这个地方需要做个提醒,3D TriGATE technology的确系有Intel最先Claim(声称,主张,whatever)他们有用在22nm工艺之中,但是,诚如我之前所说,Intel也是一家企业,并不具有任何社会责任,我们看到,当年Intel在提出WiMAX后,各种小企业和科研机构都投入相当人力进入这个领域研究,直至这个领域被Intel舍弃,如今,当Intel再次声称3D TriGATE a.k.a. FinFET技术将成为主流趋势的时候,同样的一种狂热也在各种企业和科研机构中产生,同样,也包括在Foundry领域内的巨大对手台积电。我们不能不提防这作为Intel的一个战略的可能,所谓兵不厌诈,就在于此,尤其当Intel在这个领域内的确有其风向标一般的实力的时候。
从Intel透露出来的档案中,我们的确可以发现各种应用了FinFET的性能“数据”,但“数据”的表现与Ivy Bridge给我们带来的表现差异甚远,并且,我们没有从任何Intel释出的档案中看到电子显微镜直接拍摄到的3D TriGATE结构图片。并且,Ivy Bridge的热表现又的确非常切合我在文章中所预测,由于Etch后线宽更小所导致的更为严重的热耗问题。我们完全可以大胆怀疑,Intel或许根本没有应用3D Trigate技术。另一个支持我们猜测的原因是,从半导体最关键的一步制造工艺,Lithography的角度来看,Lithography非常厌恶相互垂直的线出现在同一层,这将会导致非常恶心的Proximity effect,并导致yield(良率)的降低,而良率几乎可以算是影响芯片盈利的最关键因素,台积电做代工赚的就是良率的钱呀!
Intel号召起的这个风潮,究竟是炫耀帖还是经济策略,I doubt it. 我很大方的这么说,因为我同样不具有社会责任去承担我的这一种猜测所造成的影响,就和Intel一样。大家参考就行。 |