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2010-12-20 13:16 上传
第一种:是电流通过连接cpu里面微原件的时候产生的热量,这种事焦耳热,跟电流的平方成正比 第二种:是通过容性或者感性原件的时候产生的热量,这种热量比较少, 第三种:是两导线之间漏电,即通过基片时候产生的热量,和电流的平方成正比 第四种:就是电流通过pn结的时候释放的热量,这个热量占大多数,通常和频率成正比,和电流的平方成正比,等效一下就是跟电压的平方成正比,所以cpu超频的时候,频率上升,第四种消耗增加,而且频率加快,cpu总体等效电阻降低,电流增加,功耗也会增加,如果增大电压,除了这些之外漏电情况增加,发热量也会增加。
根据电子学理论,频率的提高(在稳定的前提下)对于半导体电子元件寿命不会有影响,但是频率变高后,却会产生更多的热量,电子元器件像CPU、内存等等,表面积都非常小,多产生的热量都聚集在这小小的地方,如散热不好将会产生极高的温度,从而引发“电子迁移”现象,而且现在CPU的主频越来越高,再加上还有OC行为的存在,为了以获取更高的性能而加电压超频,人为提高CPU运行频率,如此一来,产生的热量会更多。 高热所导致的“电子迁移”现象会损坏半导体电子元器件。为了防止此现象的发生,我们应该把CPU的表面温度控制在摄氏50°C以下,这样,CPU的内部温度就可以维持在80°C以下,“电子迁移”现象就不会发生。“电子迁移”现象并非立刻就损坏芯片,它对芯片的损坏是一个缓慢的过程,或多或少会降低CPU的寿命 那么“电子迁移”到底是什么?“电子迁移”属于电子科学的领域,在上世纪60年代初期才被广泛了解,是指电子的流动所导致的金属原子的迁移现象。在电流强度很高的导体上,最典型的就是集成电路内部的电路,电子的流动带给上面的金属原子一个动量,使得金属原子离金属表面四处流动,结果就导致金属导线表面上形成坑洞或土丘,造成永久的损害,这是一个缓慢的过程,一旦发生,情况会越来越严重,到最后就会造成整个电路的短路,整个集成电路就报销了。 “电子迁移”现象受许多因素影响,其中一个是电流的强度,电流强度越大,“电子迁移”现象就越显著。纵观集成电路的发展史,我们可以发现,为了把集成电路(如CPU)的核心缩小,必须把线路做得更细更薄,那么,线路的电流强度就会变得很大,所以电子的流动所带给金属原子的动量就明显提高,金属原子就容易从表面离而四处流窜,形成坑洞或土丘。另外一个因素就是温度,高温有助于“电子迁移”的产生,我们已经知道超频会产生大量的热,使CPU温度升高,从而引发“电子迁移”现象,而为了极限超频,提高电压自然是家常便饭,如此一来,产生的热会更多。然而我们必须明白的是,并不是热量直接伤害CPU,而是热量所导致的“电子迁移”现象在损坏CPU内部的芯片。很多人说的CPU超到烧掉,其实严格来说,应该是高温所导致的“电子迁移”现象所引发的结果。为了防止“电子迁移”现象的发生,这就是为什么我们要把CPU的表面温度维持在50°C(核心温度比表面温度要高的多)以下的原因所在。在极限超频中,甚至用到 “大钢炮”+液氮LN2 来镇压CPU所产生的巨大热量,以获得更高的CPU频率(当然,纯粹是一项兴趣爱好)。
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没说黑化的好处啊 535e2 发表于 2011-4-26 12:03
哇塞!这都被雪藏了? karl.12 发表于 2011-4-26 13:43
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