本帖最后由 Essence 于 2018-2-27 15:12 编辑
正如M7V开创TLC时代一样，M9Pe对于浦科特的意义同样重大，它的问世终于将3D闪存带入浦科特大家族。在浦科特强大制造能力的推动下，无论是AIC插卡、M.2各种规格都将有适合不同人群的选择。
浦科特M9Pe依然有AIC、M.2带散热片以及M.2普通三种版本，散热片的外观设计沿用了曾获德国iF设计奖的流线造型。 本次我们评测的是带有散热片的M.2版——M9PeG 1TB。
M9PeG的小型散热片能够在散热效能与空间兼容性取得平衡，部分笔记本电脑也能它来取得更强的散热效果。在散热片之下有导热贴与主控、颗粒接触传导热量。之前PCEVA对M8SeG的测试已经充分证明了该种散热片的确切效果。
SSD背后贴纸显示固件版本1.00，评测开始前我们收到浦科特的1.02版本固件并成功更新。
主控是NVMe固态硬盘中的发热大户，浦科特M9PeG使用的Marvell 88SS1093用了较为先进的28nm工艺制造，有助于降低发热改善性能。主控内置三个ARM Cortex-R5处理器，内建LDPC纠错引擎，支持8个闪存通道，能够搭配从15nm 2D MLC到3D TLC在内的各类闪存。
与强劲Marvell主控搭档的是来自东芝的TH58TFT1T23BAEF闪存颗粒，共有4颗BiCS 3 64层3D TLC闪存，浦科特M9PeG 1TB当中每颗闪存内封装有8个Die，每个Die 32GB。每个BGA封装的闪存容量为256GB并引出2通道，因而能够在紧凑的M.2板型上兼顾容量与性能。
虽然无外置缓存方案正在逐渐兴起，但对于高性能固态硬盘来说，充足的外置缓存依然是非常必要的。 浦科特M9PeG 1TB配备有来自三星的K4E8E324EB-EGCF LPDDR3 1866Mhz 缓存，容量1GB。
测试平台
CPU：Intel Core i7 [url=mailto:\[email\]7700K@4\.8Ghz\[\/email\]]\[email\]7700K@4\.8Ghz\[\/email\][/url]（所有CPU节能特性关闭）
主板：华硕ROG STRIX Z270F Gaming
内存：影驰Gamer II DDR4 3000 8GB*2
硬盘：金士顿HyperX Fury 240G（系统盘）
浦科特M9PeG 1TB（FW：1.02）
系统：Windows 10 Pro 1709,16299
驱动：系统默认stornvme
由于浦科特暂时没有推出专用NVMe驱动，以下所有测试中均使用微软默认stornvme，并关闭写入缓冲区刷新尽可能减少影响。
基准测试
基准测试1：CDM 1GB ， ATTO 1GB 和ASSSD 10GB测试
1GB范围测试查看最大读写速率接近官标的3200MB/s读取和2100MB/s写入。
ASSSD测试范围设置到10GB后性能表现毫不逊色。
基准测试2：PC Mark 7测试
PCMARK 7基准跑分6127，RAW跑分16449，拥有当今旗舰SSD的水准。
基准测试3：PC Mark 8测试
浦科特在微软默认驱动下PCMARK 8基准跑分5092，成绩非常出色，属于当前PCIe系列SSD顶级性能，同时超越了过去浦科特M8Se与M8Pe的表现。
基准测试3：SLC Cache验证
使用HDTune文件基准测试，浦科特M9PeG 1T的SLC容量在10GB出头，缓存外持续写入速度接近1GB/s。与此相对应的是上代M8Se 1T的SLC容量仅为3.7GB左右，缓存外持续写入速度约500MB/s。升级3D闪存后带来的效能提升明显。
基准测试4：温度测试
测试环境室温20摄氏度，被动散热条件下浦科特M9PeY 512G闲置状态持续10分钟以上，SMART报告温度43度。
红外成像仪实际测试显示，最热点出现在主控上方散热片位置，大约有53度。M9Pe和M8Se一样，测温点不在主控内部，而是更靠近闪存颗粒，所以报告温度与盘体最高温度会有一些差异。实际限速控温依据的是传感器提供的温度，也就是SSD报告的温度，限温大约为75度。
由于FLIR ONE的红外与可见光采集使用独立的摄像头，合成后的热成像图像与实际物体位置会有一点点偏移。
持续填盘写入5分钟，M9Pe报告温度从闲置待机的43度上升至69度。
继续写入至10分钟，报告温度达到72度，距离限温点还有一点点距离。
在终止写入、回到闲置状态后，M9PeG 1T的报告温度可在3分钟内由72度下降至50度。
接下来去掉散热片重复以上测试，闲置待机状态下报告温度为44度（接近闪存颗粒的温度，与实测43.9度基本一致），实际测量显示主控温度已经达到76.3度。
满载写入测试15分钟图后，拆掉散热片的M9PeG 1T主控温度达到113度，闪存颗粒附近测温点大约74度。
对比来看，浦科特M9PeG自带的散热片作用比较明显。
进阶测试
进阶测试项目1：4KB QD32 随机写入离散度测试，时间5000秒。
无文件系统下使用IOMeter进行128K QD32持续写入半小时，空闲15分钟后改用4K QD32随机写入5000秒并每秒记录。浦科特M9Pe在稳定态下的离散度控制较好，最低在12000 IOPS附近，保证了在SLC Cache和TLC垃圾回收释放时不会出现卡顿现象。
进阶测试项目2：QD1下，不同读写块下的持续和随机传输率
随机读取上，M9Pe由于是采用3D TLC闪存，延迟比M8Pe的2D MLC缓存稍高，所以小块数据败下阵来，当数据块大于256KB后，性能追上，SLC Cache的爆发力显现。随机写入上，M9Pe的SLC cache让小文件块表现非常抢眼，64KB时基本到达稳定写入满载速度900MB/s（3D TLC闪存瓶颈），而采用MLC闪存的2款SSD不受此影响。
持续读取方面M9Pe和M8Pe的策略相同，这里性能受限于闪存实际性能，而RD400采用捆绑操作，持续读取性能翻倍但是会直接影响了小文件随机读的表现，持续写入方面和随机写入表现接近，M9Pe满载速度900MB/s成为了文件块增大后的瓶颈。
进阶测试项目3：QD1下，不同读写块下的持续读/写混合传输率
持续混合读写表现上，M9Pe小文件表现比M8Pe强，32KB-128KB区间出现SLC Cache和TLC闪存适配的优化断层导致性能较弱，再大点的文件读取上M9Pe占优，写入则受限于TLC闪存影响。
进阶测试项目4：QD1下，不同读写块下的随机读/写混合传输率
随机混合读写表现上，M9Pe小文件表现比M8Pe弱，文件增大后读取占比高的话性能就强。
进阶测试项目5：QD1下，不同读写块下的持续读/写混合稳定态传输率
稳定态下M9Pe持续小文件偏重读取的地方不如M8Pe，写入部分则由于SLC Cache优化表现更佳。
进阶测试项目6：QD1下，不同读写块下的随机读/写混合稳定态传输率
稳定态下随机混合读写非常考验固件垃圾回收效率，SLC Cache的读取优化基本无法发挥导致M9Pe小文件读取受限于3D TLC闪存延迟高而偏弱，所以M9Pe只有在偏重写入的地方占优优势，总体来说强于上一代M8Pe没有任何悬念。
总结
从PCEVA Storage Score可以清楚的看到浦科特M9Pe明确地处于旗舰级位置，3D闪存接替2D MLC在一些玩家心中可能还有所抵触，不过综合性能提升以及成本考量，M9Pe做出了正确的选择。
浦科特M9Pe系列和上一代旗舰M8Pe都提供5年保修，这次的主要改变是首次在旗舰产品上采用原装东芝BICS3 64层3D TLC闪存，在保证了耐久度的同时，通过独家研发的固件算法发挥出SLC Cache的爆发力，增强家用环境游戏体验的同时，合理适配了SLC Cache往TLC闪存缓存释放时的性能损失。
依照《PCEVA产品评价标准》，浦科特M9PeG 1TB的PC Mark 8存储分5000以上，性能体验获得5分；使用缓存且离散型高低相差范围在5%到20%之间，负载表现获得3分，在这里使用缓存少得1分，5%以内离散成绩对SSD要求非常高，这一分M9Pe和多数消费级SSD一样未能拿到；东芝原厂3D TLC已能媲美过去的2D MLC，自带散热片，做工用料获评5分；PCIe+NVME，接口协议获评5分；5年质保并由厂商提供直接送修服务，浦科特M9Pe在消费体验中获得3分，由于工具箱软件和增值功能类软件（如NVMe驱动）暂缺，消费体验一项未能获得满5分。
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室温20~~持续写入最高72~~的确是有点高啊~~
