正视听——有关三星V-NAND的二三事

小钻风 · 发表于 2016-7-2 21:25

三星在这方面的技术确实牛到可以，剩下就看啥时候QLC模拟TLC

Cogae · 发表于 2016-7-2 21:43

目前三星性价比不够好，不过反正那么多家的都可以选择

111alan · 发表于 2016-7-2 21:49

本帖最后由 111alan 于 2016-7-2 21:53 编辑

主要问题不是在用什么名字，而是在明确的误导倾向。毕竟小白不知道电位数量有什么用，给他一“本质”三观就乱了。

yangbaleng · 发表于 2016-7-2 22:20

技术贴，咱小白一枚，只能看看结论了

sseepsse · 发表于 2016-7-2 23:06

我想知道昨天黑了一天的AMD后有什么结论么？

RX480怎么个买法。。。。

我也是打酱油的。

power-car · 发表于 2016-7-3 00:14

nighttob 发表于 2016-7-2 18:31
第3代V-NAND的细节说明并不多，这个没法解答
但从纸面参数上比16nm的2D强得多
三丧给自家19nm 2D标的都有 ...

后期型的850 PRO是第2.5代V-NAND，3xnm制程32层128Gb die原生MLC，如850 PRO 2TB。

那除了2TB外，后期的850 PRO 1TB和512GB，有没有采用2.5代原生MLC的？由S/N或P/N可以区分出前期TLC和后期MLC吗？

nighttob · 发表于 2016-7-3 07:31

power-car 发表于 2016-7-3 00:14
后期型的850 PRO是第2.5代V-NAND，3xnm制程32层128Gb die原生MLC，如850 PRO 2TB。

那除了2TB外，后期的 ...

没做深入研究，我又不买

overthink · 发表于 2016-7-3 07:44

第3.5代V-NAND的die厚度只有大约40µm，16个die封装到一起也就1.1mm厚度，对比一下美光在1.2mm厚度内只能封装进4个die

1.2mm厚度内只能封装进4个die是美光NAND的厚度问题么？

nighttob · 发表于 2016-7-3 07:50

overthink 发表于 2016-7-3 07:44
1.2mm厚度内只能封装进4个die是美光NAND的厚度问题么？

有点关系，但不是必然
封装技术是主因

NOIP117 · 发表于 2016-7-3 08:59

哪个帖子是Koolshare的吧，看过，就几个跑分测试。
整个坛子感觉对中高端路由固件还是很专业的，但是SSD这块真的没什么货啊

easports1200 · 发表于 2016-7-3 09:41

SM卡我记得卡和读卡器不兼容的特别多，是因为主控放在读卡器上了还是怎么的，2003年的电脑爱好者上还提到过，但真的从来没见过SM卡实物
有些时候我怀疑三星会不会被自己的宣传成本拖累的很惨，好像韩国企业都犯这个毛病，你看现代起亚，请明星倒是花了不少钱，可对产品以及品牌形象有啥提升？三星手机也不像前些年了，还有他的家电，至于三星的相机摄像机根本就是个杯具

doymll · 发表于 2016-7-3 09:56

不知道为什么.我对三星S7E的满意度很高
但是对三星SSD却没有认同感.

heikissan · 发表于 2016-7-3 09:57

看不懂，直接那个便宜买那个！

wsw11111111 · 发表于 2016-7-3 16:05

技术性文章，让我等小白选择的时候心中有了点谱。抛开其他不说，三棒的技术还是先进的。

发表于 2016-7-3 16:15

人家的技术确实好是值得学习的

CHOYA · 发表于 2016-7-3 17:57

改天把这个帖子给我那个在西安三星工厂里生产3D NAND的同学看看

tedsun · 发表于 2016-7-3 23:25

doymll 发表于 2016-7-3 09:56
不知道为什么.我对三星S7E的满意度很高
但是对三星SSD却没有认同感.

hehe，我恰好跟你相反，在用的三块三星SSD都还算满意，但三星手机却绝不会再买。。。。（当然1000块买note3这种事情还是可以干的。。。）

athloncn · 发表于 2016-7-4 08:24

好吧
这次纠正了我以往的错误概念
前几天还跟网管普及“三星的3D NAND MLC是从TLC屏蔽过来的”

demoxu · 发表于 2016-7-4 09:38

珍爱数据，远离三星

adam2015 · 发表于 2016-7-4 11:15

感觉要是能记住这么多参数和芯片信息，真得太厉害了。我看的都有点眼晕！

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