MLC的制程（制造工艺）是怎么影响读写性能和使用寿命的呢

我知道flash寿命降低的原理是：随着写入、擦除的次数增多，用来困住电子防止跑进、跑出的隧穿氧化层中陷落的电子数量也会增加，为了拔掉这些电子所需要的擦除周期也就越久，慢慢地氧化层积累的电子越来越多，最终会导致擦除动作难以将浮栅恢复为没有电子的状态，这个存储单元也就寿终正寝了。
那么MLC寿命更短的原因是MLC对电平做了更细的划分，每个电平间的差距更小，相同数量的累积电子造成的影响也就越大。
问题是为什么25nm制程的MLC会比50nm制程的MLC寿命短那么多呢？