗粒频率达到2800以上就吃电压，1.9V以上可以跑到2800CL9，2V左右甚至可以到2933CL9，但是黑条的PCB电气性能不是很好，颗粒也偏向省电方向，能跑到2800的不多，基本到2400C10就很不错了。
Samsung K4B4G0846B
三星的512MB颗粒中的rev.B版本，是三星512MB颗粒中超频比较好的一个，俗称“大号三星”。这个颗粒跑高频的能力不太好，但是2133-2400这段分别可以做到9-9-11和10-10-12的时序，表现不错。在1.9V以上可能可以跑到2600-2666CL9的表现。
Samsung K4B4G0846C
三星512MB颗粒的rev.C版本，非常少见，时序表现不如rev.B，在2400 10-12-13的水平，再高上不去。
Samsung K4B4G0846D
出现在OEM的三星普条上，超频能力一般，大约在2400 11-13-13的水平。
Samsung K4B4G0846Q
国外Mushkin内存上使用过，国内只在三星OEM普条上见过，表现只看到过1.65v 2400 10-12-11，还不错，但高频能力未知。
2014年DDR3内存颗粒及产品回顾 - Micron/Elpida
Micron D9QBJ
Kingston的Fury系列内存上的常见美光512MB颗粒，表现一般，大约在2400 11-13-13的水平。
Micron D9PCP
单颗512MB颗粒，超频能力不好，2133 11-12-11的水平。
Micron D9PSH与D9QMS
美光今年表现最好的256MB颗粒，D9PFJ的继任者，分别标注1.25ns和1.5ns。出现在美光4GB灯条，好的颗粒可以跑到1.65v 2400 9-10-10的水平，加压到1.85V左右甚至可以跑2800CL9。
Elpida BBBG/EFBG（或ETT）
Elpida已经被美光收购，目前没有什么好颗粒，常见于普条的ETT颗粒基本没有超频能力，1600 9-9-9基本到头。
2014年DDR4内存颗粒及产品回顾
DDR4内存现在刚上市，基本上出现的颗粒就三种，分别Hynix、Samsung和Micron各一种，都是单颗512MB。当然了，现在这三家量产的颗粒远不止这些，甚至后期的堆叠颗粒，都已经在试产中，可以预见未来DDR4内存颗粒要比DDR3复杂得多。关于DDR4的三大关键技术，请点此处参考之前的文章。
Hynix H5AN4G8NMFR
DDR4版本的HY MFR，目前超频内存中最常见的一种。比较好的颗粒基本上可以跑到DDR4-3300左右稳定，在CL15之后电压大约仅需1.35-1.45V，电压大约吃到1.5-1.6V时可以跑到DDR4-3000 CL12-13-14或更高，并达到最佳效能。
Samsung K4A4G085WD
目前三种颗粒中最少见的一个，在芝奇、海盗船的一些高端超频内存上才看得见，是目前三家能跑的频率最高的一个颗粒，但是跑3000左右的日常频率时时序不是很好，tRP卡得比较紧。
Micron D9RGQ
美光普条上的DDR4颗粒，时序不错，但是上高频能力较差。可以在大约1.45V时跑到3000 12-13-13，或者1.55V左右跑2800 11-11-11，目前在Haswell-E平台上是效能较高的选择。但是这货跟DDR3颗粒一样，体质差异比较大。
总结及热卖产品推荐
2014年度的内存市场相对比较平静，并且多数用户认为超频内存对整体性能影响很小，和CPU一样，超频内存的需求大大减小，而相对地，性价比较高的高频内存或者外观较漂亮的内存吸引了部分消费者。所以今年内存甜点产品基本就三种：便宜的DDR3-2400的超频内存，外观漂亮的内存和普条，容量方面还是4Gx2为主，8GB的内存容量现在可以应付大多数使用情况。但是另一方面提醒大家注意的是，目前的4Gx2单面内存（单颗512MB颗粒），效能要比双面的差一点，而单颗256MB的颗粒存货已经很少了，所以这是个会让人选择困难的地方。当然了，于日常使用而言也基本没什么感觉。
DDR3-2400超频内存销量较好的代表性产品有以下几种：
G.Skill Sniper DDR3-2400 4GBx2（F3-2400C11D-8GSR）
Team Vulcan DDR3-2400 4GBx2（TLD38G2400HC11CBK）
Avexir DDR3-2400 Core Series 4GBx2（AVD3U24001104G-2CIR）
另外，DDR3-2133的超频内存中一些经典型号依然卖得不错，例如下边这个，卖了三年了。
G.Skill Ripjaws X DDR3-2133 4GBx2（F3-17000CL11D-8GBXL）
美光的黄马甲今年推出了D9PSH颗粒之后，标注为低压普条，可超频到DDR3-2400，并在这段频率上会有不错的时序表现，而且价格不高，马甲兼容性好，所以也有一部分超频玩家追捧。
以外观为卖点的内存，配合电脑的配色也是近年来用户越来越讲究的因素。当中的代表依然是美光灯条，宇帷的灯条，以及部分多种配色可选的内存，例如金士顿的Fury系列，海盗船的复仇者系列，芝奇的Ripjaws X系列等。
普条自然就不用多说了，哪个便宜买哪个。
预计2015年前半年，内存市场这样的格局还要延续下去，当Intel Skylake平台发布之后，DDR4内存可能关注度会有所起色，当然，现在Skylake的规格还没正式公布，到时候Intel会不会砍掉DDR4的支持或者同时支持DDR3和DDR4，还是未知数。
|
收藏
转播
