PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识

标题: 正式版Kaby Lake 7700K开盖，还是高科技硅脂 [打印本页]

作者: Xeon1230 时间: 2016-11-2 08:30
标题: 正式版Kaby Lake 7700K开盖，还是高科技硅脂
HKEPC拿到了正式版本的Core i7-7700K，进行了开盖，超频。

使用的开盖工具
[attach]371753[/attach]

果然还是高科技硅脂
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为了加强散热，换了纯铜的顶盖散热片。
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[attach]371756[/attach]

频率超到了6.7G，电压未知。这应该是上LN跑的，风冷上不到这么高
[attach]371757[/attach]

正式版7700K的规格
[attach]371758[/attach]
默认频率4.2G，步进B0，TDP91W

还有7600K一张
[attach]371759[/attach]
默认频率3.8G，步进B0，TDP91W

作者: royalk 时间: 2016-11-2 09:18
6.7G应该没挑，按照一般水平来算的话，和skylake差不多。

作者: qqicu 时间: 2016-11-2 09:28
2500K 超频 4.6G 一直使用，稳定性能足够。没必要被INTEL 坑。

作者: Xeon1230 时间: 2016-11-2 09:31

qqicu 发表于 2016-11-2 09:28
2500K 超频 4.6G 一直使用，稳定性能足够。没必要被INTEL 坑。

SNB不错，性能比上代的1156好很多。和IVB、HSW差距也不算大。电脑这东东，够用就好

作者: 里奥 时间: 2016-11-2 10:32
我喜欢这个纯铜顶盖

作者: 羽落风尘 时间: 2016-11-2 10:33
看来2700K还要继续战

作者: bdzyq 时间: 2016-11-2 11:19

Xeon1230 发表于 2016-11-2 09:31
SNB不错，性能比上代的1156好很多。和IVB、HSW差距也不算大。电脑这东东，够用就好
...

能用到AVX 指令集的软件还是能感觉到不行了，我的ivy有时候已经能明显感觉到差距了。

作者: yangbaleng 时间: 2016-11-2 11:39

Xeon1230 发表于 2016-11-2 09:31
SNB不错，性能比上代的1156好很多。和IVB、HSW差距也不算大。电脑这东东，够用就好
...

我用的是2500，只是用来上网看片，不玩游戏的话，完全够用，但是6代I3-6100和2500性能差距不算太大，核显还要好不少。由于4代内存加持，所以还是打算换新平台

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-2 12:27
本帖最后由 cccp1922-1991 于 2016-11-2 12:30 编辑

新顶盖外形变化可以认定与Die无关，似乎的确是为了安装方便。

测试者不知道顶盖就是铜镀镍的么，直接用液态金属就好了。

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-2 12:28

里奥发表于 2016-11-2 10:32
我喜欢这个纯铜顶盖

原装顶盖就是铜的……

作者: royalk 时间: 2016-11-2 12:30

cccp1922-1991 发表于 2016-11-2 12:27
新顶盖外形变化可以认定与Die无关，似乎的确是为了安装方便。

测试者不知道顶盖就是铜镀镍的么，直接用液 ...

原装顶盖是稍微凹下去的，对LN2用户来说液氮炮和顶盖之间会有间隙，结冰后严重影响导热。

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-2 12:34

royalk 发表于 2016-11-2 12:30
原装顶盖是稍微凹下去的，对LN2用户来说液氮炮和顶盖之间会有间隙，结冰后严重影响导热。
...

这一点没想到，如果拆下原装顶盖后打磨平整不是比做一个新顶盖更简单么？

作者: royalk 时间: 2016-11-2 12:36

cccp1922-1991 发表于 2016-11-2 12:34
这一点没想到，如果拆下原装顶盖后打磨平整不是比做一个新顶盖更简单么？
...

这个新顶盖HKEPC他们早就在用了，并不是现做现用。

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-2 12:36

royalk 发表于 2016-11-2 12:30
原装顶盖是稍微凹下去的，对LN2用户来说液氮炮和顶盖之间会有间隙，结冰后严重影响导热。
...

另外至今也不明白INTEL为什么会把顶盖给弄出凹陷。

作者: royalk 时间: 2016-11-2 12:38

cccp1922-1991 发表于 2016-11-2 12:36
另外至今也不明白INTEL为什么会把顶盖给弄出凹陷。

自从IVB换硅脂之后，顶盖就变凹的了，猜测可能跟散热器对die或者PCB的压力变化有关。

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-2 12:44

royalk 发表于 2016-11-2 12:38
自从IVB换硅脂之后，顶盖就变凹的了，猜测可能跟散热器对die或者PCB的压力变化有关。
...

钎焊Die直接承力顶盖却是平的……

作者: royalk 时间: 2016-11-2 12:44

cccp1922-1991 发表于 2016-11-2 12:44
钎焊Die直接承力顶盖却是平的……

钎焊的一般都是微凸，平的也有，但比较少。

作者: 里奥 时间: 2016-11-2 14:20

cccp1922-1991 发表于 2016-11-2 12:28
原装顶盖就是铜的……

我说的是换的那个纯铜顶盖，看起来好厚

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-2 17:51

里奥发表于 2016-11-2 14:20
我说的是换的那个纯铜顶盖，看起来好厚

厚顶盖很适合配热管直触，测试者若用的真是液氮较薄的顶盖更合适。

作者: firry_dl 时间: 2016-11-2 18:42
有一说原装的顶盖就是铜的，小刀划一下就能看出来。

作者: rivaldokfc 时间: 2016-11-2 18:49

royalk 发表于 2016-11-2 09:18
6.7G应该没挑，按照一般水平来算的话，和skylake差不多。

6.7G 4C8T已经是烧高香了。看那些跑极限成绩的2C2T跑到6.8左右都挺难

作者: royalk 时间: 2016-11-2 19:24

rivaldokfc 发表于 2016-11-2 18:49
6.7G 4C8T已经是烧高香了。看那些跑极限成绩的2C2T跑到6.8左右都挺难

哦。。skylake极限不如hsw？

作者: rivaldokfc 时间: 2016-11-2 19:30

royalk 发表于 2016-11-2 19:24
哦。。skylake极限不如hsw？

4c8t 6.7G。。其实挺变态的

作者: avira005 时间: 2016-11-2 19:35
so,就换了个名字

作者: overthink 时间: 2016-11-2 20:52

firry_dl 发表于 2016-11-2 18:42
有一说原装的顶盖就是铜的，小刀划一下就能看出来。

嗯,应该是的, 有些工厂测试用U,压的比较厉害,耳朵那儿漏出铜了.
至于这个,应该是换了一个比较平的顶盖,好上LN炮 .

作者: Xeon1230 时间: 2016-11-2 20:55

bdzyq 发表于 2016-11-2 11:19
能用到AVX 指令集的软件还是能感觉到不行了，我的ivy有时候已经能明显感觉到差距了。
...

能用到新指令集的应用还是新平台比较给力.

作者: 红色狂想 时间: 2016-11-3 17:43
开核玩家的噩梦——intel和散热器厂商联合推出直接镶嵌到散热器底座中的高端CPU产品

作者: tanzibin 时间: 2016-11-4 05:46
我老早就说过，intel未来的所有小核心都是硅脂，除非钎焊技术有重大进步。小核心还上钎焊后果就是热胀冷缩压毁die

作者: Xeon1230 时间: 2016-11-4 15:52

kuram 发表于 2016-11-3 21:21
想当年，我们都是直接压核心散热，怕什么

当年AMD的毒龙，速龙，好多压碎核心的。

作者: firry_dl 时间: 2016-11-4 18:14

tanzibin 发表于 2016-11-4 05:46
我老早就说过，intel未来的所有小核心都是硅脂，除非钎焊技术有重大进步。小核心还上钎焊后果就是热胀冷缩 ...

上点液金也行啊，周围die用黑胶摸一圈

作者: tanzibin 时间: 2016-11-5 02:46

firry_dl 发表于 2016-11-4 18:14
上点液金也行啊，周围die用黑胶摸一圈

液金的成本，可靠度，加工难度都要高不少。

作者: firry_dl 时间: 2016-11-5 10:31

tanzibin 发表于 2016-11-5 02:46
液金的成本，可靠度，加工难度都要高不少。

液金关键是周围一圈要上黑胶，工艺很简单，手工改造都完全不是问题，我看就是intel偷懒降成本罢了，或者给散热器厂家留条活路。

作者: 漫咖啡 时间: 2016-11-6 15:05
7代已经上市了？

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-6 20:23

tanzibin 发表于 2016-11-4 05:46
我老早就说过，intel未来的所有小核心都是硅脂，除非钎焊技术有重大进步。小核心还上钎焊后果就是热胀冷缩 ...

以铜盖的热胀冷缩幅度不可能压碎Die

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-6 20:32
本帖最后由 cccp1922-1991 于 2016-11-7 18:05 编辑

firry_dl 发表于 2016-11-5 10:31
液金关键是周围一圈要上黑胶，工艺很简单，手工改造都完全不是问题，我看就是intel偷懒降成本罢了，或者 ...

CPU PCB正面若没有电容涂上液金后不需要绝缘直接把铜盖粘上就可以。PCB正面有电容用粘稠的硅脂覆盖就能绝缘。

作者: tanzibin 时间: 2016-11-6 23:07

cccp1922-1991 发表于 2016-11-6 20:23
以铜盖的热胀冷缩幅度不可能压碎Die

http://bbs.pceva.com.cn/thread-132749-1-1.html
英特尔2006年就研究过钎焊工艺对die耐受热冲击能力的影响。

作者: goodtemper 时间: 2016-11-7 00:29
我只看到了：
酷睿(他妈)I7

作者: Akula 时间: 2016-11-7 16:42

tanzibin 发表于 2016-11-6 23:07
http://bbs.pceva.com.cn/thread-132749-1-1.html
英特尔2006年就研究过钎焊工艺对die耐受热冲击能力的影 ...

以前Core 2的核心面积和现在差不多，照样用钎焊也没听说过有什么问题。
而且我没事看了下您发的那文献，内容是研究导热材料特性的，根本就没提到您说的什么钎焊会把die弄碎什么的，您不会是看到上面有个图图上有crack就以为芯片破掉什么的吧。看了文章就知道那个明明说的是多次热循环之后钎焊体会出现crack，然后crack会在钎焊体中延伸，影响die和IHS之间的热传递，而且仔细看文章就会发现这问题不光在对比用的三种die上都存在，而且对Large die的影响要明显得多，而Small die反而是影响比较小的。

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-7 18:03
本帖最后由 cccp1922-1991 于 2016-11-7 18:18 编辑

tanzibin 发表于 2016-11-6 23:07
http://bbs.pceva.com.cn/thread-132749-1-1.html
英特尔2006年就研究过钎焊工艺对die耐受热冲击能力的影 ...

铜盖+铟焊料的热膨胀幅度依然不可能压碎Die。主流平台钎焊CPU Die面积小于硅脂的型号不少应用时间也不短。

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-7 18:24

Akula 发表于 2016-11-7 16:42
以前Core 2的核心面积和现在差不多，照样用钎焊也没听说过有什么问题。
而且我没事看了下您发的那文献， ...

钎焊焊接面尺寸越大受冷热循环的伤害必然越大。

作者: ft5555 时间: 2016-11-7 19:30
台式机cpu盖内用硅脂就是在给散热器厂家活路

看看同样4核8线程 cpu 在笔记本里用怎样微型的散热器。

看看台机硅脂U，烧到80度散热器热管依旧温热..

而直触的GPU的显卡散热器，当gpu 80度时热管已经十分烫手了。

作者: Akula 时间: 2016-11-7 23:52

cccp1922-1991 发表于 2016-11-7 18:24
钎焊焊接面尺寸越大受冷热循环的伤害必然越大。

文章中并没有伤害之类的这回事，所以伤害大伤害小之类的根本就无从说起了。

作者: cccp1922-1991 时间: 2016-11-8 03:56

Akula 发表于 2016-11-7 23:52
文章中并没有伤害之类的这回事，所以伤害大伤害小之类的根本就无从说起了。 ...

我说的是钎焊的特性不是指那篇文章。

作者: tanzibin 时间: 2016-11-8 07:48

Akula 发表于 2016-11-7 16:42
以前Core 2的核心面积和现在差不多，照样用钎焊也没听说过有什么问题。
而且我没事看了下您发的那文献， ...

很多年前看的文献，现在已经不记得细节了。
我现在没有时间去看原文，有时间我再去读一读。

作者: 3011131157 时间: 2016-11-29 11:10
以前CPU磨过顶盖，是纯铜，磨了之后就不好出手了

作者: PC_MasterRace 时间: 2016-12-8 00:35
91W TDP?比4790K都高啊

作者: royalk 时间: 2016-12-8 12:04
我手里的7700K 1.265v 4.8G，97度，频率高了漏电大导致温度暴涨，和3770K，4790K一样，确实有开盖必要

作者: breezelu 时间: 2016-12-16 10:54
有特挑吗？　什么散热？

作者: Ovisov 时间: 2016-12-27 18:20

royalk 发表于 2016-12-8 12:04
我手里的7700K 1.265v 4.8G，97度，频率高了漏电大导致温度暴涨，和3770K，4790K一样，确实有开盖必要 ...

我也拿了颗7700K，用2202 bios的m8i 外频1.26v 48 ring42 跑了28.9 blend 1hour
核心最高79℃还没开盖，难道是内存23xxMHz或者ring比较低导致温度很好？
还有跑的时候室温15℃左右，散热h100i v2。不过一开始加压到1.3v都没跑温，
最后发现io sa auto给的比较高手动降io sa 1.00 1.05才1.26跑过blend

作者: royalk 时间: 2016-12-27 22:56

Ovisov 发表于 2016-12-27 18:20
我也拿了颗7700K，用2202 bios的m8i 外频1.26v 48 ring42 跑了28.9 blend 1hour
核心最高79℃还没开盖， ...

你内存低，如果内存跑到3600温度估计也是90左右

作者: Ovisov 时间: 2016-12-27 23:08

royalk 发表于 2016-12-27 22:56
你内存低，如果内存跑到3600温度估计也是90左右

之前67k到手第二天就开盖，内存跑4000没体验过高温没法对比，换77k主板bios又不给力内存最高也就2400了……日常目前主流应该都3000+了

作者: royalk 时间: 2016-12-27 23:12

Ovisov 发表于 2016-12-27 23:08
之前67k到手第二天就开盖，内存跑4000没体验过高温没法对比，换77k主板bios又不给力内存最高也就2400了… ...

等几天正式发布应该就有新BIOS了

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