本帖最后由 Sumesis 于 2013-1-28 10:27 编辑
N-AND Gate Flash的技術長期壟斷在Toshiba和Samsung的手上,成了限制後來進入者的門檻,
到了2005年,以Intel為首的業者醖釀成立Open NAND Flash Interface聯盟,制定新的Flash介面規格,
這個倡議得到了大部分相關業者的支持, 2006年正式成立了ONFI, 相關資料可以參考 www.onfi.org
加入ONFI協議的除了Flash Vendor,還有主控芯片製造商,存儲產品生產商, IP業者,........
Intel, Miron, Hynix, SanDisk,.......LSI, Marvell, SMI, JMicron, Phison, Indilinx, Incomm, AsMedia.......,
Adata, Apacer, Biwin, Data I/O, HGST, Kingston, Netcom, PQi, Seagate, Transcend, Viking, WD...., Synopsys......
規範陸續送交JEDEC,隨後有了ONFI 1.0/2.0/2.2/2.3/3.0 各個不同進程的版本........
絶大多數的主控芯片都可以兼容ONFI, Samsung/Toshiba陣營的NAND Flash, 對應用上來說多了可替代性!
ONFI到了Ver. 2.0之後開始有了Synchronous和Asynchronous的區分,主要以運行的時脈來區分!
應用上, Host端聯通Flash之後,依据DQS(Data Strobe)訊號的回應來區別運作的模式,
支持同步模式作動的Flash最高可以 166MT(Throughput)/sec.的帶寬運行,以8bit Access,就是166MB/sec.
不支持同步模式的Asynchronous(異步/非同步)則仍是傳統(Legacy)方式50MB/sec.帶寬上限運行.
ONFI 3.0定義了更高的工作時脈,
IMFT 20nm的Flash, L84A Sync仍是以ONFI 2.3 NV-DDR Timing Mode 5 200MT/sec.為上限,
而L85A則以ONFI 3.0 NV-DDR2 Timing Mode 6 333MT/sec. 為最大帶寬, 還沒用滿400MT/sec.
有別於ONFI以更高的時脈來運作, Sansung/Toshiba陣營採用了類似DDR DRAM的方式,
在同一個時鐘週期做兩次的Access異區同工地達到高速地讀寫效能,並且有了更好的功耗表現!
自2010年7月22號首次對外發佈Toggle DDR 1.0以來, Samsung和Toshiba自32nm之後有了Toggle Interface,
原有的SDR介面的就稱為Legacy,Toggle DDR 2.0也在去年得到了廣泛應用,
Smasung的27nm/21nm, Toshiba 24nm/19nm也各自延續了Toggle的規格,
SanDisk大致Follow Toshiba的主流規格,沒有像Toshiba在一個製程一區分成多個類型!
目前Samsung對Toggle DDR在消費類市場策略側重於TLC, Toggle MLC的支持寥寥無幾....
相對地Toshiba和SanDisk在這方面比較積極!
某站的編輯所稱的同步Flash優於異步,個人覺得有點以偏蓋全!
做為存儲介質不只是一味地追求速度,資料正確性和安全性往往重要過速度.
Data Retention, Leakage, Read Retry, Program Disturbance, Write Endurance.....
為了降低成本,Flash廠商不停地在做制程的微縮(Die Shrink),受限於材料的物理特性,
Flash的品質限制和新產生的問題,都是主控硬件和演算法要面對和解決的
以上謹就個人所知分享,如有遺漏會再加以補充, 如有錯誤也望大家不吝指正,我會再加以更正! |
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