本帖最后由 Asuka 于 2013-1-14 00:04 编辑
焦点观察：摩尔定律如何运作着
哟呵，大家好，Asuka总是这么莫名其妙就出现了，不过嘛，正是这样偶尔出现一下才不会显得那么刻意，不会有人说Asuka是黑还是蜜什么的。不过，我深知当黑是如何有快感的一件事情，也颇能理解那些黑久了的童鞋会如何难以自拔。Asuka就为大家展示一种比较欠抽的拐弯抹角黑，还尽量显得很有姿态，呵呵。
之前Asuka小讲座大家肯定已经忘了，
额！好吧，自嘲一下。
第一章Asuka讲的就是摩尔定律，我们今天做个焦点观察，就来简单看看摩尔定律是如何在业界运作着的。说起来很简单的一条规律，但对于业界来说，这种暧昧的东西当做风向标可以，当成蓝图就不够具体了。所以，应运而生，一个组织成立了，那就是基地。
……
那就是ITRS (International Technology Roadmap of Semiconductors)，国际半导体行业发展路线图，其成员分别是欧洲半导体行业协会，日本电子信息技术行业协会，韩国半导体行业协会，台湾半导体行业协会以及美国半导体行业协会。竟然没有我大天朝，肯定是我打开方式不对。╮(╯▽╰)╭
这个组织基本上夏天在美国开会，冬天在亚洲开会，然后制定一个半导体界的路线图，并公布给全世界做参考，也就成为了摩尔定律的落实版。惯例是每两年出一版新版本，在相间的一年推出一个小幅更新，不过基本不会有太大变化。每一版基本都会包括一个总括版，Overall Roadmap Technology Characteristics (ORTC)，以及各个子项，Asuka是做光刻的，所以Asuka最关键要参考的就是Lithography子项。在每个子项里，基本上生产环节中的每一个指标都会巨细靡遗的定量下来作为参考，也正是这种非定性，而是定量的预测，让我们可以很方便的去比照过去、预测未来。
诚如Asuka之前所说，现在最激进的推进摩尔定律的并非是CPU、GPU之类的MPU，而是Flash Memory，因为这真是一个单纯的领域啊，完全重复性的单元，越多越好，一个带Floating Gate的简单晶体管结构，没了，这个部分没有概念的朋友可以去补课浴室以前写过的通识文章。也正是这种激进，使得Flash Memory的指标成为了所有指标中的头炮，具体来说是，Flash ½ Pitch (纳米) (un-contacted Poly)的数值，然后才是DRAM，再来才是MPU。
那让我们通过ITRS来看看摩尔定律是如何在现实生活中运作着的吧！如下图：
这是最新的一版，2011版，2012更新版还没有出来，我们不妨就按这个表来，之前2009版以及以2009版为基础的2010更新版已经过时很多了，2011往前挪了很多，也就是与现实最接近的版本，我们来Flash Memory的2012年项，20纳米。
额，好眼熟。
非常巧合的，浴室大大刚刚为我们介绍了镁光M500使用的颗粒，基于20纳米的MLC L85A颗粒，现在是2013年初，这个L85A就非常非常巧合的正好是和ITRS预测的一样呢！我们不妨再把L73A、L74A，大家可以去回顾下，就是用在M4、C400里面的颗粒，推出M4大约是2011年早期，当时标注的制程水平是25纳米，虽然上表里面没有，2010年版又落后了非常多，我觉得这个25纳米也的确是可信的。大家知道的，如果按照摩尔定律的讲法，要翻倍晶体管数目，自然必须在尺寸上缩小为以前的0.7倍，20/25是0.8，差不多的确呢！但是这样预测不足为凭，我们还是查表查表，然后我在ORTC-2A表里查到了一点东西，对于MLC颗粒，单die容量指标为2010年32~64Gb（推测），2012年为128Gb，也就分别是4~8GB（L73A 4GB per die，L74A 8GB per die）和16GB，你说咋就这么巧呢~！浴室大查了spec也是这么说的。
所以我想说哇，怎么就那么巧呢？大家知道就好，不要说出来。借万峰的一句话，与君共勉，“不读书，不看报，不学习！”
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