让我们来说个笑话：据说cocker从来不造谣

补档：

最近被公司事务忙的死去活来，上周回上海开会3天碰到国泰班机延误6小时，大半夜的机场门外打的都打不到，这不现在回到墨尔本了，飞机时差还没转过弯来，今天就看到一件非常好玩的事情。

著名的cocker又放话了：浦科特M6S使用了全盘模拟SLC模式http://www.chiphell.com/thread-1010164-1-1.html
10点46分CHH发帖完，在11点05分就被转到人多又杂的百度固态硬盘吧： http://tieba.baidu.com/p/2976360861   然后cocker在发帖5分钟后坐上了沙发。     接着一帮不明觉厉的网友开始起哄~~~



最近浦科特动作连连，M6e，M6S，M6M齐发，这下急着了cocker了，到处找喷点。这不终于在第一时间发现了国外网站tweaktown的测试图中发现了持续写入128KB到一半容量时候掉速，于是开始脑补（ECC）成SLC缓存模式



cocker你太心急了，上次美光的M550事件抽脸还不够（你自己已经承认错误了），这次再在同一个地方（SLC缓存模式）上自抽脸，这是何必呢？cocker认错文：  http://www.chiphell.com/thread-991994-1-1.html



其实tweaktown的测试图真的看上去很像之前OCZ时代用的SLC缓存模式，但是有一个地方cocker看漏了哦，就是这标红句话。意思就是tweaktown网站在测试前在盘内写入定量的随机数据（具体多少没提），那么答案就很清楚了，不管任何消费级的SSD，特别是OP不足的情况下，随机写入后再写128KB的持续写入，后面的速度肯定会跌的呗。

接下来让我们看看M6S到底有没有使用SLC缓存模式呢？ (PCEVA评测室今日刚收到M6S，目前还在做测试工作，针对这个疑问我特地让编辑先单独测了下以确认是否为SLC缓存模式）





此图是128GB的M6S，GB持续写入8MB块全盘容量的HD tune成绩。



此图是128GB的M6S，持续写入128KB块全盘容量的HD tune成绩。



此图是256GB的M6S，持续写入128KB块全盘容量的HD tune成绩。



此图是256GB的M6S，在Iometer 4KB QD32 随机写入3.5分钟后立马持续写入128KB块全盘容量的HD tune成绩。可以看到后面速度下降的地方则是之前随机写入过的区域影响。

因此结论是： M6S根本没有用也不需要用SLC缓存模式，M6S采用的是Toshiba A19 新一代19nm MLC颗粒，用的是64Gb Die（8GB每个Die），256GB的容量下就是32个Die，要达到300MB/s以上的持续写入是很轻松的事情，何必靠着SLC缓存？cocker根本就是造谣和意淫，光凭着一张不是自己测试的图，脑补出来的SLC缓存模式。

另外我们再来看看cocker以往脑补的种种说辞：





我本帖标题就是针对这张图里他最后句话的，他这里可是把SLC缓存模式说的一无是处哦？再看看这个技术用到三星的低端产品TLC下他是如何解释的？



恩，这个技术到了三星840 Evo上就脑补成是好东西了。

出处 http://tieba.baidu.com/p/2934101378


-----------针对cocker的反击做出的回应 -------------



cocker引用的是Tom's上错误的表格，其实这次正确的是Anandtech，真实情况如下：





128GB和256GB容量的M6S用的是64Gbit Die，而512GB用128Gbit Die，64GB和128GB的M6M用的是64Gbit Die，而256GB和512GB用的是128Gbit Die。（类似M550低容量64Gbit Die和高容量128Gb Die的做法来保证低容量的持续写入性能）

如果cocker你还不服的话，那么这个datasheet的截图也是证据之一吧。



2LUN X 2 targets 不是正说明是4 Die 32GB么？(64Gbit Die)

至于你图中引用我2013年12月5日说M550可能是L85C搭配SLC模式的话，结果你在M550刚发布时不也是照搬我的话来大肆宣扬打脸的么？到处引用和脑补我说的话，出了事又怪我这就是你的作风么？

在2013年初期我反驳ZOL的帖子中，最后总结部分我说过下面这段话

5. 从美光M500采用的颗粒为L85来看，我预计美光还会出一款性能级的产品，目前不清楚名字叫什么，不过只需要搭配L84A的颗粒（Die缩小一倍容量），即可达到提升写入性能的目的，再适当搭配更强大的莫纳3.0控制器，旗舰级性能即可实现

帖子：http://bbs.pceva.com.cn/thread-78530-1-1.html  

这个我想你可能看漏了吧，挖个坑给你钻你还真就上啊。

我就想问一下：我个人对产品的猜测（此时产品还没面世）如果算是抽脸的话，你这些造谣（产品已经面世并且有众多网站测试）又算是什么呢？


最后，那块840Evo 1TB是我自己掏钱买的，发票我都贴上来了，什么时候更新测试自然由我自己说了算是吧。话说三星那边都没急着让我把测试盘还回去呢你急什么？没看到我说最近忙啊，刚出差回来。

----------4月12日晚间更新-------------

今天等了一天也没见cocker跟进此贴，以为他放假休息了。刚才吃完晚饭后瞎逛网站，又看到个比较好玩的，原来cocker没有休息啊，他只是遇到被打脸就冷处理，然后其他地方继续开黑

固态硬盘吧有位用户问关于M6S的smart信息问题，这个其实因为浦科特工具箱1.11版上次更新版本已经是去年11月份的了，而M6S是这几天才发布的型号，不支持的可能性很大，其实我们论坛也有用户反映M6M相同问题。

我们论坛M6M相同问题的链接，等待浦科特更新工具箱吧





但是cocker同志竟然依靠美光型号同为Marvell主控而脑补成ECC出错，颗粒品质担忧。。 我们知道Smart的定义是取决于固件的，即使是同一个主控，不同固件的话Smart定义可以完全不同。最简单的例子就是公版SandForce和Intel甚至Toshiba固件版本的SandForce主控Smart定义就完全不同。







我就没想明白一款刚上市没几天的产品就这么得罪他了？浦科特的东西还真招他黑了，看看这些红线，浦科特被他黑的真是惨不忍睹啊。光9188阉割就一大串。

然后还有：从PCEVA这个贴中的分析，M6S将会被同价位的镁光M550完爆.     PCEVA什么时候说过M550完爆M6S的？PCEVA才刚拿到M6S好不好？这不是脑补后造谣是什么？
轮到三星的盘就是：三棒的也是顺丰来回免费保  

我总结下就是他所有这些帖子都是关于SSD的，里面基本就是美光M550完爆浦科特（脑补），M6S是阉割主控（真是唠叨），Intel的盘惹不得，三星的保修不差的。   


-----------刚刚忽然发现某人原来改了标题-----------



这是新标题和更改时间



这是旧版标题。

同时发现cocker把：

其中一个网站测出M6S使用了和orz一样的全盘SLC模式，即写满半盘容量时速度爆跌

其中一个网站测出M6S使用了和orz类似的全盘SLC模式，即写满半盘容量时速度爆跌

第一段的一样改成类似了。这又意味着什么呢？而且还是在造谣，连类似都算不上。可见他根本看不懂第2张图里我标红的那句英文，也不知道“测试前在盘内写入定量的随机数据”会对测试结果产生什么影响，这要不是纯外行要不就是睁眼说瞎话。

---------------针对4月12日晚cocker再次更新------------



你看你又脑补了，我从来没说过这个帖子是原创，帖子里哪个字眼提到原创了？（当然了我按自己理解消化翻译了下，也不是你翻译的，这些字可没抄任何人）。再说PCEVA有规定只有原创才能拿精华么？

另外，我况且承认9188是缩水版应该是你先说的，算不算原创也是你说了算吧，那又如何？你不是到处黑了个遍，还不满意么？你也就会看缩水了，那么好英文也不见你分享点有意义的东西，纯为了黑而黑。

居然我是沙发  建议浴室约cocker到优酷 好似罗永浩和刘翔一样辩论一下 反正浴室是赢定的 等cocler当众出丑 自动曝光三星枪 顶啊  而且又可以让世人知道pceva是技术论坛 一石二鸟

nicekiss 发表于 2014-11-7 20:25
居然我是沙发  建议浴室约cocker到优酷 好似罗永浩和刘翔一样辩论一下 反正浴室是赢定的 等cocler当众出丑  ...

这货配吗，他出的丑还不够多？
PS：字母拼错了

三星也就是因为这种枪多才觉得恶心。

打死都不买三星的SSD 今年买了三个SSD了 M6S 520和MX100

帖子太长没看全，反正我只相信欲姐就对了，这是信仰

aotclotr 发表于 2014-11-7 20:49
打死都不买三星的SSD 今年买了三个SSD了 M6S 520和MX100

同意，我也是绝不碰三星的SSD；个人原因也是因为在CHH上面看到那货捧得太离谱了！！

woodyxiong 发表于 2014-11-7 23:49
同意，我也是绝不碰三星的SSD；个人原因也是因为在CHH上面看到那货捧得太离谱了！！
...

这个,前年年底到去年年初840还是有性价比的,当时唯一能在800左右买到的256G SSD也就840了.....去年九十月份开始别家的MLC都到这个价位之后三棒子就一生黑了

没意思，什么时候约战我再看 太长了

guangyunjian 发表于 2014-11-7 20:39
这货配吗，他出的丑还不够多？
PS：字母拼错了

cocker这个帐号操作者的智商较低，背后应有三棒技术人员在远程遥控，至少是有邮件往来。所以他怎么可能当面辩论，难道还要拉着那些人一起登台？

侧面说明消费级SSD的性能指标看看就行了，tweakdown这个掉速正好在一半写入量也是蛮巧的，之前的写入量大概是reasonable范围内比较unreasonable的

穿越了？

cocker这货就是个龊逼。
不用避讳，欢迎@cocker来战

无论是家电产品还是PC配件，抑或是数码产品，坚决不用三棒牌，对这个产品的自以为是很反感

看来智商不够当不了水军啊，三棒得让他们多休息几天免得更脑残了

目前对三棒的产品唯一有好感的只剩下内存了，其他东西都不会再碰。支持浴室老大。

我觉得此人是伪技术
如果连简单的DATASHEET都看不懂
还敢评论SLC模式，真是胆大啊
[p=137, null, left]

直接让他自己脑补DATASHEET就好
http://wenku.baidu.com/view/0d190455f12d2af90342e646.html

另外我想请教你一个问题CE和DIE的关系，4DIE 2CE和4DIE 4CE的持续写其实差别蛮大的吧

手上有两个SF2281的KST OEM盘

MT29F256G08CJAABWP-12  8颗 组成32DIE 16CE，死活持续写上不去200

29F16B08CCME2 16颗组成32DIE 32CE，立马持续写上330

一直好奇 楼主是个什么样的妹子。这么厉害

gaojie20 发表于 2014-11-10 01:31
我觉得此人是伪技术
如果连简单的DATASHEET都看不懂
还敢评论SLC模式，真是胆大啊

CE = Chip Enable （片选）， Die = 裸片  .  

理论上Die多的话自然就会快点，但是还要看主控支持能力和固件的做法。


如果是相同Die 数， CE少一半的情况，IOPS会少点，但是持续写入应该相差不大。

neeyuese 发表于 2014-11-10 16:35
CE = Chip Enable （片选）， Die = 裸片  .  

理论上Die多的话自然就会快点，但是还要看主控支持能力和 ...

感谢指导，另外，我对SF2281的安全机制有点迷惑在于

NAND是核心，第一层安全ECC，第二层RAISE，第三层CRC32，

SF2281采用的是 每512字节55位 使用BCH代码的ECC组件，也就是512B-ECC55，即可对 512 字节块中的 55 个错误进行纠正，传统固定代码字长度下相当于需要为这 512 字节额外配备 90 个校验字节(因为(13*55bit)/8= 89.375 字节)。如果是 8KB 的 Page，这就相当于需要 1430 个字节，目前没有任何闪存有这么大的备用空间比例，那么是否我可以认为，第一层OP，就是用来放多出的校验字节的呢？

我刚刚入手了M6P 256G X2，准备到CHH炫耀，会不会被鸡巴人揍？