终于站到前端了，中芯国际出样ReRAM
日前，中国中芯国际公司宣布已经正式出样40nm工艺的ReRAM（非易失性阻变式存储器）芯片，而更加先进的28nm技术也将很快运用到这种新型存储芯片。此消息一出，立刻引起了整个半导体存储芯片行业的广泛关注。ReRAM是新一代非易失性存储芯片，它的密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。如果ReRAM存储芯片顺利应用于市场，将给存储市场带来巨大的变革。
说的挺激动人心的，虽说是40nm但是200mm2即可实现TB级存储，So这工艺也不算问题。
这个是真的话三星，东芝，Intel的NAND都可以洗洗睡了{:1_462:}
要么翻译错误，要么吹牛b，比现有内存快100倍 1000倍？ 而且内存没有耐久度概念。
如果是比SSD快100倍，那内存可以不用不了。 楼上的言论代表了很多人的心态啊，不过我要指出一点，比SSD快100倍并不快，比内存差多了。 smic啊！{:1_454:}各位知道这个公司的技术骨干有多少是东芝的人么！！！ xunmei 发表于 2017-1-18 20:08
楼上的言论代表了很多人的心态啊，不过我要指出一点，比SSD快100倍并不快，比内存差多了。 ...
你去查下内存的速度再说，不比延迟。SSD1G/S不算离谱吧？ 100G/S 你看看你内存达标没有。写还是1000G/S
xunmei 发表于 2017-1-18 20:08
楼上的言论代表了很多人的心态啊，不过我要指出一点，比SSD快100倍并不快，比内存差多了。 ...
你这张配图很正确，特别是H61配DDR1333，再用G840的CPU，深刻地揭示了内存比不过SSD的道理。我输了 xunmei 发表于 2017-1-18 20:30
你这张配图很正确，特别是H61配DDR1333，再用G840的CPU，深刻地揭示了内存比不过SSD的道理。我输了 ...
那你就把你100G每秒的电脑献出了给我看看，什么叫做差多了，难道是1000G每秒？
nazca001 发表于 2017-1-18 20:20
这里的"快"一般指的是延迟, 并非带宽
论带宽: DDR4-3200单通道理论带宽25.6GB/s, 实际算2/3还有17GB/s, 四通道后为68GB/s, 一般NAND SSD 2.5GB/s到顶
论延迟: DRAM在50ns左右, NAND SSD在NVMe下也要至少0.01ms=10µs=10,000ns
jerrytsao 发表于 2017-1-18 20:35
这里的"快"一般指的是延迟, 并非带宽
论带宽: DDR4-3200单通道理论带宽25.6GB/s, 实际算2/3还有17GB/s,...
最终要比的是IOPS,延迟再低没读写等于零。
投入量产了再来说吧
看实际产品说话
XXHJACK 发表于 2017-1-18 20:12
smic啊！各位知道这个公司的技术骨干有多少是东芝的人么！！！
东芝的存储黑科技？
希望能够改写存储市场，让垄断涨价的奸商付出代价。
本帖最后由 909648183 于 2017-1-19 00:17 编辑
nazca001 发表于 2017-1-18 20:41
最终要比的是IOPS,延迟再低没读写等于零。
延迟高了IOPS不好堆上去
降低延迟比单纯的堆IOPS难多了
nazca001 发表于 2017-1-18 20:00
要么翻译错误，要么吹牛b，比现有内存快100倍 1000倍？ 而且内存没有耐久度概念。
如果是比SSD快100倍，那 ...
这个应该和Intel的闪腾是一个东西吧。
这里的快 应该是指 存储单元状态改变所消耗的时间 为以前的1/100
没啥稀奇的
做成产品能快3倍就不错了
说的挺好，继续继续 希望早日能用上，而不是变成龙芯 这牛比吹的我给100分 能量产才关键，中国制造的品控好多不靠谱。大众才不管你高铁核心技术是哪的，实惠才关键
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