本帖最后由 Asuka 于 2013-1-14 00:04 编辑
焦点观察:摩尔定律如何运作着
哟呵,大家好,Asuka总是这么莫名其妙就出现了,不过嘛,正是这样偶尔出现一下才不会显得那么刻意,不会有人说Asuka是黑还是蜜什么的。不过,我深知当黑是如何有快感的一件事情,也颇能理解那些黑久了的童鞋会如何难以自拔。Asuka就为大家展示一种比较欠抽的拐弯抹角黑,还尽量显得很有姿态,呵呵。
之前Asuka小讲座大家肯定已经忘了,
额!好吧,自嘲一下。
第一章Asuka讲的就是摩尔定律,我们今天做个焦点观察,就来简单看看摩尔定律是如何在业界运作着的。说起来很简单的一条规律,但对于业界来说,这种暧昧的东西当做风向标可以,当成蓝图就不够具体了。所以,应运而生,一个组织成立了,那就是基地。
……
那就是ITRS (International Technology Roadmap of Semiconductors),国际半导体行业发展路线图,其成员分别是欧洲半导体行业协会,日本电子信息技术行业协会,韩国半导体行业协会,台湾半导体行业协会以及美国半导体行业协会。竟然没有我大天朝,肯定是我打开方式不对。╮(╯▽╰)╭
这个组织基本上夏天在美国开会,冬天在亚洲开会,然后制定一个半导体界的路线图,并公布给全世界做参考,也就成为了摩尔定律的落实版。惯例是每两年出一版新版本,在相间的一年推出一个小幅更新,不过基本不会有太大变化。每一版基本都会包括一个总括版,Overall Roadmap Technology Characteristics (ORTC),以及各个子项,Asuka是做光刻的,所以Asuka最关键要参考的就是Lithography子项。在每个子项里,基本上生产环节中的每一个指标都会巨细靡遗的定量下来作为参考,也正是这种非定性,而是定量的预测,让我们可以很方便的去比照过去、预测未来。
诚如Asuka之前所说,现在最激进的推进摩尔定律的并非是CPU、GPU之类的MPU,而是Flash Memory,因为这真是一个单纯的领域啊,完全重复性的单元,越多越好,一个带Floating Gate的简单晶体管结构,没了,这个部分没有概念的朋友可以去补课浴室以前写过的通识文章。也正是这种激进,使得Flash Memory的指标成为了所有指标中的头炮,具体来说是,Flash ½ Pitch (纳米) (un-contacted Poly)的数值,然后才是DRAM,再来才是MPU。
那让我们通过ITRS来看看摩尔定律是如何在现实生活中运作着的吧!如下图:
这是最新的一版,2011版,2012更新版还没有出来,我们不妨就按这个表来,之前2009版以及以2009版为基础的2010更新版已经过时很多了,2011往前挪了很多,也就是与现实最接近的版本,我们来Flash Memory的2012年项,20纳米。
额,好眼熟。
非常巧合的,浴室大大刚刚为我们介绍了镁光M500使用的颗粒,基于20纳米的MLC L85A颗粒,现在是2013年初,这个L85A就非常非常巧合的正好是和ITRS预测的一样呢!我们不妨再把L73A、L74A,大家可以去回顾下,就是用在M4、C400里面的颗粒,推出M4大约是2011年早期,当时标注的制程水平是25纳米,虽然上表里面没有,2010年版又落后了非常多,我觉得这个25纳米也的确是可信的。大家知道的,如果按照摩尔定律的讲法,要翻倍晶体管数目,自然必须在尺寸上缩小为以前的0.7倍,20/25是0.8,差不多的确呢!但是这样预测不足为凭,我们还是查表查表,然后我在ORTC-2A表里查到了一点东西,对于MLC颗粒,单die容量指标为2010年32~64Gb(推测),2012年为128Gb,也就分别是4~8GB(L73A 4GB per die,L74A 8GB per die)和16GB,你说咋就这么巧呢~!浴室大查了spec也是这么说的。
所以我想说哇,怎么就那么巧呢?大家知道就好,不要说出来。借万峰的一句话,与君共勉,“不读书,不看报,不学习!”
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