PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识

标题: i7 3770k开顶盖测温是一个误导 [打印本页]
作者: Error    时间: 2012-5-4 12:12
标题: i7 3770k开顶盖测温是一个误导
首先说明下，本屌丝没有一个像样的测试平台

更不可能拿动辄2k的cpu开盖

为何得出如此结论，请听我慢慢科普下导热学原理，大家思考后一定会明白

所有观点都是根据导热学理论得出，当然，有不同意见也请大家提出异议

这是一篇手机发表的帖子，本想画个图，可惜无力

我本人是学材料的，这学期本专业学了硅酸盐热工技术，主要的内容就是热学和传热学，好吧，吐槽开始

能量传递有三种形式，热传导，对流，热辐射
，这里我们讨论热传导

从传热学来讲，热阻，是反映阻止热量传递的能力的综合参量。

在传热学的工程应用中，为了满足生产工艺的要求，有时通过减小热阻以加强传热；而有时则通过增大热阻以抑制热量的传递。

对于CPU导热来讲，当然是前者

说到导热，我们聊聊导热系数，这个是定量分析材料导热优劣的直接要素

导热系数是指在稳定传热条件下，1m厚的材料，两侧表面的温差为1度，在1秒内，通过1平方米面积传递的热量，单位为瓦/米·度


通常把导热系数较低的材料称为保温材料，在温度不高于350℃时导热系数不大于0.12W/(m·K)的材料称为保温材料，而把导热系数在0.05瓦/米摄氏度以下的材料称为高效保温材料

回到CPU散热，显然，硅脂和金属盖，以及散热器不属于保温材料

再列出各种金属材料导热系数，自行百度的



银 429

铜 401

金 317

铝 237

铁 80

锡 67

铅 34.8

显然，银的导热系数最好，这就是为何硅脂里面要加入银的原因，我们常见的硅脂都是含银硅脂

但是加入银的硅脂，导热效能就和银一样了吗？显然不是



导热硅脂的导热系数通常是0.3-0.8 W/(m·K)，高导热硅脂可的导热系数是0.8-4.0W/(m·K)。由于导热硅脂需要添加，铝，银，钻石等高导热氧化物，导热系数越高贵金属氧化物价格越高，由于价格成本太高4.0W/(m·K)以上的导热硅脂市场需求较少。通常导热硅脂的导热系数是1.0-3.0 W/(m·K)，比如国外的信越，道康宁，莱尔德等等

再回到我们的CPU散热，硅脂再好，就算都达到了3.0W/(m·k)，相比纯金属来讲，还是有数十倍百倍的差距的，这当然有成本以及物理性质方面因素导致硅脂的结构只能如此


看了pceva那个R大的帖子，可以说他勇于探索的精神是值得称赞的，探究了那个让人纠结不断的钎焊和硅脂之间的关系，

毕竟钎焊内部用的是锡一类低熔点的金属，虽说导热效能相比银铜铝效能差的多，但100左右的导热值却远高于3.0左右的高级硅脂

论证的整体思路是没有漏洞的，唯一不谨慎的就是。。。。核心的导热面积

一般化学物理实验中，讲求一个误差的忽略，一般小数点相差两位，也就是两者相差100倍以上时，小的那个值在累加对比中即可忽略不记，这里我们探讨钎焊和硅脂的关系时，钎焊的热阻可以假象成忽略不记

大家可能觉得，最终的导热面积不都是D14的那个铜镀镍的底面吗，有什么不同呢

但大家仔细分析具体细节，就会发现，3770K的对比测试前后两次导热面积是一样的，实验温度要是有差别就怪了

为什么？

想想3770K，最里面是类硅晶体(热源)，接着是硅脂
，然后是导热效能数百倍的金属盖，这里我们可以大胆的忽略金属盖的热阻，那么，这和第二次拿下顶盖的测试本质上是异曲同工的。这两次对比无意义


结果无差别是可以预计的

但我们要思考，要在失败中思考，思考才能进步，我们想起2600K

我们能不能说3770K相比2600K的发热没有改善呢，显然不能，因为2600K是钎焊

钎焊中的锡的导热系数大概接近100，我们在分析问题时候，也可以大胆忽略相比硅脂热阻的影响，才能更明显的得出结论。

当忽略锡的导热系数的时候，2600K的核心面积就逆天了，它的“核心面积”，则可假象为整颗CPU那么大，这点明白了，那么思路前卫的骚年基友们想必大彻大悟了吧

理想情况下，2600K是通过整颗CPU面积与散热器底座来导热的，而3770K不管怎么折腾，也都只有不到三分之一的芯片是全部导热面积。实际中的散热效能，虽然由于钎焊的金属不给力导致达不到3倍以上的导热效能，但是SNB1.5倍于IVB一定是有了

其实看了ROYALK的这个帖子第一反应就是实践出真知。但转念一想，另一个事实，IVB在液氮下如此NB的潜能可于此矛盾了，果然，看到了他对比实验的漏洞

不知是否IVB超频能量太强了，导致超一超秒过自家X79高端产品轻而易举，以至于紊乱产品线的平衡，所以INTEL采取这种折中办法稳定产品线，不会蹈i7 2600k
出来干扰X58平台六核产品的覆辄


所以，ivb的功耗可以从侧面放映它的发热，异想天开下，不妨把2600k拆开芯片直接接触测温，估计4.3GHz温度就破百了吧

纯爪机，给自己跪了
作者: Error    时间: 2012-5-4 12:13
以上内容均为转载  由于作者要求  我就不写上出处了
作者: Asuka    时间: 2012-5-4 13:02
仅仅就开盖有没有效果而言  RoyalK的帖子验证了  够本了
拆26k很make sense 好主意 不过不好操作啊
我也是一直觉得  Intel有限制超频的意思  比如两个步进不仅差很多  还是变弱的趋势   实在让人难以理解
作者: Asuka    时间: 2012-5-4 13:07
然后就是   标题命名和文章所要体现的严谨性要求不符合    我觉得  只能叫做  存在误导成分
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 13:18


通过钎焊之后的2600k由于焊料和顶盖材料相似，导热效能相似，故可以近似为一体。散热面积可以近似为40x40=1600mm2，而3770k的硅脂并没有起到拓展散热面积的作用，散热面积即为核心面积160mm2，两者近似导热面积相差十倍

虽然snb的钎焊之后无法达到完全十倍于散热面积的效能，也由于焊料导热效能略小于金属盖，最后导热效能只可能是1.5-2倍于ivb，但这个结果完全解释的通
作者: zerozhong    时间: 2012-5-4 13:23
为什么不把CPU盖当成散热器的一部分？
作者: travis    时间: 2012-5-4 13:26
这里面存在一个严重的误区，就是认为SnB的散热面积就是IHS的面积。实际上尽管IHS是个“spreader”，其表面的热量分布也是极不均匀的，热量传递最主要的部分仍然是die正上方和周围一小圈。

还有就是，IHS和钎焊焊料层的热阻也不能完全忽略掉，硅脂层的导热系数比铜低很多，但是硅脂的厚度也比IHS要薄很多，以热阻衡量并不是A远大于B的关系。
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 13:31
zerozhong 发表于 2012-5-4 13:23
为什么不把CPU盖当成散热器的一部分？

ivb的确可以如此

但是snb的钎焊不同，原因如下

钎焊的导热速度是硅脂的几十倍，钎焊使得核心发出的热量直接快速导到更大的面积上再进行导热，而ivb的硅脂则相当于绝热材料，在导到更大面积的时候已经不能流畅导热，而两者速率差数十倍（相比焊料）



作者: sapphirex    时间: 2012-5-4 13:33
又见瞎YY的文章（自我检讨：我之前就转了一个），原文LZ那么专业那么牛，热风枪吹开一个26K（或者是把3770K钎焊上IHS）给我们实验证实一下？？
作者: zerozhong    时间: 2012-5-4 13:33
zuinicai 发表于 2012-5-4 13:31
ivb的确可以如此

但是snb的钎焊不同，原因如下

看明白了
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 13:34
travis 发表于 2012-5-4 13:26
这里面存在一个严重的误区，就是认为SnB的散热面积就是IHS的面积。实际上尽管IHS是个“spreader”，其表面 ...

是这样的，不然导热效能snb就是ivb的十倍了

影响其导热原因很多，不过综合起来snb导热效能的确仍旧数倍于高于Ivb
作者: 曾经最美    时间: 2012-5-4 13:34
学习了，都是高手啊，昨天刚看了R大开盖的评测
作者: Slaughter    时间: 2012-5-4 13:36
功率密度的问题我都提过，这帖子里说的知识早在很多年前微机上也介绍过，不比任何人提出的新。看来此文是为了踢场而踢场，不是为了讨论问题，此文里才是真正的误导，T大说的好客气。
R大的测试就是证明开盖与否并不是决定散热的主要因素，因此结论是IVY温度高不是那个盖或是硅脂的问题。
后来PCEVA也转载了XS的文章，老外说的很清楚：漏电过大导致温度高。
作者: zerozhong    时间: 2012-5-4 13:36
无论如何IVB高热是事实，当然能在IVB上焊一个IHS是不错的验证方法
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 13:36
sapphirex 发表于 2012-5-4 13:33
又见瞎YY的文章（自我检讨：我之前就转了一个），原文LZ那么专业那么牛，热风枪吹开一个26K（或者是把3770K ...

原LZ第一句已经很谦虚的说明了


只看理论，不要在无法拿出更明确见解的前提下随意否定别人
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 13:39
zerozhong 发表于 2012-5-4 13:36
无论如何IVB高热是事实，当然能在IVB上焊一个IHS是不错的验证方法

可能22nm的核心钎焊成本过高或者难度过大

i家最后的选择一定有道理
作者: zerozhong    时间: 2012-5-4 13:40
zuinicai 发表于 2012-5-4 13:36
原LZ第一句已经很谦虚的说明了

事实是 作者的立题就有哗众取宠的意味，没有相应的实验证明其假设正确。
作者: zerozhong    时间: 2012-5-4 13:42
zuinicai 发表于 2012-5-4 13:39
可能22nm的核心钎焊成本过高或者难度过大

i家最后的选择一定有道理

究竟是成本的妥协 还是钎焊难度过大 还是3D技术问题 只有I家能说清楚了
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 13:46
Slaughter 发表于 2012-5-4 13:36
功率密度的问题我都提过，这帖子里说的知识早在很多年前微机上也介绍过，不比任何人提出的新。看来此文是为 ...

知识都是相通的，LZ也没有说自己的新于别人，不过要是连很浅显公认的知识都无法运用，以至于不严密的结论产生那就是这边的问题了


毕竟开盖的文章已经各大论坛均有转载


再看看r的原文

好了，我又啰嗦了半天，折腾了半天，结果得出一个结论——我只想说一句话，通过实测结果我们发现，Intel坑爹的硅脂并不是导致IVB温度高的直接原因，直接原因还是核心本身就发热大——考虑购买IVB的同学们，要么忍着高温，要么等新步进（如果有的话）吧！


这个结论只能说明顶盖不是导致散热不畅的原因，并未证明核心发热大，看了多篇文章，i家官方没有辟谣，老外民间至今也没有一个准确科学的由于漏电导致的文章，并且也没有得到广泛认可。认可漏电的人并没能拿出证据


所以被质疑也没有问题
作者: wsy2220    时间: 2012-5-4 13:49
楼主的观点很有道理,但是标题不应该这样说
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 13:49
zerozhong 发表于 2012-5-4 13:40
事实是 作者的立题就有哗众取宠的意味，没有相应的实验证明其假设正确。 ...

LZ就是小人物而已，不过R的不严谨却更显而易见
作者: royalk    时间: 2012-5-4 13:50
楼主既然知道这些材料的导热系数，不妨自己用厚度换算一下热阻，然后看看这些热阻在100W发热功率下能造成多大影响。

另外要搞清楚的是，发热的是die内的晶体管，而不是顶盖，无论你加多大的导热面积，热量总归也还是要通过die和die的表面硅晶体，我现在把这些多余的东西都拆掉了，你自己想想热阻是加大了还是减少了。

首先我做这个事情完全没必要误导大家，并且我也已经尽我力所能及去让测试结果准确。如果你还怀疑的话，欢迎自己开一颗来测试。友情提醒：SNB用热风枪把顶盖吹到大约200度就可以拆下来了。
作者: sapphirex    时间: 2012-5-4 13:51
zuinicai 发表于 2012-5-4 13:46
知识都是相通的，LZ也没有说自己的新于别人，不过要是连很浅显公认的知识都无法运用，以至于不严密的结论 ...

补课去吧：http://bbs.pceva.com.cn/thread-43793-1-1.html
作者: Slaughter    时间: 2012-5-4 13:57
zuinicai 发表于 2012-5-4 13:46
知识都是相通的，LZ也没有说自己的新于别人，不过要是连很浅显公认的知识都无法运用，以至于不严密的结论 ...

阅读能力真低。。。跟你没讨论的意义了，胡搅蛮缠而已。
老外的帖子自己看去，他实际测试出-60以下才没有漏电。
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 14:00
royalk 发表于 2012-5-4 13:50
楼主既然知道这些材料的导热系数，不妨自己用厚度换算一下热阻，然后看看这些热阻在100W发热功率下能造成多 ...

其实snb锡族焊料的厚度和硅脂厚度类似的，而硅脂并不是热的良导体，如果可以的话厚度是可以按100um计算的，并不能忽略影响


snb的总热阻的确可以看做焊料热阻加上顶盖热阻，发热的地方也正如r所讲的是类硅核心，不过钎焊的意图很明显，就是通过类似的材料和导热效能扩大发热源的表面积



作者: royalk    时间: 2012-5-4 14:02
zuinicai 发表于 2012-5-4 14:00
其实snb锡族焊料的厚度和硅脂厚度类似的，而硅脂并不是热的良导体，如果可以的话厚度是可以按100um计算的 ...

还是那句话，既然你可以查证导热材料的厚度是百微米级别，请自行计算热阻然后看看在这个水平的发热量下温度能差几度。
作者: travis    时间: 2012-5-4 14:16
这文章缺乏最起码的每种材料的导热系数数据，不然即便是不太精确的数据，也可以做一个从die到散热器底部总热阻的粗略估算，就知道哪些是小量，哪些不是了。
作者: qqicu    时间: 2012-5-4 14:17
学习知识来的，理性讨论很重要。
作者: aaaaaa889    时间: 2012-5-4 16:43
本帖最后由 aaaaaa889 于 2012-5-4 16:45 编辑

我总结一下，现在的问题是不是：锡焊能不能比硅脂更有效的把die的热量传导到HIS上去，然后HIS能不能有效的把热量分布到一定的大于die的面积上去。上面的总结不知道对不对。
另外，我觉得毕竟不是每个人都有这个能力或者财力去开CPU的，难道因为能力或者财力，我们连一些想法都不能发表了吗？难道因为穷因为动手能力不足，连话都不能说了？我觉得这种态度不利于论坛的发展，弄得好像很小气一样，听不得不同意见，语气完全可以再平和一点哦。俗话说，真理越辩越明，真金不怕火炼。当然，LZ标题是说的太绝对了。
作者: zxy356    时间: 2012-5-4 16:56
楼主的意思是还是硅脂在影响导热，I家应该用锡焊来加大核心到顶盖的导热面积。是吗？

但楼主你有没有想到，理论上你再大的导热面积，有散热器底部来得直接吗？难道散热底部的导热面积/效能比顶盖差？
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 17:21
zxy356 发表于 2012-5-4 16:56
楼主的意思是还是硅脂在影响导热，I家应该用锡焊来加大核心到顶盖的导热面积。是吗？

但楼主你有没有想到 ...

事实证明大面积的间接，远好于小面积的直接
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 17:22
royalk 发表于 2012-5-4 14:02
还是那句话，既然你可以查证导热材料的厚度是百微米级别，请自行计算热阻然后看看在这个水平的发热量下温 ...

计算完了，一会上图
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 17:25
travis 发表于 2012-5-4 14:16
这文章缺乏最起码的每种材料的导热系数数据，不然即便是不太精确的数据，也可以做一个从die到散热器底部总 ...

这话比较中肯...


我这边精确数据达不到，但是为了突出主次的半精确数据还是能做到的

不过数据是最容易引起争议的，希望大家不要过于较真

作者: netwalker    时间: 2012-5-4 17:44
一颗石头激起千层浪，百家争鸣，我们对事不对人！和谐最重要
作者: wxxs7    时间: 2012-5-4 18:40
我也是这么认为的。
这个道理还是很简单的。
作者: joekoo    时间: 2012-5-4 18:43
我在等图片...
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 19:06
royalk 发表于 2012-5-4 13:50
楼主既然知道这些材料的导热系数，不妨自己用厚度换算一下热阻，然后看看这些热阻在100W发热功率下能造成多 ...

开始时觉得r的回帖有些固执，后来一想，确有些道理

钎焊相连的硅晶体和顶盖的确不能看做一个整体，毕竟锡的导热系数没BT到和铜一样，并且由于钎焊是很厚的，以至于无法可以在导热效能上秒掉很薄的硅脂

故通过搜集数据，又通过一些浅显的理论计算看看究竟在很小的面积上，很薄的硅脂是否是影响导热的决定性因素


应R的要求发一张带有数据的草纸

这里面的数据和结论并不能代表普遍现象，结果也不能反应实际温度，数据因人而异，这个计算旨在说明硅脂和钎焊在影响导热效能上是确有差别的，并且差别还是很可观的，也请大家不要咬住计算结果不放，这个正如t某说的，不要求定量精度试验，只是一个半定性半定量的测试而说明主次影响即可（当然，就算Intel加了钎焊的3770k也很难在4.8GHz只有36度，原因在于再强的散热器也不能把CPU外表面恒定为20度）


[attach]102323[/attach]，图片可以放大看，这个是草纸我另抄了一遍工整的




仅仅利用了传热学基本公式

这里面假设3770k超频到4.8GHz功耗160W，TDP的英文全称是“Thermal Design Power”，中文直译是 ，散热设计功耗

热流量 q=160w /（160mm2·10-6）=1.0x10 6  W/m2，这个是很恐怖的，因为160W的功耗仅仅从160mm2的面积上导出，故在很小的面积上夹了一块相比钎焊则是“绝热"的硅脂实则严重影响导热

作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 19:08
本帖最后由 zuinicai 于 2012-5-4 19:15 编辑

图片不太清晰，字写得也不是很工整

见谅
作者: royalk    时间: 2012-5-4 19:28
zuinicai 发表于 2012-5-4 19:06
开始时觉得r的回帖有些固执，后来一想，确有些道理

钎焊相连的硅晶体和顶盖的确不能看做一个整体，毕竟 ...

你这个数据虽然有些夸张，但是意思我清楚。

在测试之前我就做过类似计算，并且我个人计算结果理论上和我的测试结果确实也是不相符的。

但是：
1. 钎焊材料的导热系数无法确定。

2. 采融的硅脂号称导热系数10.2W/mK，Intel原装的硅脂导热系数不清楚。开盖前后测试温度结果接近，是否也可以认为Intel原装硅脂加上顶盖的热阻相当于采融硅脂的热阻，而顶盖是铜的，加上这么大的面积，热阻比钎焊材料和硅脂完全可忽略。所以Intel的硅脂热阻也不会比采融的高到哪里去，至少对温度的影响可忽略。

3. die本身的热阻会不会造成散热瓶颈，这部分无法直接通过宏观材料计算。因此IVB核心本身发热是否比SNB大，这点无法论证。
作者: 石头    时间: 2012-5-4 19:34
好的硅脂是十几瓦的。。。。如果按照最差的3W算当然是这个结果。但如果按照十几瓦算呢？。。。。。其实就是3：50再考虑到厚度的1：4的差别，但如果是13：50呢？还是一样的……

而且硅脂的导热系数跟温度也有关系，温度高了硅脂会流动。。。那就不是单纯的热传导了，有热对流在里面

所以，intel很明白……
作者: aican    时间: 2012-5-4 19:46
讨论得太专业了，看不懂了。

   当然，标题要改下，严重误导人，在一个无法证实的情况下。为什么不能谦虚的把标题改成“对I7 3770K开盖测试的一点疑惑及个人见解”呢？
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 19:52
royalk 发表于 2012-5-4 19:28
你这个数据虽然有些夸张，但是意思我清楚。

在测试之前我就做过类似计算，并且我个人计算结果理论上和我 ...

钎焊热阻可以直接看做锡的67，毕竟在一个数量级之下不需要太纠结

第二点我觉得两次温度差距很小在实验之前是应该可以预计的，毕竟开盖之前是类硅核心+硅脂+顶盖，开盖之后是类硅核心+硅脂，硅脂普遍都差不多，不用奢求硅脂能带来惊喜。

我觉得实验验证的只是i家硅脂没有相比主流硅脂拖后腿，并不能说明是ivb发热严重

说实话我看了你的评测挺感兴趣的美中不足的使得我发帖的原因就在于最后的结论，你的核心发热大的结论，因为你并没有证明


至于硅脂的导热系数我觉得有点滑稽，号称10以上，我们导师提到过普遍的硅脂不到1，大于0.65就算合格硅脂，3W的硅脂就算优秀的工程硅脂


作者: royalk    时间: 2012-5-4 20:01
zuinicai 发表于 2012-5-4 19:52
钎焊热阻可以直接看做锡的67，毕竟在一个数量级之下不需要太纠结

第二点我觉得两次温度差距很小在实验之 ...

钎焊除了锡还有助焊剂。

另外忘了和你说，以前有人开过Q6600的顶盖做了测温对比，发现也没太大区别。加上这次Intel改用硅脂而不用钎焊，我觉得应该是经过可行性论证的。
所以无论是钎焊还是硅脂，应该差距不大，所以才有了我结论的那段话。

IVB核心发热大我无法直接证明，因为微观发热的情况不能用宏观的导热系数来计算。但是IVB的die size和晶体管数以及热功耗相对SNB比较的情况，晶体管密度大幅度提高，同电压和频率下比SNB功耗没有减小，所以本身IVB发热比SNB大的推论应该没问题。

硅脂的导热系数到底有没有虚标，这个只有厂家清楚，但是现在5块钱的硅脂标注的导热系数都没有你说的3W/mK那么低，所以我觉得要不大家一起虚标吧。如果可以的话，你也可以找你的老师做个方案验证一下市售的硅脂参数到底有无虚标。
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 20:05
石头 发表于 2012-5-4 19:34
好的硅脂是十几瓦的。。。。如果按照最差的3W算当然是这个结果。但如果按照十几瓦算呢？。。。。。其实就是 ...

其实要是咬数字眼的话那就没有意义了

开始我计算的时候也纠结过类似问题，当时算的是钎焊厚度是300um，结果得出钎焊的效能是硅脂的10倍，，，其实钎焊的厚度完全没有0.8mm



我的数据并没有说明要如何精确，只是反馈下r在上面某楼的硅脂和钎焊差别微不足道的论调


另，你真的相信硅脂能到10w，我学无机材料的表示鸭梨很大 。知道这个10w需要的不只是适量银而是适量金刚石了，至少我不相信这样容易获得
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 20:13
royalk 发表于 2012-5-4 20:01
钎焊除了锡还有助焊剂。

另外忘了和你说，以前有人开过Q6600的顶盖做了测温对比，发现也没太大区别。加 ...

Q6的核心面积以及当时的电压情况以及超频状态相较ivb变化很大，不同时期也不能这样直接比较


另外测定导热系数也是不现实的，毕竟研究混合物时温度和状态对结果影响颇大结果也是有争议的
作者: royalk    时间: 2012-5-4 20:17
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:13
Q6的核心面积以及当时的电压情况以及超频状态相较ivb变化很大，不同时期也不能这样直接比较


Q6600也是自身在同条件下对比，只是少去了钎焊层和IHS与直接的硅脂比较。当时那个人好像是超频到3.75G，热功率不会比现在的IVB小。

所以导热材料从理论上很难论证，只能通过开盖测试，回头有机会我找个导热金属贴再试试。如果按照你的说法，用了导热金属贴的温度应该有明显下降。

不过IVB的晶体管密度问题，我觉得确实会导致核心发热增加，这还是没考虑到TriGate的三个截面表面积的问题的情况下。
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 20:27
royalk 发表于 2012-5-4 20:17
Q6600也是自身在同条件下对比，只是少去了钎焊层和IHS与直接的硅脂比较。当时那个人好像是超频到3.75G， ...

想要3770k加钎焊是可能性不大了，认识一个哈工大焊接系朋友告诉我在极端优势的条件下都很有难度

能做到的就是26K开盖测温，要是4.5GHz温度破百就能说明问题，不过我觉得钎焊还是容易伤核心的

另，3920XM这个U要是碰到雷一点的电压高一点的真的可以试试看和2920XM的对比，，可惜本吊丝无力了

ps其实很多硬件上的东西我个人是很佩服你的，没看我只是在我能说两句的地方吱个声么
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 20:37
想象一下在尽可能的情况下利用钎焊把核心焊在D14的底座上

另一边是硅脂接触..

这就是26k和37k的区别
作者: royalk    时间: 2012-5-4 20:37
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:27
想要3770k加钎焊是可能性不大了，认识一个哈工大焊接系朋友告诉我在极端优势的条件下都很有难度

能做到 ...

intel本身承认了IVB超频后温度高，但并没有说是原因是什么，而且相对于Intel的火星科技来说，我们掌握的知识是有限的，无论做什么样的论证，都不可能100%全面，并且也不是从理论数据就能说明问题的。

一般来说Intel在大核心上才用钎焊，小核心多数用硅脂。所以历来的低端CPU稍微小一点的die都是硅脂。其实我认为找一个钎焊的C2D E8400和最接近它的E7xxx，对比一下温度也能说明问题，不过我现在没有775平台，不过从以往的数据来看并没有反映出E7比E8温度高很多的迹象，当然这也只是个不严谨的对比了。

读者有疑问是正常的，能共同解决问题当然是最好，我不会强迫大家100%接受我的观点，我也并不是100%正确，也不会压制大家的质疑。

另外翻到我N年前开的一颗赛扬D，似乎是很软的钎焊，并且钎焊材料非常厚，接近1毫米。强开后die无损坏，只可惜这颗CPU在开盖前已经是尸体了。
[attach]102341[/attach]
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 20:45
royalk 发表于 2012-5-4 20:37
intel本身承认了IVB超频后温度高，但并没有说是原因是什么，而且相对于Intel的火星科技来说，我们掌握的 ...

硅脂上菜羊等低功耗U还是无鸭梨的个人觉得

我觉得可能intel有意而为之，毕竟要是ivb个个都能超到5.5GHz那X79产品线不就乱了

另外22nm的工艺会不会对钎焊控制上很严苛
作者: 石头    时间: 2012-5-4 20:48
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:05
其实要是咬数字眼的话那就没有意义了

开始我计算的时候也纠结过类似问题，当时算的是钎焊厚度 ...

如果你要求别人不跟你咬数字，那你就也别跟RK咬文嚼字。谢谢
作者: xieheuni1    时间: 2012-5-4 20:51
本帖最后由 xieheuni1 于 2012-5-4 20:53 编辑

自己还不明白就细琢磨，别咬文嚼字了
玩个电脑这么折腾也不嫌累。
作者: royalk    时间: 2012-5-4 20:53
zuinicai 发表于 2012-5-4 20:45
硅脂上菜羊等低功耗U还是无鸭梨的个人觉得

我觉得可能intel有意而为之，毕竟要是ivb个个都能超到5.5GHz ...

prescott的赛扬D，TDP也有70多80W。不过这是很老的钎焊工艺，现在应该不会那么厚。

单从核心密度和功耗来说，IVB的发热量就不会比SNB小。我不觉得制程缩小了温度和功耗就一定会降低，那得看核心本身的设计，如果设计相似就得看电压和频率的情况。22nm钎焊是否很难我也不知道，反正IVB的die厚度比prescott和K8的都薄很多，至于65nm后面的是什么情况我也不知道。

至于液氮下IVB能超到6G以上，是因为IVB没有coldbug，温度可以轻易达到-150度以下，而SNB的coldbug一般在-40到-80度，而且面对低温，基本上是no scaling。风冷条件下，就算忽略温度问题，我认为IVB的超频能力也会跟SNB差不多。曾经见到一个3770K压缩机下1.48V 5.1G烧机的，满载温度10度以下。
作者: zxy356    时间: 2012-5-4 21:00
只是用理论来计算和推理就想推翻用实物验证的结果，标题太大了。支持41楼的回复！
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 21:06
石头 发表于 2012-5-4 20:48
如果你要求别人不跟你咬数字，那你就也别跟RK咬文嚼字。谢谢

合理一点就好，不客气
作者: frontwing    时间: 2012-5-4 21:13
本帖最后由 frontwing 于 2012-5-4 21:16 编辑
royalk 发表于 2012-5-4 19:28
你这个数据虽然有些夸张，但是意思我清楚。

在测试之前我就做过类似计算，并且我个人计算结果理论上和我 ...


采融那个标称值肯定有水分的吧。。。7783是5.5，7762的导热系数才达到6.0
作者: royalk    时间: 2012-5-4 21:17
frontwing 发表于 2012-5-4 21:13
采融那个标称值肯定有水分的吧。。。7783是5.5，7762的导热系数才达到6.0

应该有，不过实际是多少就不知道了
7783我不喜欢，太干了
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 21:18
royalk 发表于 2012-5-4 20:53
prescott的赛扬D，TDP也有70多80W。不过这是很老的钎焊工艺，现在应该不会那么厚。

单从核心密度和功耗 ...

2600k的钎焊材质一定是有独到之处的，一定不是单纯的锡的效能，而且厚度也可能接近于硅脂




核心更密集以及漏电问题还是不能直接证明发热更大，毕竟4.8GHz温度破百时候功耗并没有5GHz的2600k大，并且功耗更大的snb的温度完全可控制在80左右或一下

另，吐槽下硅脂并不是越湿越好，干燥的硅脂才适合CPU长期使用因为硅油会沉积影响效能这点注意下
作者: 石头    时间: 2012-5-4 21:25
zuinicai 发表于 2012-5-4 21:06
合理一点就好，不客气

关键就是不合理，所以你也不用客气，承认不合理没什么丢人的。
作者: royalk    时间: 2012-5-4 21:26
zuinicai 发表于 2012-5-4 21:18
2600k的钎焊材质一定是有独到之处的，一定不是单纯的锡的效能，而且厚度也可能接近于硅脂

我感觉是32nm芯片的发热普遍比较小，用过Clarkdale和Westmere，都有这种感觉。45nm的Nehalem发热则较大，22nm也是。

硅脂油一开始应该是有的，后面蒸发掉了，所以就干了。干了之后里边会不会留下气孔阻碍散热呢，反正前面赛扬D那个钎焊中间是有不少气孔的。
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 21:32
石头 发表于 2012-5-4 21:25
关键就是不合理，所以你也不用客气，承认不合理没什么丢人的。

你再想想哪个更合理一点
作者: shanshan709229    时间: 2012-5-4 21:34
纯理论和实际实验的碰撞到底有无意义？  理论加上实验数据的支持才更有说服力吧
作者: rock211    时间: 2012-5-4 21:36
如果你是intel . 在明知道产品的发热量比上一代同级产品要高。那你会选择加强散热方案还是降低散热方案呢？  工业级大规模焊接（波峰焊、回流焊并不会提高很大的成本，毕竟产品定位不是奔腾也不是赛扬），个人认为是为了限制22nm的效能， 很明显INTEL是故意为之的。
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 21:42
royalk 发表于 2012-5-4 21:26
我感觉是32nm芯片的发热普遍比较小，用过Clarkdale和Westmere，都有这种感觉。45nm的Nehalem发热则较大， ...

[attach]102345[/attach]

这个是我第一颗CPU，那个开口也不确定是不是气孔，而且也不确定是不是硅脂...硅脂的话还说得通

不过当今U几乎是没有开口的那么显然干硅脂是王道，并且我不认为硅油易于高温挥发而排出沉积因素
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 21:47
shanshan709229 发表于 2012-5-4 21:34
纯理论和实际实验的碰撞到底有无意义？  理论加上实验数据的支持才更有说服力吧 ...

其实没有要理论不理论证明什么的说，只是觉得开盖测试本身意义不大

不加以部分理论思考的人不多
作者: royalk    时间: 2012-5-4 21:47
zuinicai 发表于 2012-5-4 21:42
这个是我第一颗CPU，那个开口也不确定是不是气孔，而且也不确定是不是硅脂...硅脂的话还说得通

不过当 ...

Northwood这个是硅脂，有人开过。另外SNB-E也有气孔，但是是钎焊。

另外，775之后的CPU，封胶不是一整圈的，而是在CPU下边留了一点，那地方充当着气孔的作用。
作者: 石头    时间: 2012-5-4 21:54
zuinicai 发表于 2012-5-4 21:32
你再想想哪个更合理一点

你也再想想。对于数字这么严谨的事情，却要求别人不能严谨的要求数字的准确性，我实在无法认为这是合理的。
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 21:58
royalk 发表于 2012-5-4 21:47
Northwood这个是硅脂，有人开过。另外SNB-E也有气孔，但是是钎焊。

另外，775之后的CPU，封胶不是一整圈 ...

恩，封胶有讲究

45---32的nehalem和clarkfield发热众人皆知，不过跨工艺的发热可不一定喜感的钟摆式规律了...22nm说不准

某楼石头管理员说这个有点矫情了，我觉得除了intel民间的各种测试，猜想，计算和试验都不能绝对的合理你说不是吗

作者: royalk    时间: 2012-5-4 22:00
zuinicai 发表于 2012-5-4 21:58
恩，封胶有讲究

45---32的nehalem和clarkfield发热众人皆知，不过跨工艺的发热可不一定喜感的钟摆式规律 ...

实际情况要考虑的因素太多，我觉得只讨论技术就好，不必吹毛求疵。
作者: shanshan709229    时间: 2012-5-4 22:06
zuinicai 发表于 2012-5-4 21:42
这个是我第一颗CPU，那个开口也不确定是不是气孔，而且也不确定是不是硅脂...硅脂的话还说得通

不过当 ...

开过赛扬和奔腾的U  现在还有两个[attach]102346[/attach]包括钥匙串上的一个盖和那个铜片都是（铜片是没事打磨后的顶盖）  穿钥匙圈的孔就是那个小孔 [attach]102348[/attach]这个看痕迹明显封胶没有封一圈  不过忘了是哪一个了 （钥匙圈上的开完把针脚一个个弄弯就不知哪去了  那时太无聊...）  后在两个没开的中间拿一个又掀掉头盖骨 [attach]102350[/attach]看密封胶很明显留一点没封上  加上那个小孔 斗胆怀疑是透气来得  不过上面那个小孔明显是被硅脂干掉的命   可能密封胶那里才是透气的吧
作者: shanshan709229    时间: 2012-5-4 22:11
royalk 发表于 2012-5-4 21:47
Northwood这个是硅脂，有人开过。另外SNB-E也有气孔，但是是钎焊。

另外，775之后的CPU，封胶不是一整圈 ...

好像775之后的CPU顶盖形状跟奔腾 赛扬的比不一样  会在顶盖上就留一个空  不过奔腾 赛扬的四边形顶盖在密封的时候也会留一点空隙  开过几个都是如此
作者: shanshan709229    时间: 2012-5-4 22:17
zuinicai 发表于 2012-5-4 21:42
这个是我第一颗CPU，那个开口也不确定是不是气孔，而且也不确定是不是硅脂...硅脂的话还说得通

不过当 ...

核心和顶盖之间的硅脂确实是干的  只能用指甲或者硬物才能铲掉  颜色有点偏银灰色   在小孔周围的白色硅脂是顶盖上抹上去的  还有点湿润 用手可以擦掉的
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 22:20
石头 发表于 2012-5-4 21:54
你也再想想。对于数字这么严谨的事情，却要求别人不能严谨的要求数字的准确性，我实在无法认为这是合理的 ...

很明显，我说明的是  2  〉1+1/2+1/4+1/8+·····的问题，我用正方形一半一半慢慢分就证明了，你偏要我用积分证明

这样对于结果来讲是一样的，但你说这种方法就是不严谨的，没错，不符合最科学的方式，但是针对的是事实而已了就

而你也不想pceva变成专制论坛，这么一个显而易见的观点都排斥不是么

可以这么说除了intel一切论调都是不绝对，但是坚持否定就有点牵强，我仍旧坚持最初发帖的观点就是r的开盖测试最后一段结论不能证明出发热大，
之所以这么多误会之处也不是闲的蛋疼的

其实我在原论坛回帖中强调了”误导“二字并不是误导的方向性问题，而是实际效能问题，这篇帖子是那边网友朋友转来的并没有把题目误会之处说明






作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 22:29
shanshan709229 发表于 2012-5-4 22:06
开过赛扬和奔腾的U  现在还有两个包括钥匙串上的一个盖和那个铜片都是（铜片是没事打磨后的顶盖）  穿钥 ...

貌似硅脂封住了小孔...

喜感了很，看来封胶孔是给力的
作者: royalk    时间: 2012-5-4 22:41
shanshan709229 发表于 2012-5-4 22:11
好像775之后的CPU顶盖形状跟奔腾 赛扬的比不一样  会在顶盖上就留一个空  不过奔腾 赛扬的四边形顶盖在密 ...

没有仔细注意过，775早期可能还是沿用478那种设计也有可能
作者: shanshan709229    时间: 2012-5-4 22:52
royalk 发表于 2012-5-4 22:41
没有仔细注意过，775早期可能还是沿用478那种设计也有可能

478时期的顶盖除却尺寸在形状上跟AMD的U差不多  我见到的775看都是会在顶盖上留一个空儿  跟AMD的区别开了 不过AMD的U跟Intel的U相比都尺寸偏大  除了很老的那种（只见过 记不住名字）   手上没有闲置AMD的U没法开盖看是不是也有密封胶那留得空儿  在用的是A家的U  不过开了就没得玩了......
作者: 石头    时间: 2012-5-4 22:56
zuinicai 发表于 2012-5-4 22:20
很明显，我说明的是  2  〉1+1/2+1/4+1/8+·····的问题，我用正方形一半一半慢慢分就证明了，你偏要 ...

我质疑你的合理性就成专制了？你不让别人质疑你，就说你质疑别人是合理的，别人质疑你就成了专制。。。这个双重标准很有意思。
作者: shanshan709229    时间: 2012-5-4 22:57
zuinicai 发表于 2012-5-4 22:29
貌似硅脂封住了小孔...

喜感了很，看来封胶孔是给力的

顶盖上的孔基本上是被硅脂封住的  除非抹硅脂的时候边缘空一下  不过想来为了增大接触面积都会一点不放过的吧......  密封胶那里因为只有一个孔  没有空气对流估计作用也有限 核心上的硅脂干成那样也是长时间积累的结果 不然一开始那么硬根本没法用的吧
作者: 石头    时间: 2012-5-4 23:00
zuinicai 发表于 2012-5-4 22:20
很明显，我说明的是  2  〉1+1/2+1/4+1/8+·····的问题，我用正方形一半一半慢慢分就证明了，你偏要 ...

再说你说的数字问题。

明明实际数字根本不是你说的那种情况，而你先假设了那么多前提，因此最后结论也自然不可能说服我，而且显然是不合理的。我也没让你用积分吧，但你的方法符合事实情况吗？显然不符合啊。
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 23:03
石头 发表于 2012-5-4 22:56
我质疑你的合理性就成专制了？你不让别人质疑你，就说你质疑别人是合理的，别人质疑你就成了专制。。。这 ...

来这里一晚上了也回了不少帖子


质疑我欢迎，r不是也在和我互相质疑然后才转化为致意么


都明白咱们也就是玩个乐趣互相理解下不同观点而已，毕竟我那句说了好几遍的话就是除了Intel咱们也就是折腾个乐呵没有绝对合理
作者: royalk    时间: 2012-5-4 23:03
shanshan709229 发表于 2012-5-4 22:52
478时期的顶盖除却尺寸在形状上跟AMD的U差不多  我见到的775看都是会在顶盖上留一个空儿  跟AMD的区别开 ...

AMD从K8到现在都是封胶留空的，没有变过
作者: shanshan709229    时间: 2012-5-4 23:08
royalk 发表于 2012-5-4 23:03
AMD从K8到现在都是封胶留空的，没有变过

那看来不管是i家还是A家  都是封胶留空的  什么时候有闲置A家的U开一个看一下 现在还是先闪人去谷歌一下这是何道理..........
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 23:10
石头 发表于 2012-5-4 23:00
再说你说的数字问题。

明明实际数字根本不是你说的那种情况，而你先假设了那么多前提，因此最后结论也自 ...

我来eva是为了针对事的，相信你也是diy高玩

那请你分析下我的数据方向性吧，我的数据已经更倾向于不利于我的结论了，而计算结果仍能说明钎焊的优势
作者: 大D来了    时间: 2012-5-4 23:21
这篇文章看完了，回帖也大部分看了，我的知识水平是大学物理及格。
认为这篇文章有理。
就是标题给人的感觉太硬，用商量的语气，就好些。
作者: zuinicai    时间: 2012-5-4 23:24
大D来了 发表于 2012-5-4 23:21
这篇文章看完了，回帖也大部分看了，我的知识水平是大学物理及格。
认为这篇文章有理。
就是标题给人的感觉 ...

额，这个是我在隔壁发的贴，eva的也是那边朋友给转过来的，


题目的误会没有更正，当时回帖已经说明了误导一词实则加了引号的
作者: mcszjs    时间: 2012-5-4 23:59
zuinicai 发表于 2012-5-4 23:24
额，这个是我在隔壁发的贴，eva的也是那边朋友给转过来的，


你现在已经是幼儿园，应该可以用点评，在主楼点评下就好了嘛。
作者: zuinicai    时间: 2012-5-5 00:05
mcszjs 发表于 2012-5-4 23:59
你现在已经是幼儿园，应该可以用点评，在主楼点评下就好了嘛。

是的，thanks
作者: wuyq_1981    时间: 2012-5-5 00:40
本帖最后由 wuyq_1981 于 2012-5-5 00:42 编辑

楼主说的有理
1、从散热能力上来说，（1）裸核心+硅脂+散热器<（2）裸核心+钎焊+顶盖+硅脂+散热器<（3）裸核心+钎焊+散热器，而且2比较接近1，3的散热能力则比1、2强多了
2、这点散热能力的差异，相对于3770k的发热量来说，可能结果是没什么差异（毕竟楼主算的是1和3之间的散热能力差异，应该注意到2毕竟不是3，中间还隔了顶盖、硅脂这两层）
结论：楼主说的有理，r大的结论也没有错

如果想得到楼主理论上计算出来的散热能力，那么应当建议Intel直接把核心钎焊在散热器上，而不是钎焊在顶盖上
作者: asas7896    时间: 2012-5-5 08:48
zuinicai 发表于 2012-5-4 23:24
额，这个是我在隔壁发的贴，eva的也是那边朋友给转过来的，

那你加上引号不就好了，墨迹了半天就是不改。
改一下会怀孕啊？
作者: Error    时间: 2012-5-5 09:26
本帖最后由 Error 于 2012-5-5 09:27 编辑
asas7896 发表于 2012-5-5 08:48
那你加上引号不就好了，墨迹了半天就是不改。
改一下会怀孕啊？  ...


既然作者也这样说，我本来也想改标题，但是这论坛貌似没有编辑选项  只有点评回复和补充，但我新发的这贴却能编辑
作者: 浪子燕青    时间: 2012-5-5 09:54
我想说，这个是个讨论帖，无论观点对错。
作者: diablozhao    时间: 2012-5-5 11:12
royalk 发表于 2012-5-4 14:02
还是那句话，既然你可以查证导热材料的厚度是百微米级别，请自行计算热阻然后看看在这个水平的发热量下温 ...

之前我也曾有过楼主那种想法....直到R大指教后,

而且反过来想,如果钎焊真能拯救世界的话.....
那些极限超频爱好者不是早该去盖然后把散热器直接钎焊到DIE上?
(单看SB和IVB的超温区别,一次硅脂换钎焊能降20度...那再少掉一次硅脂的转换不是能再降20度?)

硅脂也早该从跳出超频者的视线了.
作者: 血牛嘎嘎    时间: 2012-5-5 11:37
本帖最后由 血牛嘎嘎 于 2012-5-5 11:40 编辑

个人有个想法
（某高中生想法，如果有错请各位大大见谅并多谢斧正）
假设所有热量的转移都是通过传导
设
die 传导系数为10u
硅脂为5u
纤焊为100u
盖子为100u
则有3种情况对比
第一种情况（R大测试）：
DIE→硅脂→热管               （导热10-5→5）
第二种情况（3770k原版）
DIE→硅脂→金属盖子→硅脂→热管    （导热10-5-5-5→5）
第三种情况（假象状况）
DIE→纤焊→金属盖子→硅脂→热管     （导热10-10-10-5→5）
总结下来木桶原理就是总归都要通过导热能力最小的硅脂。
并且面积相同
所以推出结论，这3种情况温度一样
作者: royalk    时间: 2012-5-5 11:44
diablozhao 发表于 2012-5-5 11:12
之前我也曾有过楼主那种想法....直到R大指教后,

而且反过来想,如果钎焊真能拯救世界的话.....

那也不是这么说的，其实看看金属导热贴和硅脂的测试即可
找一些内部是钎焊的CPU来测试下
虽然理论计算结果完全说得通，但实际情况并不是那样
作者: royalk    时间: 2012-5-5 11:45
血牛嘎嘎 发表于 2012-5-5 11:37
个人有个想法
（某高中生想法，如果有错请各位大大见谅并多谢斧正）
假设所有热量的转移都是通过传导

明白你的意思，但是热阻是会叠加的，也就是你透过的材料层数越多热阻就越大，加上结合不紧密的部分更加大
作者: yang7947    时间: 2012-5-5 11:52
好帖！！
作者: jandee    时间: 2012-5-5 13:18
我有点感觉，那就是intel出动来灭火了
很多年后才知道p4和赛扬1.7,的时候铺天盖地的广告，隐藏了的intel的不可告人的目的
intel你坑爹了
作者: 血牛嘎嘎    时间: 2012-5-5 15:30
royalk 发表于 2012-5-5 11:45
明白你的意思，但是热阻是会叠加的，也就是你透过的材料层数越多热阻就越大，加上结合不紧密的部分更加大 ...

按老总的意思就是温度
1＜2≈3咯
作者: royalk    时间: 2012-5-5 15:32
血牛嘎嘎 发表于 2012-5-5 15:30
按老总的意思就是温度
1＜2≈3咯

也不是那么简单，跟接触面积也有关系的
比如IHS顶盖就是导热暴强的铜，而且接触面积很大所以热阻几乎可以忽略
作者: hellhost    时间: 2012-5-5 15:47
本帖最后由 hellhost 于 2012-5-5 15:56 编辑
zuinicai 发表于 2012-5-4 17:21
事实证明大面积的间接，远好于小面积的直接


这话说全了是不是应该这样？

散热效果：
【die（小面积）+钎焊（直接）+顶盖】≈大面积  +   间接（硅脂+散热器）

>

die（小面积）+硅脂（看似直接实则间接）+散热器


虽说是大面积间接散热，可这大面积内部必须是直接。小面积直接其实是小面积间接。
如果这个小面积的直接和大面积内部直接是一样的话，那结果就应该反过来了。
除非intel的顶盖散热效果远超散热器底座。



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