我上个威刚S511 60G的简单测评，网上大部分都是120G的测评

请问这个跟V3有什么区别么？比如说颗粒上
爪爪 发表于 2011-7-29 15:33

    按照浴室的说法V3  02-2011 PCB上的颗粒是同步颗粒(第一版???)

    03-2011 PCB上的颗粒和511没区别了都是异步颗粒。

  很符合OCZ的作风阿，初期版本总是用足料，到了后期就缩水了。

回复  爪爪


    非要说，那就是OCZ的不是公版PCB设计，和固件上的差别吧。但这两东西.......以浴室的发 ...
James007ss 发表于 2011-7-29 17:21

    "另据打探消息，其实异步、同步颗粒都是产自相同的DIE（芯片），intel宣称的Consumer NAND(MLC)和Client Compute NAND(ccMLC)都是相同的玩意儿，实际用intel的 ME1 、ME2的固件可以互开，颗粒的Read ID都是一样的。至于Intel为啥要把2个核心是一样的东西分成2类产品卖？这个只有Intel知道，这里我只想说，上游原料厂商在产品之间分出等级，中游渠道厂家在等级之间区分价格，实际操作却完全凭下游封装厂商的良心。"

如果是真的，那么INTEL更坑爹，同一样东西，换个固件就卖坑爹价。

跑AS SSD是SF主控最为不利情况，因为所有数据都是不能压缩的，

而实际应用的环境中，数据或多或少都是可以压缩的，所以SF实际使用中的性能要比跑AS SSD测试好的多。

而M4跑AS SSD的性能就是实际使用中的性能，所见即所得，性能并不会因为数据是否“可压缩”而有所增减。




M4的亮点在于主动GC，这能使SSD的性能经常保持在顶峰，虽然以损耗微不足道的耐久为代价，

但对于数据写入量不大的桌面用户是非常适合的，并不会造成什么寿命的问题。

SF主控的亮点在于数据压缩，这使得该主控的性能，在数据可压缩的情况下能达到sata接口的极限，

被动GC能延长SSD寿命，但也因此使进入GC态后的SSD性能缩减为出厂态的60~75%，

对于数据写入量不大的桌面用户来说这种减速延命的策略并不适合。