前言
在测试过多张X79主板之后，我们终于等来了玩家国度旗下最高端的RAMPAGE IV EXTREME（R4E）主板。由于X79平台的功耗更高、四通道内存超频难度更大，R4E在超频上的优势也会再一次显现出来，这其中有主板的用料、BIOS调教以及各超频玩家的调试心得的结晶。另一方面，上次测试P67平台的M4E主板的时候，我曾经说过玩家国度主板正在往智能化转变，不仅要带来极致的超频调节能力，还要带来智能化的整机体验——“便民措施”，这样才能增加受众面，R4E也同样如此。下面我们来看看R4E主板是如何展现它的超频能力和智能化设置的。
RAMPAGE IV EXTREME概览
R4E主板采用X79芯片组，支持LGA 2011系列Sandy Bridge-E处理器，配备8条DDR3内存插槽，支持64GB的内存容量和DDR3-2400以上的内存频率。除此之外，R4E为发烧友准备了4路SLI/CrossFireX，OC-Zone、Subzero sense、OC-Key/ROG Connect等各种追求极致性能的设定与调教手段，后边我们将一一介绍。
CPU与内存插槽：R4E的CPU背板与别的主板不一样，它是可更换的，由于LGA2011和LGA1366的孔距一样，只是螺孔大小有区别，R4E提供了更换成支持LGA 1366扣具的背板，大家手上的LGA 1366扣具散热器又可以发挥作用了。另外，R4E采用8层PCB，以保证8条内存插槽良好的超频能力，我们应优先使用四根红色的内存插槽组建四通道，多于四根内存时再使用黑色插槽。
SATA接口部分：R4E配备了4个SATA3（红）接口和4个SATA2（黑）接口，其中最左侧红色的为第三方芯片提供的SATA3接口，剩下的六个则为X79芯片组原生。右侧紧邻SATA2接口的黑方块是Subzero sense，待会我们再介绍。
R4E配备了5条PCIE 16X插槽、一条PCIE 1x插槽。其中五条PCIE16x插槽都支持PCIE 3.0速度。其中第一条永远跑16x；第二条和第三条（黑色）通过两组switch芯片共享8x带宽，第二条可单独跑8x或与第三条一起跑两个4x；第四条和第五条通过四组switch芯片共享16x的带宽，第四条可以单独跑16x或者和第五条一起跑8x。在组建2路、3路多卡并联的时候可以选择1/4插槽或者1/4/5插槽，这样第三条黑色插槽上还可以使用4x的速度插上别的设备，例如RAID卡。
背部IO接口：R4E提供一个PS2键鼠接口、8个USB2.0接口、4个USB3.0接口、两个E-SATA3.0接口、一个蓝牙2.1模块、RJ45网络接口、音频接口和SPDIF光纤接口。另外还有清CMOS按钮与ROG Connect按钮。
RAMPAGE IV EXTREME设计细节
首先是在P9X79 Pro上介绍过的供电散热片的延伸。由于X79内存插槽在CPU插槽两侧，留给供电的位置相当少，加上SNB-E处理器功耗比较大，因此供电的散热不可忽视。ASUS主板设计师有效利用主板空间，在左侧内存插槽与背部IO接口之间设计一块散热片，通过热管把供电模块发热导到此处，增加供电的散热面积，并利用CPU侧吹散热器的出风风量来给供电散热。
R4E的散热器整体通过一条热管连接。散热片表面也与M4E和Saber Tooth类似地用了陶瓷氧化物喷涂的设计，有磨砂质感，并且不会氧化生锈。
R4E为CPU供电做了8+4pin设计，我个人认为在超频到5GHz以上满载运行测试的时候这还是有必要的。这时候CPU供电输入功率可达300W以上，也就是说12V输入电流在25A以上，8pin供电的四根+12V线每根已经超出了18AWG线材能承载的6A电流，可能有烧毁的风险，加上一个4pin就可以给每根线分摊掉1/3的电流，这样就安全许多。
R4E的芯片组散热上配备了一个风扇，这个风扇虽然支持PWM温控调速，但在BIOS默认设置下是没有开启的，全速工作的时候可以达到5800RPM，会比较吵。建议在平时使用时开启PWM温控调速。
该风扇供电规格为5V/0.44A，千万别接到12V！
两颗64Mbit可拆卸的BIOS芯片设计，玩家可对两颗芯片写入不同版本的BIOS，也可自由切换当前使用的BIOS。它还支持华硕特有的BIOS Flashback技术，如果BIOS数据损坏，可以通过ROG Connect的USB接口在别的电脑上给主板恢复BIOS。
额外的6pin PCIE供电和4pin内存插槽供电，前者可以在使用多卡并联的时候给PCIE插槽保证充足的供电，4pin内存插槽供电是使用软驱电源接口，可以在插满8条内存超频的时候给内存提供额外的供电。后边则是ROG Connect的USB接线槽，为OC-Key与主板通讯的接口。
板载芯片一览：3x Asmedia ASM1042 USB3.0芯片，2x Asmedia ASM1061 SATA3芯片，1x Intel WG82579V千兆网卡，1x Realtek ALC898集成7.1声道声卡以及X79芯片。
第二代Extreme DIGI+引擎：低调而奢华的数字供电设计
R4E的供电系统虽然没有之前许多旗舰主板上看到的堆料的大场面，但却是很高档的供电用料设计。
R4E的CPU核心与IMC部分使用8+3相供电，其中核心部分每相供电使用两颗来自德州仪器（TI）的NexFET系列MOSFET，型号为CSD87350Q5D。它是一种半桥MOSFET，即上下桥封装在一起，支持高达1.5MHz的PWM开关频率，可提供最高40A的电流供应，工作温度区间在-55到150摄氏度。这种MOSFET在输出电压1.3V、PWM频率500KHz的典型使用状态下通过25A电流的时候仍然可达90%以上的转换效率，最大损耗功率不超过7W，千颗采购价达到USD$1.05/pcs，R4E共使用了19颗，也就是这主板单独MOSFET材料成本就接近20美元。CSD87350Q5D的参数表现甚至超越了Vishay SIC769CD和Renesas R2J20655BNP两个常见的DRMOS。
R4E使用的电容则是富士通FPCAP系列的“FP10K”定制电容，意思是105度下可达10,000小时的使用寿命，这个指标超出了普通高品质固态电容105度下3000-5000小时寿命的2-3倍，在正常的工作温度（60度左右）差距还要更大。并且这种电容可以在-70到125摄氏度的范围下工作。华硕称之为“黑金电容”，目前只有在RAMPAGE IV系列上使用。
背面的8颗MOSFET与CHL8510 MOSFET驱动器。
R4E总共使用了5颗PWM芯片，其中四颗被打磨，我们无法辨认其真身，不过由MOSFET Driver可知它们应该还是CHIL的方案。其中下图中间是管核心供电的PWM，应该是一颗8相的PWM芯片，可支持300-1100KHz的开关频率调节，真身很可能是CHL8318；边上的为左侧内存PWM控制器，BIOS支持300-500KHz的开关频率调节，真身可能是CHL8113，这张主板上有三颗这样类似的PWM芯片。
右侧内存插槽的上方，OC-Zone附近是第三颗PWM芯片，提供System Agent（IMC）的三相供电支持。BIOS支持300-650KHz的PWM频率。
第四颗PWM芯片在右侧内存下方，提供右侧内存的两相供电。这里每相供电采用一颗CHL8518驱动，采用三颗安森美NTTFS4928N MOSFET。
第五颗PWM芯片是接管VTT供电，来自uPi的uP1606D，是一颗两相PWM芯片。它虽然不是数字PWM芯片，但是可以编程倍数提升PWM频率，因此在BIOS中也可以以1.3倍的PWM频率工作。MOSFET同样是安森美的NTTFS4928N。
延续LGA 1366的生命：可更换的X-Socket
现在搭配LGA 2011扣具的散热器不多，而LGA 2011和LGA 1366的背板仅有螺孔大小的区别，孔距则是一样的。因此在R4E的附件中有一块LGA 1366的背板和六角梅花螺丝刀，我们可以用它来更换LGA 2011背板，目的就是去掉LGA 2011原装背板的那四个变大的M4规格螺孔，这样LGA 1366的散热器就可以继续在这张主板上使用。R4E这一招真的是非常聪明，让主板附加值有了进一步提升。
更换过程很简单，我们先拧松LGA 2011扣具上的四个梅花螺丝。
这样就可以把CPU Socket的盖板整个拆下来。注意拆下来的过程中小心不要碰到LGA插座里面的针脚，把针脚弄弯了就不好了。接下来把LGA 2011的背板拿出来，换上LGA 1366的背板。
最后把六角梅花螺丝拧紧，记得Socket上的三角形是朝着右上方的，千万别装反了，更别跟着把CPU装反了。
我们使用LGA 1366扣具，把采融的变形金刚装上主板，完美！
OC-Zone：新增VGA Hotwire助你硬改显卡电压
每一张ROG EXTREME系列主板都有OC-Zone，它包含的功能每次都有改变。这次R4E的OC-Zone除了包含电压测量点、开关与复位按钮、Debug灯、能载入超频配置的Go Button与LN2模式跳线之外，还包含了新的PCIE开关、Voltiminder 2 LED、SLOW模式开关和VGA Hotwire电压硬改跳线。
PCIE开关：可以开启、关闭当前正在使用的PCIE插槽，在必要的时候关闭显卡减低电源供电负载，也可以在超频之后通过关闭显卡快速排查是哪张显卡体质不好。
Voltiminder 2 LED：以前在ROG主板上各个部分都有电压指示灯，电压不高的时候是绿色，加压过高后会变成橙色、红色，提示你电压过高。R4E上这些LED灯已经集成在电压测量点附近了。
Slow Mode：这个开关是配合液氮超频使用的，在液氮模式下极限频率时候CPU可稳定工作的温度范围很小，在切换频率的时候就很容易死机，开启这个开关可以避免在不适宜的温度和频率的组合下死机。
VGA Hotwire：传统的修改显卡电压的方式是在显卡背后并联一些可变电阻来实现加压，VGA Hotwire现在可以替你省去用手调节可变电阻的麻烦，改而在BIOS，甚至TurboV EVO里调节显卡电压。它的实现方式就是主板上可控制这几组跳线之间的电阻值，以充当可变电阻的作用。R4E主板共有六组这样的跳线，支持两张显卡的GPU核心、显存、PLL三重电压硬改。
进一步创新：Subzero sense与OC-Key
前边介绍过，Subzero sense在SATA接口右侧，它的作用是充当一个内置的“温度计”，由于普通的可变电阻温度探头在液氮的-196摄氏度的低温下早已失去准度，超频玩家都需要购买昂贵的温度表与K type探头，以扩大量程。
我平时使用的国产优利德UT322温度表要价大约300元，国外玩家可没那么好的福气买到咱们的东莞廉价货，看看国外玩家常用的FLUKE温度表都多少钱：
一个温度表就顶上了大半个R4E的价钱，有了Subzero sense之后，你就可以省去购买温度表这笔钱，直接购买几十元的K type探头插上主板即可实现-200摄氏度到1200摄氏度的测温范围，这时候在BIOS、温度监控软件、OC-Key的OSD等可以看温度的地方都能看到Subzero Sense的温度读数。如果没有插探头，它也同样是可以显示温度的，只是很接近室温。
OC-Key黑匣子则是一个把超频参数和设置使用显卡DVI接口输出到屏幕OSD的设备。它属于ROG Connect继USB、蓝牙、手机超频之后的又一创新，可以在屏幕上不占资源地实时调节参数，尤其可以配合VGA Hotwire使用，随时调整GPU电压。
安装方法很简单，首先把OC-Key插在显卡上，DVI线插在OC Key背后。再把附带的USB线插在OC-Key上方的接口。
USB线另一端插在主板上的PCIE 6PIN外接电源附近。
注：
1. OC Key只支持PS/2键盘和部分USB键盘；
2. 如果要更新OC-Key的固件，可把附件中的白色USB线（用于ROG Connect）接在OC-Key下方的USB接口与主板背部IO接口的USB接口上，然后用从ASUS网站下载下来的新固件文件中内置程序更新OC-Key固件。
这是OC-Key出厂固件的OSD显示效果，可显示当前CPU的电压、频率、CPU温度及Subzero sense探头温度，如果使用了VGA Hotwire硬改电压后还会显示GPU电压。新的1.003固件中增加了VGA Hotwire的监控与调整。
测试平台介绍
测试平台
CPU：Intel Core i7-3960X
主板：ASUS RAMPAGE IV EXTREME
内存：PCEVA Extreme Kit DDR3-2133 7-10-7 2GBx4
显卡：MSI N580GTX Lightning XE
硬盘：Plextor PX-128M2P
电源：Enermax Revolution 85+ 1050W
散热器：Prolimatech Megahalems Rev. B
CPUZ识别的相关信息：
BIOS介绍：Extreme Tweaker
R4E的BIOS中有几项“便民措施”，其中在BIOS一开始就有四个超频配置文件，想超频又不会的用户可以直接根据自己的情况载入前两个配置，Normal是4.375G主频，对于日常使用基本已经够了，Gamer则是4.7G主频，对于SNB-E六核CPU来说功耗已经有点大，可以拿来跑分，不建议日常使用。而后两个配置则是为液氮准备的，建议风冷情况下不要乱加载。
Ai Overclock Tuner：超频总开关，选择Auto的时候可以启用TPU自动超频，选择XMP则会根据你的内存XMP来超频，但是SNB-E的内存XMP版本为1.3，以前的XMP已经不适用了，所以这里我们选Manual，不用XMP。
CPU Level UP：同样是自动超频选项，跟TPU功能一样。
BCLK Frequency：外频，调节这个选项会联动PCIE频率，因此一般不做调节，保持PCIE频率100MHz即可。在极限超频争取每MHz频率的时候可以稍作调节以获得最大能硬起进系统的频率再软拉上去，本项可以以PCIE频率为基准，逐0.1MHz调整。
CPU Strap：RCR倍频，调节CPU外频的档位依然保持PCIE频率为100MHz。可选100MHz、125MHz、167MHz和250MHz。由于SNB-E的外频对性能无影响，对于不锁倍频的3960X来说，通常不需要动它，超倍频即可。不过为了内存频率能提高一些，我们选择125MHz外频、DDR3-2333内存频率。
ClockGen Full Reset：时钟发生器重置，如果改动外频或者大幅改动倍频的时候最好让时钟发生器重置一下，否则可能点不亮。但是重置的时候会断电，造成二启。但是一般不改动频率的时候时钟发生器是不会重置的，所以平常使用应该不会出现二启情况。
Turbo Ratio：动态加速倍频，我们选择By All Cores来保持所有核心均处在同一倍频，如果选择By Per Core则可单独设定每个核心的倍频，但满载时可能也会掉倍频。
CPU Clock Gen Filter：CPU时钟发生器滤波，打开后可以减小CPU频率的浮动，应该对超频稳定性也有一点帮助，如果选择10-20μF据说对内存超频有进一步的帮助。
Memory Frequency：内存分频，从DDR3-800到2666，每266MHz一步进，通常超频我们选择2133或者1866，内存好的甚至可以选2400，2666则由于IMC体质问题很难达成。在使用125外频的时候，所有的分频数值也会同步提升，DDR3-1866分频的实际内存频率就是DDR3-2333了。
Xtreme Tweaking：开启后可以提高一点跑分软件效能。
EPU Power Saving Mode：EPU节能选项，为了超频稳定我们可以关闭它。
BIOS设置：电压设置部分
Extreme OV：这是液氮超频下使用的，提升各电压设置的上限，我们不需要，所以关闭它。
BCLK Skew：BCLK频率偏移，对超频稳定性可能有帮助。不过每个CPU不一样，一般风冷设Auto也无所谓。
CPU Vcore Voltage：CPU核心电压，与6系列主板一样有Manual和Offset两个模式，如果使用Manual模式，在待机节能开启时不会自动降低电压。在不清楚自己CPU的VID是多少之前，可以先用Manual模式摸清当前超频频率需要多少电压才能稳定，然后再通过VID来计算Offset需要加减多少电压才能达到预期的电压值，结合待机节能使用。
CPU VCCSA Voltage：CPU内存控制器电压，同样有Manual和Offset两个模式，通常内存超到2133时可以加到0.9-1V，超2400时则需要1.05-1.1V。VCCSA电压过高也有可能导致内存不稳定。
DRAM Voltage（CHA，CHB）内存左侧两个通道的电压，在SNB-E上8层PCB内存电压不建议超过1.75V，6层PCB不建议超过1.65V。
DRAM Voltage（CHC，CHD）内存右侧两个通道的电压，同上。
CPU PLL Voltage：CPU PLL电压，在风冷时有时候降低它反而超频好一些，不过一般无影响，而且P9X79 Pro也只能升不能降。
VTT CPU Voltage：CPU VTT电压，超频的时候稍微提升这个电压有助于主频与内存的稳定性。
2nd VTT Voltage：CPU逻辑电路的VTT电压，通常不用管它，设为默认的1.05即可。
PCH 1.1V Voltage：PCH核心电压，通常无需改动。
PCH 1.5V Voltage：PCH IO电压，通常无需改动。
CPU/PCIE Spread Spectrum：CPU/PCIE频展，开启后你会发现外频是100.3MHz，关闭之后就准确了。
BIOS设置：Tweakers’ Paradise
电压下方有CPU/内存/芯片组/GPU的更细节调教，也是ROG主板独有的，都是液氮超频下使用的，风冷情况下不需要管它们。
CPU部分，主要是一些信号的偏移
内存部分，包含内存控制器信号偏移和内存参考电压设置
芯片组部分，包括PCH IO电压（1.5V）、PCH核心电压（1.1V）、信号强度与偏移量调节
GPU部分，可以调节前边提到的VGA Hot Wire的相关电阻值。
BIOS介绍：内存时序调教——PSC颗粒
内存时序设置里同样有一些预存的profile，这些都是跑DDR3-2400的时序配置，由国外各内存调教高手提供。其中第一个是尔必达hyper颗粒的配置，第二、三个是力晶颗粒的配置，第四个是HY颗粒的配置，第五个是冲高频的松时序配置。我们使用的是力晶（PSC）颗粒，跑DDR3-2333，而且我自认为这四条内存体质还算可以，因此我直接载入第二个配置文件，非常省事。
第一时序，Rampage Tweak选项Mode 1是侧重兼容性，Mode 2是侧重超频能力，对电压和时序敏感的内存可以选Mode 2，不吃电压和稳定性模糊的选Mode 1比较好。在插满8条、大容量内存的时候也选Mode 1比较好。还有一个要提的是Latency Boundary，尔必达hyper这种在SNB上容易死机的颗粒可以选Further，其它颗粒选Nearer/Further均可以。除非你在超内存频率极限，否则不要选Furthest，因为那样会让内存性能大打折扣的。
对比一下设为Nearer和Furthest的内存性能：
这是正常的性能：
这是设为Furthest的性能：
第二时序可放心大胆地收窄
第三时序按照这个设置可以获得比较高的内存效能（仅限PSC颗粒）
这里注意两个选项，DRAM CLK Period，一般设置3到7都可以，在稳定边缘跑测试的时候可能可以帮助稳定。另外MCH Duty Sense也有可能帮助稳定性，一般设置在15-19之间是最稳的。
BIOS介绍：内存时序调教——三星DH0颗粒
下面是我手上另外四条能组四通道内存，三星黑条的参考时序设置。以下我跑DDR3-2400 CL9-11-11-23-108-1T，由于BIOS中没有三星的Profile，大家可以按照这个来设置。
第一时序，Rampage Tweak选Mode 1，因为三星颗粒稳定性界限比较模糊。在SNB-E平台上，我的内存跑2400的时候tRAS设23是最稳定的。
第二时序，注意tRTP（DRAM READ to PRE Time）设为5比6要稳定，tRFC只要不影响稳定性即可，放再宽也没用。
第三时序，那些设为3的应该是不能再低了，其它的都可以设到0。
最后DRAM CLK Period设为2对三星是最稳的。
BIOS设置：Extreme Engine DIGI+ II
数字供电部分设置，与P9X79 Pro相似。
CPU Load-line Calibration：在这张主板上，防掉压其实是个比较纠结的问题，因为设置Regular是待机和满载电压偏差最少的，几乎在5mV以内，但是整个电压值都会偏低大约40mV左右，也就是说我电压设置1.295V，实际电压只在1.25V左右。建议日常1.3V以下使用设Regular/Medium比较好，而加压超频跑测试的时候可以设到High。
CPU Current Capability：供电系统对CPU需求的电流的增加值，超频时可以选高一些，以增加供电最大电流的输入量。
CPU Voltage Frequency：设为Manual可手动调节CPU供电PWM频率。
CPU Fixed Frequency：CPU PWM频率设置，直接输入数字即可，建议不要设太高避免供电发热过大。一般500KHz的PWM频率够跑4.5G了。这一项可以设置从300K到1100KHz。
VRM Over Temperature Protection：供电过热保护，R4E的供电很给力，一般过热不了，没必要开。
CPU Power Duty Control：CPU供电启用相数，选Extreme就是供电全开。
Vcore MOS Volt. Control：MOSFET驱动电压，选更高的值可获得更快的响应速度，但也会增大MOSFET的发热量，默认就是7V。
CPU VCORE Boot Up Voltage：CPU核心启动电压，对于超外频或者极冷状态下遇到Coldbug点不亮的CPU可以尝试提高此电压，不过一般设为Auto即可。CPU默认倍频比较高，又超外频的时候可能要提升这个电压，具体见本站Core i7-3820的测试。
VCCSA Load-line Calibration：SA电压防掉压设置，这部分不会有太多负载掉压，因此选Regular就可以。
VCCSA Current Capability：与CPU电流控制能力类似，提高它可以提升内存控制器供电的最大电流量。
VCCSA Fixed Frequency：SA供电PWM频率设置，可设置从300K到650KHz。
CPU VCCSA Boot Up Voltage：CPU SA启动电压，与CPU核心启动电压作用类似。
CPU VTT Switching Freq：由于VTT供电是uP1606D PWM芯片，它不能数字控制PWM频率，不过有1x和1.3x PWM频率可选，一般不需要提升它。
CPU VTT Over-Current Protection：VTT过流保护，风冷一般过不了，可关闭。
DRAM-AB/CD Current Capability：内存供电电流控制能力，可以稍微提高一些。
DRAM-AB/CD Voltage Frequency：内存PWM频率设定，跑DDR3-2400可以加到500KHz，调节范围是300K-500KHz。
DRAM-AB/CD Power Phase Control：只有两相，就全开好了。
PCH 1.1V Switching Freq：PCH核心电压PWM频率，默认即可，不用管它。
稳定性、温度与功耗测试
CPU在1.248V（电压测量点测试1.251V）以125外频跑4.5G轻易通过稳定性测试，内存跑在DDR3-2333 CL7。
在室温17度下，供电温度仅47度，CPU输入功率大约在12V x 15.3A=183.6W，NexFET的表现实力非常惊人，输入功率比别的主板少了20-30W，这些少去的数值都是来自供电损耗的减小，从供电温度的表现上也可以明显看出来。
对比一下其它主板的供电损耗：
尝试风冷极限超频：C0步进5.3G达成！
这颗C0的非正显CPU虽然超频能力比不上现在新的C2步进随随便便5.4-5.5G，但也算C0中体质比较好的了，在R4E上最高可以以5.14GHz硬起进入系统，最后我们突破5.3GHz关卡，在风冷状态、六核心12线程全开的条件下达成5309MHz的CPU-Z认证。这颗CPU的最高认证频率成绩在之前是由ASUS P9X79 Pro保持的5232MHz。
CPU-Z认证链接：http://valid.canardpc.com/show_oc.php?id=2277098
内存也可以跑到DDR3-2333 6-11-6的时序，电压1.815V。
认证链接：http://valid.canardpc.com/show_oc.php?id=2276835
也可以跑一下Superpi 1M：
把tRP放到7，可以跑Superpi 32M：
总结：以玩家之名的精湛设计
当我刚刚拿到R4E时，我对它的第一印象并不好，觉得它的包装是ROG EXTREME系列里最薄的盒子；拿出主板来看，乍看下去还是我已经审美疲劳的红黑色调，又没什么特别之处。但是随着我的测试和对它了解的深入，我发现R4E和以往的ROG主板一样，每次都必定会给我带来惊喜。
正如ROG的创新精神一样，RAMPAGE IV EXTREME主板给我们带来了许多新特性，给我印象最深的有OC-Key、Subzero Sense、VGA Hotwire、LGA 1366背板以及BIOS里的各种Profile，可以说每一项创新都能让我感觉到ROG的设计团队确实考虑得很周到、很用心地做出了这款主板，也能感觉到这款主板的BIOS中凝结着大量国际顶尖超频玩家的心血。这些改动可以很明显的看出华硕对ROG的战略已经不再局限于高端发烧级别的复杂设置，而是要加大受众面，把超频做得更简单、直接，把产品做得更加智能化，让普通用户也能感受到ROG带来的技术实力。
R4E还给我带来的惊喜就是那供电的转换效率，以20W的优势领先同门P9X79 Pro、30W以上的优势领先技嘉和微星的高端X79主板，并且在180W的负载下供电温度还可以控制在50度以下，非常惊人。另外，在测试过那么多张X79主板之后，我们可以下结论了：华硕主板在CPU主频、内存上的超频能力一马当先的局面继890FX之后又再一次形成，其他厂商可要加把劲了！
R4E正朝着把超频普及化的思想上前进，以往液氮超频在普通人眼里都是一个无法企及的高度，这并不像大多数人想的只要温度降低就能超上去那么简单，其中的调教没玩过的人是无法理解的。但是玩过R4E之后，或许你会从一个完全不懂超频的人开始对极限超频有那么一点点向往，甚至觉得自己也可以办到，想去开始尝试。虽然R4E没有直接给你提供液氮供你超频，但是它却为所有的玩家开放了一个途径，去了解极冷超频下一些不为人知的设置和调教上的奥秘。ROG似乎正在通过其精湛的设计，潜移默化地把极限超频的调教技巧分享给所有的玩家。玩得好，还要把自己玩的经验分享给别人，这才是玩家精神的精髓！
PCEVA综合评价：
成就：“便民式超频”，品质+0.3分
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