也来看Intel 520里的颗粒混搭

NTT 发表于 2016-3-19 18:50
既然ME2跟ME3型号不同，我更相信其差异比同型号大。还有为何要复产ME2，而不复产ME3？ME3应该是20nm的把， ...

初期定义ME2 > 5000， ME3 > 3000， 后期良品率上升后，ME3也有>5000的能力。

20nm的是MF，初期依然用数字区分等级，后期C系列用英文字母区分等级，不再是数字。

NTT 发表于 2016-3-19 22:34
本来不想再回了，我说过我没有信仰，只要便宜我都比较感兴趣。
浴室纠正，我接受，你的技术纠正我会接受 ...

U固件的持续写入性能比Z固件的强，U固件的颗粒是A19nm那代，Z固件则是15nm MLC。

U固件240GB SSD PLUS



Z固件240GB Z400s



闪迪新出的Sandisk Extreme 500 external USB 3.1卖的并不好，里面的方案和颗粒是19nm的和U固件的SSD PLUS完全一样，所以为什么又冒出来那么多U固件的你就懂了。（因为只有U固件的19nm MLC能在120GB的时候达到340MB+的速度，Z固件不行，另外也因此才出现了480GB的 SSD PLUS，当然方案是15nm TLC + Marvell）

fjzjk1 发表于 2016-3-19 23:07
请问ssd plus 480g用tlc是推测的吗？因为好像没有看到人买，网上普遍都是猜tlc
...

看固件版本号知道是15nm TLC，然后看到CDI信息知道是MARVELL方案，你可以当做Ultra II 480GB的15nm版看待。

tsammammb 发表于 2016-3-19 23:32
还有11nm
3D上也不能说落后太多吧，毕竟除了intel先用32层堆叠的3D过渡以外其他几家都直接上48 ...

三星已经准备出货14nm了，然后还有12/11nm。肯定会有人问为什么他不直接做3D放弃2D闪存，原因是eMMC和Micro SD卡必须用这类2D闪存（主控能力有限，不支持3D），所以大家就见到了好多类似750 Evo的东西（16nm 2D TLC）。

tsammammb 发表于 2016-3-19 23:40
不是说2D 15/16nm以后可靠性已经不能满足SSD的要求了么，为什么还要在发展3D的同时进一步缩减2D的线宽呢{ ...

750Evo采用的MGX主控已经支持LDPC，而850Evo的MEX主控只支持BCH。

tsammammb 发表于 2016-3-19 23:55
3D也不是非得要用LDPC吧，2246EN不就支持3D MLC么，看来EMMC和存储卡主控能力远比不上SSD主控啊
...

谁和你说2246EN可以支持3D了？

tsammammb 发表于 2016-3-20 09:05
当然是升过级的
http://tieba.baidu.com/p/4295248824

好吧，看来主控的周期又拖长了。

月影风痕 发表于 2016-3-24 11:53
同是ME2的330应该达不到5000pe吧？

330是降频了，至于闪存品质则不清楚，标准没520严。

月影风痕 发表于 2016-3-24 12:08
一直简单地以为相同型号的颗粒品质基本相同...这用在闪存界会不会是个误区?
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当然是误区，那个只是最低标准，别说原厂还有特挑权呢。