某些净会吹的大厂，真该看看什么叫正当做生意

http://www.mobile01.com/topicdet ... 1&last=34965235
上面这个是原文链接，要轻功的，要看自己想办法翻。


一个TW的小品牌做的低价入门SSD产品


这款盘肯定是新出的，官网自己都还没有介绍呢，测试的这个楼主肯定跟厂家有关系才会有盘，甚至应该就是行内的人






都看懂了吧？这颗粒就是异步但被某些‘大厂’非要搞成同步的


看看这个楼主说什么？非同步，那就是异步。而且厂家对他的问题怎么答复？那就是老实承认，SF1系搭上34nm的颗粒比这就跑异步的SF2+25nm的分数会更好看，不会因为要搞噱头卖广告就把个异步颗粒弄成同步的跑来忽悠人。






看清楚了，异步在能压缩和没法压缩时就是差这么远，是事实就得认，要面子死口不认改不了你搞小手段的事实。


这评价对这些入门货真是贴切不过了，对某些厂来说，明明就是入门货的料，冒充什么高端货？老老实实就真不能活了？


这个评论就是道理，明明是异步，你标什么同步？你把异步标了同步，也不过骗不懂的人，等学懂了，别说你这些忽悠产品，你再有什么新产品也不用想有人信你了，什么叫一次不忠百次不容？这么简单的道理都不懂？




这2个不用我说那么明白了吧？消费者要怎么选是消费者们自己的事，你老老实实把产品做出来，价格合理，我们自然会买最适合自己用的，靠忽悠我们，真当我们没脑子的？再没脑子，被骗多几次也总会有了。

门槛低了,忽悠就多了,最后结果就是把整个行业做臭了

是不是现在的测试软件容易被掌握？

没听说过这个牌子

這個真不懂。

不過今早在某些網站看到這條新聞 “Z今天正式发布其面向普通消费者的下代高端SSD Vertex 4，它们采用OCZ公司最新的Indilinx控制器，也就是说该系列SSD性能要明显高于前一代产品。 Indilinx Everest 2控制器有双核400MHz的芯片，将可以带来最高535MB/s的连续读取速率和最高500MB/s连续写入速率，并拥有120000的随机读取和85000随机写入IOPS的性能。“這一段後面還有提到：”24nm ONFI2.1 非同步“之類的字眼，現在翻回那個頁面已經被編輯掉了，不知道爲什麽

我帮楼主补充说明下，M01那边写这测试文的这位‘我是新好男人’，不只是跟厂商有关系或业内人士，他本身就是这家厂商的人，他之前在别的帖子里承认过的。

James007ss 发表于 2012-4-5 11:04
我帮楼主补充说明下，M01那边写这测试文的这位‘我是新好男人’，不只是跟厂商有关系或业内人士，他本身就 ...

他还真是坦荡

673 发表于 2012-4-6 00:56
他还真是坦荡

我认为他是为了厂子着想，不想自己的厂子因为高层或者别的部门的原因，照成自己厂子名声变丑

樓主~感謝您的評論與詮釋

badaa 发表于 2012-4-5 19:22
這個真不懂。

不過今早在某些網站看到這條新聞 “Z今天正式发布其面向普通消费者的下代高端SSD Vertex 4， ...

這個珠峰2其實就是Marvell 9174

Indilinx把它拿來remark罷了

Indilinx其實一直以來就是remark Marvell的主控+自己寫的FW來賣

個人預測它的效能大概不會跟Micron Plextor LiteOn同級產品有什麼太大落差

如果有差異~就是端看搭配的flash是Sync or Toggle~32nm or 25/27nm

补充内容 (2012-4-6 11:16):
更正~珠峰2應該是9187 remark才對

我是新好男人 发表于 2012-4-6 12:28
這個珠峰2其實就是Marvell 9174

Indilinx把它拿來remark罷了

这个珠峰2其实是Marvell 9187 莫纳的打磨，本来你不说我也不太想说。

珠峰1代其实才是Marvell 9174 梵高的打磨，只不过固件开发的实在太不给力了。

因为只有莫纳支持内部冗余（梵高不支持），外部1GB DDR3缓存（梵高支持DDR3 512MB max），因此正式发售日期应该在6月左右，到时候用这个主控的另2家也会发布相应产品。

everest 2标注的新特性和颗粒支持度，应该是remark的marvell新一代主控才对吧？

neeyuese 发表于 2012-4-6 10:40
这个珠峰2其实是Marvell 9187 莫纳的打磨，本来你不说我也不太想说。

珠峰1代其实才是Marvell 9174 梵高 ...

珠峰2的確是9187才對~感謝浴室大的指正

travis 发表于 2012-4-6 10:43
everest 2标注的新特性和颗粒支持度，应该是remark的marvell新一代主控才对吧？

這個嘛~主控歸主控

能支持什麼flash如何控制~還是要看FW怎麼寫
也是考驗每個團隊的技術力


不過主控規格越高~FW的能實現的可能性也就越廣了

长见识了，如果这个产品在大陆有售的话，估计我会去买，价格便宜太多了，700+就能买120G，很有诱惑力啊，最起码比起某Z品牌诚实很多了。

確實是Monet沒錯,之前的Octane及Petrol就如之前有網友說的,
是OCZ拿來練手的,Petrol每個月大約生產30K左右,
但是實際到消費者手上的數量很有限,
用的是Hynix F26, 26nm MLC LGA, H27UCG8T2MYR-BC,
這顆粒被聯想退了一堆, Le-Pad本來打算用這個,
但是掉電位的問題太嚴重了,就連聯想的USB Flash Drive都不敢用,
寧可貴貴地去買iM 25nm MLC,

Petrol的下場就是低價殺到市場給無辜的消費者!

Sumesis 发表于 2012-4-6 12:32
確實是Monet沒錯,之前的Octane及Petrol就如之前有網友說的,
是OCZ拿來練手的,Petrol每個月大約生產30K左右, ...

你说的掉电位问题就是MLC才有的掉电导致无操作的数据位也出错问题对吧？这颗粒这个问题很严重？

我给其它看的朋友再重复普及下相关的知识点：


看上面这图，分别是SLC和MLC存储数据的原理，可以明白它们都是靠存储的电压范围来判断数据的具体值，下方的MLC我们可以看到，因为每个单元是2位的信息，电压便有4种状态（最低为11，最高为00），假设目前是01的电压，本来要修改为00的，但在写入时掉电，电压比原来反而降了1级，那就成了10，那么就是2个位都错了本来只需要把后一位的1改成0，但因为掉电导致电压降低，原来不需要改动的前一位0，却成了1，而需要改成0的后一位，却没有变化，类似这样的情况，就是MLC的掉电位问题。

正如007所说的，这个是MLC的通病，也是SandForce用户在使用中掉电造成不认盘的其中一个原因，从01掉电后，即使掉到底，前一bit也是错的，结果就是之前正确的数据也损坏。

NAND Flash和DRAM前半段的製程是相同的,差別在於後半段!
Flash是NVM(Non-Volatile Memory)
DRAM是Volatile Memory 差別是需不需通電來保存資料,

NAND Flash在常温下,無電磁脈衝影響的情況下Data Retention為十年,
也就是說一塊盤在不通常的情況下,正常資料保存期限是十年,這是理論值,
但是Hynix的F26這顆最差的狀況只有一週,
也意味廠商在做完開卡測試之後,一個月內沒有把SSD銷售到終端消費者手上,
很可能就要回廠返修,重新開卡(這是掉電的位置落在ISP or FTL上的狀況)
在消費者手上的,若是長時間不開機也有很大機會輕則資料流失,
重則如上述狀況!浴室很專業,有不詳盡的地方再請他補充!

或許你可以認為我是危言聳聽,但是你可以看看有多少人用這個來做SSD?
或者看一下聯想的USB Flash Drive上,有沒有那一支用到H27UCG8T2MYR-BC?
好的顆粒,Hynix都挑給Apple了,畢竞那是張長期飯票!

我认为Hynix F26出厂时不可能只有1周的DR时间，应该是在磨损完后才这样的，不然这个产品应该直接丢弃根本不能用。