本帖最后由 emil20001 于 2012-10-27 12:12 编辑
有感于" 白片閃存和SSD"
之前拜读了Sumesis发帖的关于白片黑片的认知和定义, 对于第二段die的封装的介绍小弟想对此加以补充。
首先Sumesis介绍的wafer封装的过程先切割再研磨的工艺称为DBG PROCESS(全称为： DICING BEFORE GRINDING)。
相较于传统的封装工艺， DBG大致工艺如下：
1. 首先对于wafer进行半切割（half cutting）， 比如700um厚的wafer，使用切割设备对wafer的切割道（kerf）进行切割，切割深度约350um（但实际上一般都会大于350um，以便die的充分分离。）
2. 然后背研磨保护胶带贴膜（BG TAPE LAMINATION）, 也就是在wafer表面使用贴膜机（laminator）贴附背研磨保护胶带。也就是Sumesis所说的Blue tape，这里有个误区，其实Blue tape在业界叫蓝膜，但蓝膜一般是指非UV胶带（NON－UV TAPE），但实际上UV胶带(UV TAPE )也有蓝色的，NON-UV TAPE也不一定是蓝色的。目前行业内绝大多数情况下是使用UV BG TAPE，只有在一些特殊的客户的产品（device）不能使用UV照射，因此不可避免的使用NONE UV TAPE,这个工艺的作用是在后续的BG PROCESS中保护wafer正面的电路，同时使真空台面（CHUCK TABLE）能固定wafer。
3. 背研磨工艺（BG PROCESS）, 使用研磨设备对于WAFER背面进行研磨一直到需要的厚度，目前NAND使用的厚度有多种比较薄的比如有1.7mil。经过研磨后的WAFER上DIE已经背分开，自然就不能直接从设备中取出，将由机械手直接从研磨设备传送到后续的工艺：堆叠胶带贴膜工艺（MOUNTING PROCESS）。
4. MOUNTING PROCESS,机械手将研磨后的WAFER输送到贴膜机（MOUNTER）设备中的UV仓（UV CHAMBER）里对于步骤2里贴附的BG TAPE进行UV曝光处理（UV后胶带粘性大大降低以便后续的撕膜工艺）。做完UV后的WAFER会进行DAF的MOUNTING (DAF全称是DIE ATTACH FILM,用于堆叠芯片），然后再将正面照过UV的BG TAPE进行撕膜处理。最后输出设备
5. 切割工艺（DICING PROCESS）,此步骤只是将贴附的DAF进行分离，使之大小和DIE一致。以便后续的捡晶（DIE BONDING）时DAF和DIE一起被捡拾起来。这个步骤前有时会需要紫外光照射（UV CURE），根据不同的DAF类型而不同。（UV CURE TYPE 或NONE UV CURE TYPE)。
6. 晶片键合工艺（DIE BOND PROCESS）, 就是将DIE堆叠到基板上或者下层DIE上。在DIE被PICK UP时，背面的DAF层会一并带起，DAF具有很好的粘性粘着在基板或者下层的DIE上。在这之后将会有烘烤的工艺将DAF固化，但此步骤根据不同类型的DAF可选（NON－HEAT CURE TYPE 或HEAT CURE TYPE)
7. WIRE BOND PROCESS, 晶线键合工艺。将DIE上的焊盘（BOND PAD)用金线连接到基板上，实现电路引出。完成这个后可能存在多次的步骤6，进行多次的堆叠以实现大容量的封装。
8. MOULDING PROCESS, 树脂封装。这个就是“打包”整个NAND。
9. OVEN CURE PROCESS， 对之前完成的封装进行热烘烤固化。
如上面所说DBG的好处，DBG的好处是切割时DIE并没有分开，因此不会振动，对于BLADE的撞击很少，自然如同Sumesis所说可以减少崩裂（CHIPPING & CRACK）。
因此目前正越来越多地使用在NAND的封装工艺中。
另外Sumesis提到的“Ink Die幾乎留都在Blue Tape上”，应该是“Ink Die几乎留都在DAF Tape上”。
无聊用NAND DIE拼凑了个网站名称！！
小弟只是略知一二，不对的地方还请大家指正。
下面对于此工艺进行了简单图解。
最后，添加了工艺中涉及到的设备。
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专业，来学习一下
哈哈，我是说抢了个前排。
有视频最好了
还不够 求视频讲解
