晚生两年失先机？在三星840推出2年之后，业界第二款民用消费级TLC闪存SSD——闪迪Ultra II才“姗姗来迟”。
Ultra II作为TLC闪存固态硬盘来的其实并不晚，因为直到将近一年后的今天，TLC SSD产品第三名也还没见到上市（不出意外的话第三名可能是OCZ Trion 100吧，今年Computex台北电脑展上已经做过实物性能展示，据此推测离上市不远了）。
现在Ultra II不温不火的原因，有一方面也是因为三星在宣传上占得先机，在840Evo时代以SLC Cache跑分祭出“性价比”攻势。而在840Evo产品周期末期爆出掉速BUG之后，三星又敏锐的观察到其他竞争对手的TLC产品也要上来了，于是发动新一波舆论宣传攻势：“所有TLC都难逃掉速BUG！耐久度都不够用，都是没有前途的！”。这么一来，反正我840Evo也停产了，不用担心什么负面影响，但彻底搞臭TLC名声等于绝了竞争者的追赶之路。所以这个时候鹏泰也是乐于见到大家将对TLC的批判进行到底的。
那么等等，同为TLC的三星850Evo不卖了吗？显然鹏泰已经准备好了新的Slogon：“只有3D MLC才能救世界”。就像过去鹏泰一直不承认“TLC”的名字而要称之为“3 bit MLC”一样，现在用反复传播的方法来制造一个似乎是“真理”的“共识”：带了3D就不同啦，我的3D TLC就不会掉速，你们2D TLC统统会掉速，统统不耐用。
打嘴炮没用，不做测试就下结论都将是满口空话。为了证明840Evo跑分作弊，我曾买了840Evo 120G回来自己测，这次为了看看闪迪Ultra II究竟如何，又买了块Ultra II 120G。
闪迪没有给出Ultra II的TBW参数，其他有标称TBW参数的型号保修也不会以写入超标为由拒保。如果大家能够多多支持多多点赞的话，我就拼着把这块盘彻底写挂了做完整耐久度测试！
晚生两年，Ultra II是否更完善？On Chip Copy专利技术在SLC向TLC转换速度方面是否有特殊优势？请看后面的测试。
首先是Crystal Disk Info信息识别：
Crystal Disk Info识别出的信息已经比较完善，最大/最小/平均擦除计数、坏块/编程失败/擦除失败计数、主机/NAND写入量、备用块与健康度信息一应俱全。
用闪迪自家SSD Dashboard工具箱可以查看更详细的磨损度百分比信息。和其他SSD一样，标称耐久度用光一般并不等于盘不可用。
Txbench：
有了SLC Cache的帮助，即便是最小的120GB容量型号也能达到亮眼的写入成绩。SLC Cache本身不是洪水猛兽，TLC实用化的道路上SLC Cache必不可少，而SLC Cache对闪存的磨损也并非直接X3的关系。由于SLC Cache可以承载接受随机写入并转为持续写入释放，这个过程相比直接写入的写放大要低，作为SLC Cache使用的闪存单元擦写寿命也比作为MLC/TLC使用时更高。
AS SSD Benchmark：
AS SSD Benchmark的跑分属于“看看就好，不必当真”。不过对于跑分强迫症患者来说Ultra II的成绩也可以入眼。
PC Mark 7存储测试评分：5348分。
PC Mark 8存储测试评分：4941分，这个成绩OCZ ARC100水平相当。
SLC Cache验证：
我们之前就已经知道Ultra II上的nCache 2.0会对持续与随机写入一视同仁，都进行缓存加速。下面请出古董级软件HDTach RW来测试一下，开发这个软件的公司好像都已经不存在了呢。
删除Ultra II 120G上的分区后可以启用写入测试，选择完全测试：SLC Cache大小约为3GB多一点。SLC Cache用完后的写入速度为170~180MB/s。
顺便对比下三星840Evo 120G同样测试方法下的成绩，SLC Cache区域为3GB，SLC Cache用完后的写入速度是150MB/s。
虽说颗粒不同不好直接对比，不过三星颗粒的写入速度一贯不输于东芝美光。在SLC Cache用完后的写入速度上，闪迪Ultra II 120G能够取得显著领先，看来闪迪的On Chip Copy技术的确有两把刷子嘛！
TLC的写入速度也是被很多人诟病的一点，有了On Chip Copy技术，闪迪Ultra II在这方面是取得了一定优势，那再来看稳定态写入会有怎样的表现，会出现入门级SSD上常见的卡顿吗？下面用IOMeter进行测试，在有文件系统的Ultra II 120G上进行4K QD32随机写入测试，每秒一记录，共进行5000秒，也就是SSD评测里常见的离散度测试：
数据模型为不可压缩，队列深度32：
数据模型为不可压缩，队列深度32：
在重压写入之下OP容量用完后Ultra II 120G平均写入直接从2W+ IOPS掉落至1900 IOPS，虽然相比旗舰级Extreme Pro是差了很多，不过离散度表现总体还是很好的，也绝无0 IOPS点，不会出现明显卡顿。
标准测试内容做完后，就该关注TLC本身了，耐久度如何？另外还有朋友@dboy99提到TLC读取干扰是否会影响TLC SSD实用性？这些不是一两天就可以测试出来的，稍后我将不定期更新此贴，欢迎大家关注。如果大家满意在帖子下方点赞，谢谢大家的支持！
使用Anvil’s Storage Utilities默认设置进行的耐久度测试已经进行了一段时间，我将会不定期更新本帖内容，欢迎持续关注！
第一次的耐久度测试我不会将健康度直接写到0，而是消耗一定耐久度模拟使用一两年后的磨损状态，然后进行dboy99提到的读取干扰测试，通过不写入纯读取来考察Ultra II是否会受到闪存读取干扰影响，能否保证数据存储正确，是否会因为读取干扰而对闪存写入耐久度造成额外的磨损。这部分测试正在进行当中，敬请期待。
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