本帖最后由 nighttob 于 2016-7-3 09:21 编辑
这并不是一篇纯粹技术向的文章，只是对网上一些谬误的批驳
关于三星的V-NAND，不知道何时有了这样一种说法：
注意框住的部分，这个所谓“SM颗粒”是个什么玩意？三星真的不区分MLC和TLC颗粒了？
原来“SM颗粒”是"SmartMedia"，那么SmartMedia是什么东西呢？
https://en.wikipedia.org/wiki/SmartMedia
维基百科告诉我，这是“上古时代”的一种存储卡，已经消亡了
见多识广的玩家看到上面这张图应该觉得熟悉，对，这就是我曾经讲NAND内部结构时候用的一张图 http://bbs.pceva.com.cn/thread-118468-1-1.html
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要是照那个人的说法，三星最晚在2009年就有了3D NAND，或者说这个考量了，三星还真是高瞻远瞩啊，不是么~果然比全家都是MLC的说辞高不知道到哪儿去了
事实上，受制于存储卡体型及接口等方面的原因，给存储卡使用的NAND需要一定的“改造”，比如小尺寸、特殊接口等等，所以在这里能看到专门标注出来用于SmartMedia和XD Card的型号。moviNAND是一种嵌入式闪存方案，类似于eMMC。
“SM颗粒”的问题解决了，那么三星在V-NAND后真不区分MLC和TLC了么
当然是区分的，不然5种V-NAND die是怎么来的
有人觉得奇怪了，到SM961上面用的，应该是3代V-NAND啊，怎么来5种
没错，是3代V-NAND，分别是24层、32层和48层，但32层和48层还有原生TLC和原生MLC之分
何以见得呢，且听分解
第1代V-NAND，46nm制程24层128Gb die原生MLC，用于845DC PRO和SV843
845DC PRO 512GB的PCB正面，颗粒是K9PKGY8S7M，单颗8die MLC 1Tb容量
第2代V-NAND，46nm制程32层128Gb die原生TLC，用于850EVO 2TB以内容量的和早期型850PRO等
850PRO 1TB，PCB正面颗粒是K9PRGY8S5M，单颗8die 模拟MLC 683Gb容量，PCB背面颗粒是K9USGY8S7M，单颗16die 模拟MLC 1365Gb容量
845DC EVO 512GB，PCB背面颗粒是K90KGY8S7M，单颗8die TLC 1Tb容量，PCB正面无NAND颗粒
850EVO 2TB的颗粒K9DMGB8S7C，单颗16die TLC 2Tb容量
第2.5代V-NAND，3xnm制程32层128Gb die原生MLC，用于后期型850PRO，如850PRO 2TB，等
850PRO 2TB的颗粒K9UMGB8S7A，单颗16die MLC 2Tb容量
http://www.tomshardware.com/revi ... o-2tb-ssd,4205.html
第3代V-NAND，3xnm制程48层256Gb die原生TLC，用于850EVO 4TB、PM871和T3移动SSD等
T3移动SSD是mSATA的盘体+转接板的构造，颗粒K9DUGB8S7M，单颗16die TLC 4Tb容量
PM971整合封装SSD，K9DUGY8S0M，单颗16die TLC 4Tb容量
第3.5代V-NAND，21nm制程48层256Gb die原生MLC，用于SM961 512GB和1TB型号等
SM961 1TB的颗粒K9UUGY8SCM，单颗16die MLC 4Tb容量，所以SM961只需要2个颗粒就能实现1TB的容量
http://www.tomshardware.com/reviews/samsung-sm961-ssd,4608.html
也就是说，三星采取了类似Intel tick-tock的进化方式，半代提升层数，半代升级制程。现在3.5代V-NAND的存储密度已经是三星自家16nm平面颗粒的3.5倍了。
除此以外还有Toggle DDR3.0接口、F-chip、更薄的die厚度=更薄的封装厚度，限于篇幅和本文主旨就不细讲了
第3.5代V-NAND的die厚度只有大约40µm，16个die封装到一起也就1.1mm厚度，对比一下美光在1.2mm厚度内只能封装进4个die
综上所述，三星在3D V-NAND上面采用的依然是MLC用MLC，TLC用TLC的方案，早期型850PRO用模拟MLC可能只是权宜之计。而Intel-Micron则是只造一种die，封入的控制芯片是2bpc的就是MLC，3bpc的就是TLC。当然这并不保证三星现在或者将来不会采用像IM一样的方案。
另外二者的制作工艺也不同，三星用的是电子陷阱(CT)，IM用的依旧是浮栅(FG)，前者的性能更强，后者的成本更低，当然目前来看后者的密度也更高一些（256Gb/die TLC vs. 384Gb/die TLC）。这只是一些显性规格上的对比，深层的区别就更多了，本文同样不展开说明了。
细心的人应该注意到我上面留了一个坑——提及3.5代V-NAND和SM961的时候只说了512GB和1TB型号
难道128GB型号和256GB型号用的不是第三代V-NAND么？
答案是，不仅用的不是第三代V-NAND，而且根本就不是3D NAND，这一点耿直的超能网在评测的时候显然没发现
http://www.expreview.com/47880.html
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这是SM961 256GB的颗粒K9UKGY8SCE，单颗16die MLC 1Tb容量，也就是64Gb/die，结合编号最后一位Gen为E，这是16nm的2D NAND
（三星并没有128Gb/die的2D NAND，V-NAND的容量是从128Gb/die起步的）
这也就能解释了为什么SM961全家都能提供超过3GB/s的持续读取能力
要知道，如果SM961全家用的都是3.5代V-NAND的话，128GB的SM961只需要4个die就可以，那么每个die就要有近800MB/s的读速度，就算V-NAND的性能再强，达到这样的指标也是十分困难的。因此三星明智地采取了和美光在M550上用的相同策略，用低密度颗粒堆出高性能。
虽然骗你用的是V-NAND是不对的，但三丧还是对得起买不起高容量SM961的人的，习惯就好
正文部分就到此结束
总结一下全文就是：
1. 所谓“SM颗粒”是用来忽悠人的；
2. 三星现在依然分别制造MLC和TLC颗粒；
3. SM961用了最新一代V-NAND，但不是所有型号都是。
在做相关工作的时候搜集到了很多关于V-NAND的信息，受水平限制只能避重就轻说这些，只能说三星在NAND领域的霸主地位是毫无疑问的
看别人写的东西要学会追本溯源，不能别人“一本正经”地说就当然全信，这一点对“求知若渴”的新人们来说很重要
我不会告诉你们这是昨天论坛管理群黑了一白天AMD以后，晚上由第一张图所引发的后续效应 |
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